对比文件名称：JP5343991B2 Packaging material for polymer battery
目标专利名称：形成导电网格图案的方法及由其制造的网格电极和层叠体 CN105980935B
本次调用的模型名称：未提供
以下为特征比对表格：
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：a)在包括导电层的基板的导电层上形成第一正型光敏材料层（未公开） | 对比文件未记载形成任何光敏材料层，也未记载在导电层上形成光敏材料层的步骤。对比文件涉及聚合物电池包装材料，其层叠结构包括基材层、粘合层、化学处理层、铝箔、酸改性PP层、最内层，不涉及光敏材料。 | 目标专利中该特征是在导电层上形成第一正型光敏材料层，用于后续光刻形成图案。对比文件完全不涉及光敏材料或光刻工艺，其层叠结构中没有光敏材料层，也没有形成光敏材料层的步骤。因此，本领域技术人员无法从对比文件得出该技术特征。 |
| 技术特征B：b-1)在使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一正型光敏材料层的上表面接触之后，将紫外线照射至所述透明光掩模上（未公开） | 对比文件未记载任何透明光掩模、线形图案、紫外线照射或接触步骤。对比文件涉及层压、涂布、热处理等工艺，不涉及光掩模曝光。 | 目标专利中该特征是利用透明光掩模进行接触曝光，通过相移光刻形成线形图案。对比文件没有任何关于光掩模、曝光、相移光刻的内容，其工艺完全不同。因此，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征C：b-2)去除所述透明光掩模，使用显影剂使所述第一正型光敏材料层显影，并形成第一正型光敏材料图案层（未公开） | 对比文件未记载去除掩模、显影或形成光敏材料图案层。对比文件涉及涂布后干燥、固化，但不涉及显影。 | 目标专利中该特征通过显影形成光敏材料图案层。对比文件没有光敏材料，也没有显影步骤，其工艺中只有涂布、干燥、固化等。因此，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征D：b-3)固化所形成的第一正型光敏材料图案层（未公开） | 对比文件记载了热处理（如酸改性PP层在170-200℃下固化），但该固化针对的是酸改性PP层，并非光敏材料图案层。对比文件未涉及光敏材料图案层的固化。 | 目标专利中固化的对象是光敏材料图案层，以使其硬化，便于后续工艺。对比文件虽涉及热处理，但对象不同，且没有光敏材料图案层。因此，本领域技术人员无法从对比文件获得该特征。 |
| 技术特征E：c)在具有所述第一正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第二正型光敏材料层（未公开） | 对比文件未记载形成第二光敏材料层。对比文件仅涉及单层涂布或层压，没有多次涂布光敏材料。 | 目标专利中该特征是在已有第一光敏材料图案层上再涂布第二光敏材料层，用于形成交叉图案。对比文件没有任何多层光敏材料或交叉图案的教导。因此，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征F：d)使所述刻有线形图案的透明光掩模与所述第二正型光敏材料层的上表面接触，使得所述第一正型光敏材料图案层的线形图案与该透明光掩模的线形图案交叉而在所述导电层上形成第二正型光敏材料图案层（未公开） | 对比文件未记载任何光掩模、线形图案交叉或第二光敏材料图案层。对比文件涉及层压铝箔等，不涉及图案化。 | 目标专利中该特征通过第二次曝光使线形图案交叉，形成网格状光敏材料图案。对比文件完全没有图案化概念，也没有交叉图案的教导。因此，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征G：e)蚀刻所述导电层上未形成所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的部分（未公开） | 对比文件未记载蚀刻导电层。对比文件涉及化学处理（如化成处理），但该处理是形成保护层，而非蚀刻。 | 目标专利中该特征利用光敏材料图案作为掩模蚀刻导电层，形成导电网格。对比文件没有蚀刻步骤，其导电层（铝箔）是连续层，不进行图案化蚀刻。因此，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征H：f)去除所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层以制造导电网格图案，其中，所述导电网格图案的线宽是100nm以上900nm以下（未公开） | 对比文件未记载去除光敏材料层，也未公开任何导电网格图案。对比文件中的铝箔为连续层，无网格结构。 | 目标专利中该特征通过去除光敏材料得到超细线宽导电网格。对比文件没有光敏材料去除步骤，也没有网格图案，其线宽目标（100nm-900nm）远小于对比文件中的铝箔厚度（20-80μm）。因此，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征I：该方法还包括，在步骤d)之后，在其上形成有所述第一正型光敏材料图案层和所述第二正型光敏材料图案层的所述导电层上形成第三正型光敏材料层（未公开） | 对比文件未记载形成第三光敏材料层。对比文件仅涉及有限层数的涂层，没有多次光敏材料涂布。 | 目标专利中该特征在已有两层光敏材料图案上再形成第三光敏材料层，用于进一步图案化（如路由器图案）。对比文件无此工艺。因此，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征J：在所述导电层上形成第三正型光敏材料图案层（未公开） | 对比文件未记载形成第三光敏材料图案层。对比文件涉及图案化层（如涂层），但并非通过光刻形成。 | 目标专利中该特征通过光刻或其他方式形成第三图案层。对比文件没有任何图案化光敏材料层的教导，其层叠结构中的层均为连续层。因此，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征K：其中，所述透明光掩模的线形图案的线宽是2μm以上500μm以下（未公开） | 对比文件未记载任何透明光掩模及其线宽参数。对比文件仅涉及包装材料结构，不涉及光掩模制造。 | 目标专利中该特征限定了透明光掩模线宽范围，用于形成次微米线宽图案。对比文件完全没有光掩模概念，因此不可能公开该参数。 |
| 技术特征L：其中，所述导电层包含银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、金(Au)、镍(Ni)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)、铬(Cr)和铂(Pt)中的至少一种金属或其中两种以上金属的合金（隐含公开） | 对比文件在[2]段落（关于屏障层）中记载：“作为屏障层，优选为20-80μm的铝。” 此外，也提到“镍、不锈钢”等金属作为屏障层材料，但主要优选铝。 | 对比文件中的铝层是作为屏障层，但其材质为铝，属于导电金属。目标专利中导电层包含铝，虽然对比文件中的铝层作用为防湿而非用于形成导电网格图案，但铝本身是导电层材料之一，且对比文件明确公开了铝的使用。因此，本领域技术人员从对比文件可以合理推断铝可作为导电层材料，从而隐含公开了导电层包含铝这一特征。但其他金属（除铝外）对比文件未直接公开，且铝在对比文件中的作用与目标专利不同，故仅构成隐含公开。 |
| 技术特征M：其中，所述导电层包括透明金属氧化物（未公开） | 对比文件未记载任何透明金属氧化物。对比文件中的屏障层为金属（铝、镍）或无机化合物（氧化硅、氧化铝），但氧化铝等不透明，且不作为导电层。 | 目标专利中透明金属氧化物如ITO等用于导电层。对比文件未提及此类材料，也没有任何透明导电层。因此，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征N：其中，所述导电层包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铝锌-银-氧化铝锌(AZO-Ag-AZO)、氧化铟锌-银-氧化铟锌(IZO-Ag-IZO)、氧化铟锡-银-氧化铟锡(ITO-Ag-ITO)、和氧化铟锌锡-银-氧化铟锌锡(IZTO-Ag-IZTO)中的至少一种（未公开） | 对比文件未记载任何上述透明导电氧化物。对比文件涉及金属屏障层和聚合物层，不涉及透明导电氧化物。 | 目标专利中该特征具体列举了透明导电氧化物材料。对比文件完全没有相关内容。因此，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征O：其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或其共聚物中的至少一种（未公开） | 对比文件未记载任何透明光掩模材料。对比文件涉及基材层（聚酯、尼龙等）和粘合层，但不涉及光掩模。 | 目标专利中该特征限定了透明光掩模的柔性材料。对比文件不涉及光掩模，因此不可能公开这些材料。 |
| 技术特征P：其中，所述导电层的厚度是5nm以上10μm以下（未公开） | 对比文件记载屏障层铝的厚度优选20-80μm，远大于10μm。对比文件未公开5nm-10μm范围的导电层厚度。 | 目标专利中导电层厚度为纳米至微米级，用于形成超细网格。对比文件中的铝箔厚度在20μm以上，不在该范围，且作用不同。因此，对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征Q：其中，所述第一正型光敏材料层和所述第二正型光敏材料层的厚度分别是0.01μm以上10μm以下（未公开） | 对比文件未记载任何光敏材料层厚度。对比文件涉及酸改性PP层涂布量，但无光敏材料。 | 目标专利中该特征限定了光敏材料层厚度。对比文件没有光敏材料，因此不可能公开该厚度范围。 |
| 技术特征R：其中，所述步骤b-1)和d)分别包括在使所述透明光掩模与所述第一正型光敏材料层或所述第二正型光敏材料层的上表面接触之后，将强度为10mJ/cm²以上200mJ/cm²以下的紫外线照射至该透明光掩模上（未公开） | 对比文件未记载任何紫外曝光强度。对比文件涉及热处理温度，但不涉及紫外曝光。 | 目标专利中该特征限定了曝光强度。对比文件无曝光工艺，因此不可能公开该参数。 |
| 技术特征S：其中，在步骤a)中，形成所述导电层的方法包括热沉积、溅镀、电子束沉积、层压加工法或溶液涂覆法（未公开） | 对比文件未记载形成导电层的方法。对比文件中的铝箔是通过轧制等现有方法制造，但未提及热沉积、溅镀等。对比文件在层压过程中使用了热层压，但该层压是针对最内层，而非形成导电层。 | 目标专利中该特征限定了导电层形成方法。对比文件中的铝箔是作为屏障层预制的，其制造方法未公开，且与目标专利的方法不同（如铝箔通常为轧制，而非热沉积等）。因此，对比文件未公开该特征。 |
根据上述比对，技术特征L被对比文件隐含公开，其他技术特征均未被直接或隐含公开。
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