**对比文件名称：** 2013-10-24_WO2013158543A_发明申请_WO2013158543A1 METHODS FOR MAKING MICRO- AND NANO-SCALE CONDUCTIVE GRIDS FOR TRANSPARENT ELECTRODES AND POLARIZERS BY ROLL TO ROLL OPTICAL LITHOGRAPHY
**目标专利名称：** 1671形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体CN105980935B
**模型名称：** GPT-4-分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译及段落标号） | 公开性论述 |
| **技术特征A：a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层** 《直接公开》 | [p0076] “将正型i-线光刻胶（如Shipley Microposit™ 1805）以4000 rpm旋涂在包含导电金属层（铝（Al））的基底上约30秒。” [p0049] “特别适合的正型光刻胶材料包括Microposit™ SI 800系列，尤其是Microposit™ SI 805。” | 对比文件明确记载了在导电层（铝）上旋涂形成正型光刻胶层，这与目标专利中在导电层上形成第一正型光敏材料层的步骤一致。该步骤的功能是准备后续光刻图案化，作用相同。因此，技术特征A被直接公开。 |
| **技术特征B：b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至所述透明光掩模上** 《直接公开》 | [p0076] “升高移动台直至铝和光刻胶涂覆的基底与辊式相位掩模接触。” [p0039] “设置在辊式掩模装置内部的辐射源产生电磁辐射，该辐射穿过刚性图案表面的一个或多个区域到达基底（即，涂覆在基底上的可辐射固化光刻胶材料）。” | 对比文件使用了刻有线形图案的辊式相位掩模（相当于透明光掩模），在接触后通过掩模对光刻胶层进行UV照射，这与目标专利的步骤b-1)完全对应，实现了通过掩模选择性曝光的功能。因此，技术特征B被直接公开。 |
| **技术特征C：b-2)去除所述透明光掩模，使用显影剂使所述第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层** 《直接公开》 | [p0076] “在适当强度下曝光的样品用MIF-319（Shipley）显影约1分钟。” [p0013] “该方法还包括将基底暴露于显影剂以移除辐射暴露的正性抗蚀剂材料的一个或多个预选区域。” | 对比文件明确在曝光后移开掩模（在接触曝光后自然去除），并使用显影剂显影形成图案。对于正型光刻胶，显影后曝光区域被去除，未曝光区域保留形成图案层，这与目标专利的步骤b-2)完全相同。因此，技术特征C被直接公开。 |
| **技术特征D：b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层** 《未公开》 | 对比文件未记载在显影后对正型光刻胶图案层进行固化步骤。仅在[p0076]提及曝光前有95℃烘烤，未提及显影后固化。 | 目标专利中固化步骤是为了使图案层硬化，以承受后续第二光刻胶层的涂覆工艺。对比文件没有公开在显影后对正型光敏材料图案层进行固化，且对比文件的方法未涉及第二次涂覆，因此没有提供固化步骤的教导。本领域技术人员不能毫无疑义地从对比文件得出该步骤。技术特征D未被直接或隐含公开。 |
| **技术特征E：c)在具有所述第一正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第二正型光敏材料层** 《未公开》 | 对比文件全文未记载在已形成有第一图案层的导电层上再次涂覆第二正型光敏材料层。 | 目标专利此步骤的目的是通过两次涂覆和交叉图案形成网格。对比文件仅涉及单次涂覆光刻胶层，然后通过相位掩模或光掩模直接形成网格图案，没有教导或暗示在第一次图案化后再形成第二光刻胶层。因此，技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F：d)使所述刻有线形图案的透明光掩模与所述第二正型光敏材料层的上表面接触，使得所述第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在所述导电层上形成第二正型光敏材料图案层** 《未公开》 | 对比文件未记载在第二正型光敏材料层上进行接触曝光并使其与第一图案层交叉的步骤。 | 目标专利此步骤用于形成交叉的第二图案层，从而与第一图案层构成网格。对比文件采用棋盘形相位掩模或修改的棋盘掩模一次曝光形成网格，而非通过两次线性图案的交叉。没有公开任何关于第二次曝光的操作。因此，技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G：e)蚀刻所述导电层上未形成所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的部分** 《未公开》 | [p0046] “然后可以蚀刻基底以去除一个或多个预选区域（包含固化光刻胶）之外的区域中未固化的可辐射固化光刻胶材料以及下面的导电材料层。” [p0071] “可以通过任何本领域已知的常规蚀刻工艺移除基底表面除固化光刻胶以外的区域中的导电材料。” | 对比文件公开了蚀刻去除未覆盖光刻胶图案的导电层部分，但仅针对单层光刻胶图案。由于对比文件未公开两层图案层，因此其蚀刻步骤的对象不是“未形成第一和第二图案层的部分”。尽管蚀刻工艺本身类似，但该技术特征整体（以两层图案作为掩模）未被公开。技术特征G未直接或隐含公开。 |
| **技术特征H：f)去除所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中，所述导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下** 《未公开》 | 线宽： [p0074] “所制造的光刻胶线形图案…底部宽度250nm，顶部宽度低于100nm。” [p0083] “线宽70nm”。 去除光刻胶： [p0048] “然后从固化的一个或多个预选区域移除固化光刻胶材料，使得下面的导电材料形成导电微米或纳米级光栅结构。” | 对比文件公开了最终导电网格线宽在100-900nm范围内，也公开了去除光刻胶以形成网格。但是，对比文件仅涉及去除单层光刻胶（第一层），而该技术特征要求同时去除“第一和第二”光刻胶图案层。由于对比文件未公开形成第二图案层，因此无法结合得到去除两层的步骤。线宽范围虽被公开，但完整的特征未被公开。因此，技术特征H未直接或隐含公开。 |
| **技术特征I：该方法还包括，在步骤d)之后，在其上形成有所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第三正型光敏材料层** 《未公开》 | 对比文件未记载在两层图案基础上再形成第三正型光敏材料层的任何内容。 | 目标专利通过增加第三层以形成路由器等附加图案。对比文件没有涉及三层涂覆的教导或暗示。因此，技术特征I未被公开。 |
| **技术特征J：在所述导电层上形成第三正型光敏材料图案层** 《未公开》 | 对比文件未记载第三光敏材料图案层的形成步骤。 | 与特征I对应，由于对比文件没有第三层涂覆，自然没有第三图案层的形成。技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K：其中，所述透明光掩模的线形图案的线宽是2μm以上500μm以下** 《未公开》 | [p0074] “通过该技术产生的线宽图案约为880 nm。” [p0069] “偏振器周期小于约1 μm。” 对比文件未明确限定透明光掩模的线形图案本身的线宽范围。 | 目标专利透明光掩模（如相位差软掩模）的线形图案线宽为2-500μm。对比文件公开的掩模图案线宽（如880nm）低于2μm，且未提及2μm以上的线宽。尽管对比文件中相位掩模的凸起线宽可能较大，但未给出具体范围，本领域技术人员无法直接确定其适用该范围。因此，技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L：其中，所述导电层包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属或其中两种以上金属的合金** 《直接公开》 | [p0051] “设置在基底上的高导电材料可选自石墨烯、铝（Al）、金（Au）、铜（Cu）、银（Ag）、它们的组合及合金。” | 对比文件明确列举了Al、Au、Cu、Ag等金属及其合金，与目标专利所列金属大部分重合。本领域技术人员可直接确认导电层可采用这些金属。因此，技术特征L被直接公开。 |
| **技术特征M：其中，所述导电层包括透明金属氧化物** 《未公开》 | 对比文件未记载导电层包含透明金属氧化物。全文主要使用金属层（如Al、Cu），并提及ITO作为对比对象，但导电层本身并非透明金属氧化物。 | 目标专利导电层可以是透明金属氧化物。对比文件未给出导电层包括透明金属氧化物的技术方案，也未给出任何教导或暗示。因此，技术特征M未被公开。 |
| **技术特征N：其中，所述导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种** 《未公开》 | 对比文件未记载上述任何透明金属氧化物作为导电层。 | 对比文件未公开导电层使用所列具体透明氧化物材料。因此，技术特征N未被公开。 |
| **技术特征O：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或其共聚物中的至少一种** 《直接公开》 | [p0077] “更刚性的层，例如包含聚氨酯丙烯酸酯（PUA，MINS-311RM，Minuta Tech.）的聚合物模具层用于形成相位掩模图案表面。” [p0077] “低弹性模量的弹性体材料层，如聚二甲基硅氧烷（PDMS），可包裹作为缓冲层。” | 对比文件直接公开了透明光掩模使用PDMS（作为缓冲层）和PUA（作为刚性图案层）。目标专利的透明光掩模材料包括PDMS和PUA等，对比文件的材料落在该范围内。因此，技术特征O被直接公开。 |
| **技术特征P：其中，所述导电层的厚度是5nm以上10μm以下** 《直接公开》 | [p0083] “高度（h）约为40 nm。” [p0089] “目标蚀刻厚度为40 nm、60 nm、80 nm。” | 对比文件实施例中导电层（Al）厚度为40-80nm，属于5nm-10μm的范围。该特征在对比文件中被具体实现。因此，技术特征P被直接公开。 |
| **技术特征Q：其中，所述第一正型光敏材料层和所述第二正型光敏材料层的厚度分别是0.01μm以上10μm以下** 《未公开》 | [p0076] “以4000 rpm旋涂约30秒。” [p0049] “任何常规光敏材料…如正型光刻胶。” 对比文件未明确限定厚度范围。 | 目标专利要求第一和第二光敏材料层厚度均在0.01-10μm。对比文件仅涉及单层光刻胶，且未明确给出厚度数值，本领域技术人员无法直接确定其厚度一定落到该范围（尽管通常可能，但缺乏教导）。由于未公开第二层，且厚度范围未明确，技术特征Q未被公开。 |
| **技术特征R：其中，所述步骤b-1)和d)分别包括在使所述透明光掩模与所述第一正型光敏材料层或所述第二正型光敏材料层的上表面接触之后，将强度为10mJ/cm²以上200mJ/cm²以下的紫外线照射至该透明光掩模上** 《直接公开》 | [p0076] “光源强度通过控制器调节在0至约200 mJ/cm²范围内。” [p0089] “曝光强度范围为25至45 mJ/cm²。” | 对比文件公开了UV强度范围0-200 mJ/cm²，该范围包含了10-200 mJ/cm²。对比文件在实施例中使用了25-45 mJ/cm²，明确落在目标专利要求的范围内。因此，技术特征R被直接公开。 |
| **技术特征S：其中，在步骤a)中，形成所述导电层的方法包括热沉积、溅镀、电子束沉积、层压加工法或溶液涂覆法** 《直接公开》 | [p0051] “金属沉积到基底上可通过物理气相沉积（PVD）、化学气相沉积（CVD）、真空金属化、蒸发或溅射以及其它常规技术进行。” [p0051] “溅射”被明确提及。 | 对比文件公开了溅射（sputtering）、蒸发（evaporation）等沉积方法，这些属于目标专利所列方法。本领域技术人员可直接获知导电层可由这些方法形成。因此，技术特征S被直接公开。 |
根据上述比对，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、L、O、P、R、S，未发现任何技术特征被隐含公开。
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