本次调用的模型名称为DeepSeek-R1。
对比文件：2010-07-01_US2010163887A_发明申请_US20100163887A1 LIGHT EMITTING DEVICE HAVING A PLURALITY OF NON-POLAR LIGHT EMITTING CELLS AND A METHOD OF FABRICATING THE SAME
目标专利：1672发光器件CN103855180B
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：其中所述电流阻挡层设置在所述第一发光单元的所述下半导体层与所述导电互连层之间、所述衬底与所述导电互连层之间、以及所述第二发光单元的所述发光结构与所述导电互连层之间<br>【未公开】 | 对比文件[0034]：“绝缘层31可以设置为填充凹槽21a。绝缘层31填充在发光单元30之间的区域，使得绝缘层31的顶表面略低于第一导电类型半导体层25的上表面。”<br>[0057]：“绝缘层91可以填充凹槽区域。绝缘层91填充在发光单元90之间的区域。发光单元90的上表面被暴露。”<br>[0058]：“电极E可以形成在暴露的第二导电类型半导体层29上。”<br>对比文件中导电互连层（导线39、键合金属77等）通过开口直接接触半导体层或形成在层间绝缘层上，未设置与绝缘层类似的结构在指定位置之间。 | 对比文件中的绝缘层（31/71/91）仅填充在发光单元之间的分离区域，未如目标专利的电流阻挡层那样从第二发光单元的上电极与上半导体层之间连续延伸至相邻发光单元与导电互连层之间。目标专利的电流阻挡层同时起电流扩散和钝化作用，且设置在上电极下方；对比文件的电极直接形成在半导体层上，中间无绝缘层。导电互连层（如导线）与第一发光单元的下半导体层之间无绝缘层介入，而是通过开口直接接触。因此对比文件未公开技术特征A。 |
| 技术特征B：其中所述上电极还包括设置在所述第一粘附层与所述第一接合层之间的第一屏障层<br>【未公开】 | 对比文件[0058]：“每个电极E可以包括形成在第二导电类型半导体层29上的反射层93和用于覆盖反射层93的保护金属层95。”<br>[0036]：“保护金属层37可以形成为单层或多层结构，例如由镍（Ni）、钛（Ti）、钽（Ta）、铂（Pt）、钨（W）、铬（Cr）或钯（Pd）形成。” | 对比文件的上电极（电极E或保护金属层/反射层组合）仅包含反射层和保护金属层，未公开目标专利中由粘附层、屏障层、接合层构成的三层结构。保护金属层虽可起屏障作用，但对比文件未描述粘附层（用于欧姆接触）和接合层（如Au层），也未提及在粘附层与接合层之间设置屏障层。因此未公开技术特征B。 |
| 技术特征C：其中所述下电极还包括设置在所述第二粘附层与所述第二接合层之间的第二屏障层<br>【未公开】 | 对比文件[0048]：“第一导电类型半导体层25上的开口可以用金属材料75a填充。”<br>[0049]：“可以形成键合金属77以将一个发光单元30的第一导电类型半导体层25电连接到相邻发光单元30的第二导电类型半导体层29。”<br>对比文件未对下电极的层结构进行详细描述。 | 对比文件的下电极（接触第一导电类型半导体层25的金属材料或键合金属）通常为单层金属或直接由导线接触，未公开目标专利中由粘附层、屏障层和接合层构成的层叠结构。因此未公开技术特征C。 |
| 技术特征D：其中所述导电互连层还包括设置在所述第三粘附层与所述第三接合层之间的第三屏障层<br>【未公开】 | 对比文件[0049]：“可以形成键合金属77以电连接……。”<br>[0037]：“可以形成导线39以电连接发光单元30。导线39可以连接保护金属层37和第一导电类型半导体层25。”<br>对比文件未描述导电互连层的多层结构。 | 对比文件的导电互连层（导线、键合金属）被描述为单层或简单金属层，无粘附层、屏障层、接合层的概念。目标专利的导电互连层具有特定的三层结构以改善粘附和防止扩散，对比文件未公开。因此未公开技术特征D。 |
| 技术特征E：其中所述导电互连层、所述上电极、所述导电层和所述电流阻挡层在垂直方向上彼此交叠<br>【未公开】 | 对比文件[0058]描述电极E包括反射层93和保护金属层95。<br>[0057]描述绝缘层91填充凹槽，发光单元上表面暴露。<br>[0064]描述导线113形成以连接发光单元。<br>对比文件未设置透明导电层（如ITO）和位于上电极下方的电流阻挡层。 | 目标专利中，在第二发光单元区域，垂直方向从上到下依次：上电极、电流阻挡层、导电层、上半导体层，这些层垂直交叠。对比文件的上电极直接接触上半导体层，无导电层和电流阻挡层，因此不存在所述的垂直交叠结构。对比文件未公开技术特征E。 |
| 技术特征F：其中所述第二发光单元的所述上半导体层具有面对所述第二发光单元的所述上电极的顶表面<br>【直接公开】 | 对比文件[0032]：“每个发光单元30可以包括第一导电类型半导体层25、位于第一导电类型半导体层25的一个区域上的第二导电类型半导体层29、以及介于第一导电类型半导体层25与第二导电类型半导体层29之间的有源层27。”<br>[0058]：“电极E可以形成在暴露的第二导电类型半导体层29上。” | 对比文件明确公开了第二导电类型半导体层29（即上半导体层）的上表面（顶表面）上形成电极E，因此上半导体层的顶表面直接面对上电极。本领域技术人员从对比文件可以毫无疑义地得出该结构，与技术特征F一致，故直接公开。 |
| 技术特征G：其中所述电流阻挡层设置在所述上电极的下表面与所述上半导体层的所述顶表面之间<br>【未公开】 | 对比文件[0058]：“电极E形成在暴露的第二导电类型半导体层29上。”<br>[0057]：“绝缘层91填充凹槽区域，发光单元90的上表面被暴露。” | 对比文件中电极E直接形成在第二导电类型半导体层29（上半导体层）上，两者之间无任何绝缘层或电流阻挡层。虽然有绝缘层填充在单元之间，但并未延伸到电极与半导体之间。目标专利的电流阻挡层设置在上电极下表面与上半导体层顶表面之间以扩散电流，对比文件未公开该特征。 |
基于上述比对，对比文件仅直接公开了技术特征F，其他技术特征（A、B、C、D、E、G）均未直接公开或隐含公开。
<<<F>>>