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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
2026-07-03 01:19
2007-08-14_KR1020070081004A_发明公开_KR20070081004A MICRO-SLOT FOR INTERACTION CHAMBER AND HIGH PRESSURE MILLING APPARATUS THEREWITH_+++C_D_K_a_l+++.docx
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2008-09-11_DE102007011205A_发明专利_DE102007011205A1 High pressure homogenizer producing fine dispersion with narrow size distribution, includes bluff body agitation between constriction and flow stabiliz_+++a_b_c_l+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-30_JP2014118315A_发明专利_JP2014118315A Flaky graphite production device, and method for producing the same_+++B_H_L_M_a_f+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx
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2015-01-07_JP5649979B_发明专利_JP5649979B2 黒鉛のナノプレートレットおよび組成物_+++A_F_H_L+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
2026-07-03 01:19
2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx

**对比文件的名称:** 2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치

**目标专利的名称:** 1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921440B

**本次调用的模型名称:** GPT-4

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### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(翻译成中文)公开性论述
**技术特征A:** 所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中。 **《直接公开》**对比文件[0021]:“高压分散装置(100)包括原料投入口(2)、加压部(4)、分散腔室(6)、排出口(8)以及连接它们的输送管道(1)。” [0025]:“原料投入口是原料投入的地方,可形成为料斗形式或其他形式。”对比文件明确公开了原料投入口(2)作为入口,原料通过该投入口投入,与特征A的入口结构和功能实质相同,因此直接公开。
**技术特征B:** 高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力。 **《隐含公开》**对比文件[0026]:“加压部(4)通过原料投入口(2)投入的原料以高压加压。即,在输送管道内部,原料向排出口(8)方向提供压力。为此,加压部(4)可包括压力泵等。”对比文件公开了加压部(压力泵)提供高压压力。虽然未明确记载加压部位于入口前端,但本领域技术人员根据高压分散装置的常规设计,容易想到可以将加压部设置在入口前端以实现推送物料的功能;该改变属于显而易见的布置调整,因此对比文件隐含公开了高压泵位于入口前端并产生压力的技术方案。
**技术特征C:** 微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化。 **《直接公开》**对比文件[0044]:“微槽是原料进入并在内壁通过剪切力分散的地方。” [0056]:“进入微槽的原料以比通孔更快的速度移动,在微槽内壁受到剪切力上升,从而混合和分散。”对比文件公开了微槽(即微通道),原料通过高压进入微槽,受到剪切力分散(均质化),且微槽位于入口后端(分散腔室内),因此直接公开。
**技术特征D:** 出口,位于所述微通道的后端。 **《直接公开》**对比文件[0028]:“排出口(8)经由分散腔室(6),排出已混合和分散完成的原料。”对比文件公开了排出口(即出口),位于分散腔室(容纳微通道)的后端,排出分散后物料,功能相同,直接公开。
**技术特征E:** 其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10⁻⁵)x-(4.2×10⁻⁵)。 **《未公开》**对比文件中无相关记载。对比文件未涉及微通道后端与出口壁面的距离、速度以及二者之间的任何关系式,没有公开或暗示相关性内容。
**技术特征F:** 所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口。 **《未公开》**对比文件[0023]:“陶瓷浆料是用于MLCC的原料混合物,通常可由BaTiO₃、MgO、MnO₃、V₂O₅、Cr₂O₃、Y₂O₃、稀土元素、玻璃料等混合形成。” [0071]:“本发明不限于此,也可以对液体、气体等各种原料进行分散。”未提及石墨。对比文件虽公开了将原料供应到入口的步骤,但未涉及石墨或石墨溶液,因此未公开特征F限定的具体原料。
**技术特征G:** 2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道。 **《未公开》**对比文件[0026]公开了加压部施加高压使原料通过分散腔室;[0053]-[0056]描述了原料通过微槽的过程。但原料不包含石墨。对比文件未公开使用石墨溶液,因此未公开特征G。
**技术特征H:** 3)从所述出口回收石墨烯分散体。 **《未公开》**对比文件[0028]公开了排出口排出分散完成的原料。对比文件未涉及石墨烯分散体,不公开。
**技术特征I:** 其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m。 **《未公开》**对比文件中无相关公开。对比文件没有给出任何关于微通道后端与出口壁面之间的距离数值或范围。
**技术特征J:** 其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s。 **《未公开》**对比文件中无相关公开。对比文件没有给出微通道后端片材的速度数值范围。
**技术特征K:** 其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面。 **《未公开》**对比文件[0035]:“壳体(20)形成为圆柱形。在其两端分别形成原料流入的入口和原料排出的出口。”由图3可知,微槽通过路径单元通孔连接到壳体端部的出口。对比文件虽壳体圆柱形,但出口(排出口)位于壳体端部,微通道后端通过轴向连接至端部出口,未公开侧面连接结构。
**技术特征L:** 其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线。 **《直接公开》**对比文件[0021]:“高压分散装置(100)包括原料投入口(2)、加压部(4)、分散腔室(6)、排出口(8)以及连接它们的输送管道(1)。”对比文件公开了连接原料投入口与其他部件的输送管道,该输送管道构成供应线,用于将原料供应到原料投入口(入口),功能相同,直接公开。
**技术特征M:** 其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴。 **《未公开》**对比文件[0026]提到高压,但未给出具体压力数值范围。对比文件未公开压力数值或范围,无法直接或隐含得出。

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