对比文件的名称：2011-06-08_JP4697622B_发明专利_JP4697622B2 Piezoelectric element
目标专利的名称：1671形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体CN105980935B
本次调用的模型名称：GPT-4（示例）
以下为特征比对表格，按照目标专利权利要求的划分逐一分析技术特征A～S。
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（日文→中文翻译，标注段落编号） | 公开性论述 |
| **A**：a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未记载在导电层上形成光敏材料层。 | 对比文件涉及压电元件，其电极形成方法未涉及任何光敏材料，更未公开在导电层上形成第一正型光敏材料层的步骤。 |
| **B**：b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至所述透明光掩模上<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未记载透明光掩模、接触或紫外线照射。 | 对比文件完全未涉及光刻工艺，没有刻有线形图案的透明光掩模，也没有任何关于掩模接触或曝光的描述。 |
| **C**：b-2)去除所述透明光掩模，使用显影剂使所述第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未记载显影步骤。 | 对比文件未提及任何显影剂或显影过程，也没有形成光敏材料图案的步骤。 |
| **D**：b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未记载固化步骤。 | 对比文件没有关于光敏材料固化的任何描述。 |
| **E**：c)在具有所述第一正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第二正型光敏材料层<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未记载第二光敏材料层。 | 对比文件没有形成第二光敏材料层的概念，也没有在已有图案层上再次涂覆光敏材料的描述。 |
| **F**：d)使所述刻有线形图案的透明光掩模与所述第二正型光敏材料层的上表面接触，使得所述第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在所述导电层上形成第二正型光敏材料图案层<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未记载交叉图案的形成。 | 对比文件电极形状由振动模式决定，不经交叉曝光工艺，且未使用相移掩模形成交叉线形图案。 |
| **G**：e)蚀刻所述导电层上未形成所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的部分<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未记载蚀刻步骤。 | 对比文件虽然形成电极，但未描述如何通过蚀刻去除未被光刻胶保护的部分，且未提及使用光刻胶作为蚀刻掩模。 |
| **H**：f)去除所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中，所述导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未记载去除光敏材料层，也未涉及线宽为纳米级的网格图案。 | 对比文件中的电极是微米级宽度（例如3mm），不是由交叉线形图案构成的网格，且线宽远大于900nm，完全不属于目标专利限定的纳米级范围。 |
| **I**：该方法还包括，在步骤d)之后，在其上形成有所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第三正型光敏材料层<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未记载第三光敏材料层。 | 对比文件没有多次光刻叠加形成额外图案的构思，未公开形成第三光敏材料层的步骤。 |
| **J**：在所述导电层上形成第三正型光敏材料图案层<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未记载第三图案层。 | 对比文件未涉及第三次光刻，故未公开形成第三图案层的任何方式。 |
| **K**：其中，所述透明光掩模的线形图案的线宽是2μm以上500μm以下<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未涉及透明光掩模或其线宽。 | 对比文件没有使用光掩模，更没有限定掩模线宽的范围。 |
| **L**：其中，所述导电层包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属或其中两种以上金属的合金<br>**直接公开** | 【0044】“银（Ａｇ）の薄膜からなる表面電極”<br>【0053】“Ａｇ（銀）の薄膜”<br>（翻译：由银（Ag）薄膜构成的表面电极） | 对比文件明确公开导电层（电极）由银（Ag）薄膜形成。银属于L限定的金属之一，因此导电层包含银这一技术特征被直接公开。 |
| **M**：其中，所述导电层包括透明金属氧化物<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未公开任何透明金属氧化物。 | 对比文件电极材料为金属银，并非透明金属氧化物。 |
| **N**：其中，所述导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未涉及所列透明氧化物。 | 对比文件导电层仅为银，无任何透明氧化物，故未公开。 |
| **O**：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或其共聚物中的至少一种<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未涉及任何光掩模材料。 | 对比文件未使用光掩模，更未公开掩模材料的种类。 |
| **P**：其中，所述导电层的厚度是5nm以上10μm以下<br>**直接公开** | 【0045】“電極１２の厚みを０．３μｍ”<br>（翻译：电极12的厚度为0.3μm） | 对比文件明确公开电极（即导电层）厚度为0.3μm（300nm），该数值落在5nm～10μm的范围内，因此该技术特征被直接公开。 |
| **Q**：其中，所述第一正型光敏材料层和所述第二正型光敏材料层的厚度分别是0.01μm以上10μm以下<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未涉及光敏材料层及其厚度。 | 对比文件未使用任何光敏材料层，故未公开其厚度范围。 |
| **R**：其中，所述步骤b-1)和d)分别包括在使所述透明光掩模与所述第一正型光敏材料层或所述第二正型光敏材料层的上表面接触之后，将强度为10mJ/cm²以上200mJ/cm²以下的紫外线照射至该透明光掩模上<br>**未公开** | 无相关内容。对比文件未涉及曝光步骤及曝光强度。 | 对比文件完全未描述曝光过程，更不可能公开具体的紫外线强度范围。 |
| **S**：其中，在步骤a)中，形成所述导电层的方法包括热沉积、溅镀、电子束沉积、层压加工法或溶液涂覆法<br>**未公开** | 对比文件【0044】“银（Ａｇ）の薄膜からなる表面電極を…形成”（形成银薄膜），但未指明具体方法。 | 对比文件仅提及形成银薄膜，未公开采用何种沉积或涂覆方法。本领域技术人员无法从对比文件直接或唯一地推断出该导电层必须通过热沉积、溅镀、电子束沉积、层压或溶液涂覆中的某一种方法形成，故该特征未被公开。 |
**总结**：对比文件仅直接公开了技术特征L（导电层包含银）和P（导电层厚度为5nm以上10μm以下，具体为0.3μm）。其他技术特征A～K、M～O、Q～S均未被直接或隐含公开。
根据输出格式要求：
<<<L>>><<<P>>>