**对比文件名称**：2007-12-27_US2007295952A_发明申请_US20070295952A1 Light Emitting Diode having vertical topology and method of making the same
**目标专利名称**：1672发光器件CN103855180B
**调用的模型名称**：GPT-4（根据用户指示，此处应注明模型名称，但实际为自定义模型，故以“自定义资深专利代理师模型”代称）
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## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：电流阻挡层设置在所述第一发光单元的所述下半导体层与所述导电互连层之间、所述衬底与所述导电互连层之间、以及所述第二发光单元的所述发光结构与所述导电互连层之间<br><br>**未公开** | 对比文件[0083]-[0087]、[0099]-[0100]等描述钝化层（passivation layers）510形成在沟槽区域，覆盖第一电极一部分和半导体层侧面，以及连接金属层420形成在钝化层和第一电极上。具体如[0087]：“The passivation layer 510 may be formed to cover at least a portion of the first electrode 410 and at least one surface of the semiconductor layers 200.”（钝化层510可形成为覆盖第一电极410的至少一部分和半导体层200的至少一个表面。）[0099]：“At least one connection metal layer 420 may be formed that covers a portion or an entire portion of the first electrode 410 and the passivation layer 510.”（至少一个连接金属层420可形成覆盖第一电极410的一部分或全部以及钝化层510。） | 对比文件的钝化层510仅位于沟槽区域，并未延伸至第一电极与上半导体层之间（即未设置在第二发光单元的上电极与上半导体层之间）。其作用为保护芯片、缓解应力及辅助芯片分离，而非目标专利中用于阻挡电流并同时作为钝化层的电流阻挡层。对比文件中没有公开或隐含如下结构：电流阻挡层从第二发光单元的上电极与上半导体层之间延伸到第一发光单元的下半导体层与导电互连层之间、衬底与导电互连层之间以及发光结构与导电互连层之间。目标专利的电流阻挡层同时具有电流扩散阻挡和钝化功能，位置特定且连续。对比文件无法毫无疑义地得出该技术特征，也不能合理推断得到。故未公开。 |
| **技术特征B**：所述上电极还包括设置在所述第一粘附层与所述第一接合层之间的第一屏障层<br><br>**《直接公开》** | 对比文件[0089]：“the reflective electrode 412 may comprise of plural layers. That is, the reflective electrode 412 may comprise of a first metal layer (not shown), a diffusion barrier layer disposed on the first metal layer, and a second metal layer disposed on the diffusion barrier layer.”（反射电极412可包括多个层。即，反射电极412可包括第一金属层（未示出）、设置在第一金属层上的扩散阻挡层、以及设置在扩散阻挡层上的第二金属层。） | 对比文件中反射电极412构成第一电极410的一部分，而第一电极410形成在第二导电半导体层（p型层）上，相当于目标专利的上电极。该反射电极412明确具有扩散阻挡层（相当于屏障层）设置在第一金属层（相当于第一粘附层）与第二金属层（相当于第一接合层）之间。该屏障层的作用为防止金属互扩散，与目标专利中屏障层的作用相同。因此，本领域技术人员可直接地、毫无疑义地确定对比文件公开了上电极包括设置在第一粘附层与第一接合层之间的第一屏障层。 |
| **技术特征C**：所述下电极还包括设置在所述第二粘附层与所述第二接合层之间的第二屏障层<br><br>**未公开** | 对比文件[0183]提及第二电极的形成：“second electrodes 830 may be formed of electrode materials”（第二电极830可由电极材料形成），但未描述其具体层结构。其他部分未见对第二电极多层结构的公开或隐含。 | 对比文件仅对第一电极（p型侧）详细描述了多层结构，而对于第二电极（n型侧）仅提及电极材料，并未公开任何粘附层、接合层或屏障层的设置。即便考虑最宽松的隐含标准，本领域技术人员也无法从对比文件中合理推断出第二电极包含设置在第二粘附层与第二接合层之间的第二屏障层。对比文件中没有给出任何教导或暗示使n型电极必须包括此类屏障层，且典型n型电极常为单层结构。故未公开。 |
| **技术特征D**：所述导电互连层还包括设置在所述第三粘附层与所述第三接合层之间的第三屏障层<br><br>**未公开** | 对比文件[0188]-[0189]描述了反射连接金属层440可包含多层：“the reflective connection metal layers 440 may comprise of plural layers. That is, the reflective connection metal layer 440 may comprise of a first metal layer ... A diffusion barrier layer may be disposed on the upper part of the first metal layer, and a second metal layer may be disposed on the upper part of the diffusion barrier layer.”（反射连接金属层440可包括多个层。即，反射连接金属层440可包括第一金属层……扩散阻挡层可设置在第一金属层上部，第二金属层可设置在扩散阻挡层上部。） | 对比文件中的反射连接金属层440形成在钝化层和半导体芯片区域上，主要用于反射光和作为种子层以形成支撑层，并非用于将不同发光单元的下电极与上电极串联连接。目标专利的导电互连层是专门用于相邻发光单元电连接（如第一发光单元的下电极与第二发光单元的上电极）的独立层，且其结构包括第三粘附层、第三接合层及可选的第三屏障层。对比文件未公开任何具有类似“导电互连层”功能并包含屏障层的结构。此外，连接金属层420也未提及屏障层。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开技术特征D。 |
| **技术特征E**：所述导电互连层、所述上电极、所述导电层和所述电流阻挡层在垂直方向上彼此交叠<br><br>**未公开** | 对比文件[0072]-[0100]描述了层状结构：第一电极（含透明电极411和反射电极412）形成在半导体层上，钝化层510形成在沟槽区域，连接金属层420形成在第一电极和钝化层上。实例如[0074]：“the transparent electrode 411 may be formed with a transparent conductive oxide (TCO)”，[0079]：“the reflective electrode 412 may be formed on the transparent electrode 411”，[0099]：“at least one connection metal layer 420 may be formed that covers a portion or an entire portion of the first electrode 410 and the passivation layer 510”。 | 对比文件中缺少目标专利的电流阻挡层（或等效层），且导电层（透明电极411）是作为第一电极的一部分直接形成在半导体层上，并非设置在上电极与电流阻挡层之间并延伸到上半导体层上的独立层。尽管一些层在垂直方向上有堆叠，但并非同时存在导电互连层、上电极、导电层和电流阻挡层四者的交叠关系。目标专利强调这些特定层在垂直方向彼此交叠以实现紧凑结构和电连接。对比文件无法使本领域技术人员毫无疑义地或合理推理地得出该技术特征。故未公开。 |
| **技术特征F**：所述第二发光单元的所述上半导体层具有面对所述第二发光单元的所述上电极的顶表面<br><br>**《直接公开》** | 对比文件[0056]：“The semiconductor layers 200 have a structure including a first conductive semiconductor layer 210, an active layer 220 and a second conductive semiconductor layer 230, which may be sequentially formed on the substrate 100.”（半导体层200具有包括第一导电半导体层210、有源层220和第二导电半导体层230的结构。）[0072]：“next, as shown in FIG. 4, first electrodes 410 may be formed on the upper parts of the semiconductor layers 200 separated from each other by the formation of the trenches 300.”（接下来，第一电极410可形成在通过沟槽300彼此分离的半导体层200的上部上。） | 对比文件中第二导电半导体层230即为上半导体层，其顶表面朝上，第一电极410直接形成在该上半导体层的上部，因此上半导体层的顶表面面对上电极。这是任何垂直结构LED的基本配置，本领域技术人员可毫无疑义地确定第二发光单元的上半导体层具有面对第二发光单元的上电极的顶表面。故直接公开。 |
| **技术特征G**：电流阻挡层设置在所述上电极的下表面与所述上半导体层的所述顶表面之间<br><br>**未公开** | 对比文件[0072]第一电极410直接形成在半导体层上部，无中间绝缘层。钝化层510仅形成在沟槽区域，未延伸至上电极与上半导体层之间。 | 对比文件中第一电极与上半导体层之间没有电流阻挡层或任何绝缘层，两者直接接触（通过透明电极形成欧姆接触）。对比文件的钝化层位于沟槽区域，不插入上电极与上半导体层之间。对比文件既未直接教导也不存在任何合理的推理使得本领域技术人员认为存在这样的电流阻挡层设置。目标专利的电流阻挡层是用于扩散载流子、提高发光强度的关键特征。对比文件完全缺失此结构。故未公开。 |
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## 公开性代码
根据直接公开和隐含公开的判断结果，对比文件直接公开了技术特征B和技术特征F，未直接公开或隐含公开其他技术特征。因此，在回答结尾插入对应的大写英文代码：
<<<B>>><<<F>>>