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对比文件列表
2003-10-14_JP2003290646A_发明专利_JP2003290646A Micelle dispersion production method and micelle dispersion obtained thereby_+++A_B_C_D_L_M+++.docx
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2007-08-14_KR1020070081004A_发明公开_KR20070081004A MICRO-SLOT FOR INTERACTION CHAMBER AND HIGH PRESSURE MILLING APPARATUS THEREWITH_+++C_D_K_a_l+++.docx
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2008-09-11_DE102007011205A_发明专利_DE102007011205A1 High pressure homogenizer producing fine dispersion with narrow size distribution, includes bluff body agitation between constriction and flow stabiliz_+++a_b_c_l+++.docx
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2010-06-17_US2010147188A_发明申请_US20100147188A1 Graphite nanoplatelets and compositions_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2011-02-17_KR1020110016420A_发明公开_KR1020110016420A 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2011-02-17_WO2011019095A_发明申请_WO2011019095A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2011-04-08_KR1020110036721A_发明公开_KR1020110036721A 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_C_D_f_g_h_l_m+++.docx
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2011-06-22_KR101043895B_发明授权_KR101043895B1 고압력 호모게나이저용 분사 모듈_+++A_B_C_D_L+++.docx
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2011-08-04_KR101053933B_发明授权_KR101053933B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질을 제조하는데 사용되는 산화흑연의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-05-17_KR1020120049679A_发明公开_KR1020120049679A 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2012-05-23_CN102471068A_发明公开_CN102471068A 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_D_F_L_b_g+++.docx
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2012-08-09_US2012201738A_发明申请_US20120201738A1 METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2012-09-05_EP2493812A_发明公开_EP2493812A1 A METHOD OF PRODUCING NANO-SIZE GRAPHENE-BASED MATERIAL AND AN EQUIPMENT FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2012-11-15_JP2012227147A_发明专利_JP2012227147A Negative electrode active material, negative electrode and lithium battery including the negative electrode active material, and method of producing the neg_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-03-18_KR1020130027768A_发明公开_KR1020130027768A 고압 분산 장치_+++A_C_D_L_b+++.docx
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2013-05-22_KR101264316B_发明授权_KR101264316B1 전단응력을 이용한 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액의 제조방법 및 이에 의해 제조된 단일층 산화 그래핀 환원물 분산용액_+++a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2013-12-06_KR101337970B_发明授权_KR101337970B1 나노 크기의 그래핀 구조 물질의 제조방법 및 그 제조장치_+++A_B_D_F_G_L+++.docx
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2014-06-26_WO2014097234A_发明申请_WO2014097234A2 HOMOGENISING PROCESS AND APPARATUS WITH FLOW REVERSAL_+++A_B_C_D_f_g_h_l+++.docx
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2014-06-30_JP2014118315A_发明专利_JP2014118315A Flaky graphite production device, and method for producing the same_+++B_H_L_M_a_f+++.docx
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2014-09-17_CN102471068B_发明授权_CN102471068B 纳米尺寸的石墨烯类材料的制造方法及其制造设备_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2014-10-27_KR101455040B_发明授权_KR101455040B1 초고압 균질기를 이용한 연속식 금속산화물 나노입자의 제조 장치 및 이를 이용한 제조 방법_+++C_D_a_l+++.docx
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2015-01-07_JP5649979B_发明专利_JP5649979B2 黒鉛のナノプレートレットおよび組成物_+++A_F_H_L+++.docx
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2015-03-03_US8968695B_发明授权_US08968695B2 Method of producing nano-size graphene-based material and an equipment for producing the same_+++A_B_C_D_F_G_L+++.docx
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2015-03-09_KR101499530B_发明授权_KR101499530B1 초고압 균질기를 이용한 천연고분자의 저분자화 방법_+++A_C_D_l+++.docx
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2015-06-11_US2015158729A_发明申请_US20150158729A1 Method for Manufacturing Nano-Graphene Sheets_+++M_a_b_c_d_f_g_h_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099378A_发明申请_WO2015099378A1 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-02_WO2015099457A_发明申请_WO2015099457A1 그래핀의 제조 방법_+++A_C_D_F_G_H_M_b_l+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076093A_发明公开_KR1020150076093A 그래핀의 제조 방법과, 그래핀의 분산 조성물_+++A_C_D_F_H_M_b_g_l+++.docx
2026-07-03 01:19
2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx
2026-07-03 01:19
WO2011019184A2_Description_20260621_2245_+++A_B_D_F_G_L_c+++.docx
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2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법_+++A_B_C_D_F_G_H_M_l+++.docx

对比文件名称:2015-07-06_KR1020150076105A_发明公开_KR1020150076105A 그래핀의 제조 방법

目标专利名称:1673包括优化出口的片材剥离装置CN107921440B

本次调用的模型名称:当前对话模型

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:所述片材剥离装置包括:入口,片材供应到所述入口中。<br>《直接公开》[0013]:“包括入口、出口以及连接入口和出口并具有微米级直径的微通道的高压均质机”。[0067]:“通过高压均质机的入口,例如施加约100至3000巴的高压”。对比文件明确公开了高压均质机具有入口(유입부),用于将包含片材(未氧化石墨等碳系材料)的分散液供入其中。本领域技术人员可直接毫无疑义地得出目标专利的“入口”特征,且作用完全相同——用于引入待处理的片材。
技术特征B:高压泵,位于所述入口的前端,并产生用于对所述片材加压的压力。<br>《直接公开》[0019]:“在约100至3000巴的压力下”。[0067]:“通过高压均质机的入口,例如施加约100至3000巴的高压”。[0013]提及“高压均质机”。对比文件所述“高压均质机”在工业中必然包含高压泵作为产生高压的核心部件,且明确记载了施加100–3000 bar的高压。本领域技术人员知晓高压泵位于入口前端以对流体加压,因此该特征直接公开。
技术特征C:微通道,位于所述入口的后端,所述片材通过所述高压泵产生的压力穿过所述微通道,由此所述片材被均质化。<br>《直接公开》[0013]:“包括入口、出口以及连接入口和出口并具有微米级直径的微通道的高压均质机”。[0019]:“微通道具有约10至800μm的直径”。[0067]:“当原料通过微通道时,速度被加速,高剪切力被施加,从而使石墨剥离形成石墨烯”。对比文件明确公开了位于入口与出口之间、具有微米级直径的微通道,在高压下使片材(石墨)通过时受到剪切力而被均质化(剥离)。这与目标专利的微通道及其功能完全对应,属于直接公开。
技术特征D:出口,位于所述微通道的后端。<br>《直接公开》[0013]:“包括入口、出口以及连接入口和出口的微通道”。对比文件明确公开了出口(유출부)位于微通道的后端,用于排出剥离后的产物。作用和目标专利一致,直接公开。
技术特征E:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的最小距离(y,单位m)以及所述微通道的所述后端处的所述片材的速度(x,单位m/s)满足以下方程式1:[方程式1] y≥(2.7×10⁻⁵)x-(4.2×10⁻⁵)。<br>《未公开》无相关公开内容。对比文件仅涉及高压均质机的一般原理和操作,完全没有提及微通道后端与出口壁面之间的具体最小距离,更未公开该距离与流速之间的定量关系(方程式)。该特征既未被全文直接记载,也缺乏合理的隐含基础。
技术特征F:所述方法包括以下步骤:1)将包含石墨的溶液供应到所述入口。<br>《直接公开》[0013]:“形成包含未氧化石墨和分散剂的分散液”。[0040]:“形成包含未氧化石墨和分散剂的分散液的步骤”。实施例[0093]:“将分散液供入高压均质机的入口”。对比文件在多个段落以及实施例中均明确了将含有石墨的分散液(溶液)通过入口输入高压均质机,步骤和作用与目标专利完全相同,直接公开。
技术特征G:2)用高压泵对所述入口施加压力以使包含石墨的所述溶液通过所述微通道。<br>《直接公开》[0013]:“将分散液连续通过包括入口、出口和微通道的高压均质机”。[0067]:“通过高压均质机的入口,例如施加约100至3000巴的高压”。实施例[0093]:“以约1600巴的高压将分散液供入高压均质机的入口”。对比文件明确使用了高压(通过高压泵实现)使含石墨的溶液通过微通道进行剥离,直接对应于目标专利的方法步骤2,因此直接公开。
技术特征H:3)从所述出口回收石墨烯分散体。<br>《直接公开》[0069]:“从石墨烯薄片的分散液中回收并干燥石墨烯薄片的步骤”。实施例[0093]:“通过微通道后回收分散液”。对比文件公开了从出口收集剥离后的石墨烯分散体(以及后续回收、干燥步骤),与目标专利的步骤3一致,直接公开。
技术特征I:其中,所述微通道的所述后端与从所述微通道的所述后端排出的所述片材所碰撞的出口壁面之间的所述最小距离(y)为0.001m至0.050m。<br>《未公开》无相关公开内容。对比文件未提及微通道后端与出口壁面之间的任何最小距离数值,因此未公开。
技术特征J:其中,所述微通道的所述后端处的所述片材的所述速度(x)为10m/s至600m/s。<br>《未公开》对比文件[0067]提及速度可加速至超声速,但未给出具体数值范围。对比文件没有公开微通道后端片材速度的具体区间,更未将其与出口距离关联,因此未公开。
技术特征K:其中,所述出口是圆柱形的,并且所述微通道的所述后端位于圆柱形的所述出口的侧面。<br>《未公开》对比文件图1及说明书均未描述出口的具体形状及微通道的连接位置。对比文件未公开出口的几何形状(如圆柱形)以及微通道后端的相对方位,因此未公开。
技术特征L:其中,装备有用于将所述片材供应到所述入口(10)的供应线。<br>《隐含公开》[0013]:“将分散液通过高压均质机”。实施例[0093]:“将分散液供入高压均质机的入口”。对比文件虽未直接出现“供应线”一词,但本领域技术人员可以合理推断:要将分散液从储存容器输送至高压均质机的入口,供应管线(如管道、软管等)是必需的组件,这是高压均质系统的常规配置。因此,该特征被对比文件隐含公开。
技术特征M:其中,步骤2)的所述压力为100巴至3000巴。<br>《直接公开》[0019]:“在约100至3000巴的压力下”。[0067]:“例如,施加约100至3000巴的高压”。实施例[0093]:“以约1600巴的高压”。对比文件多处明确记载了施加100–3000 bar的压力,与目标专利的特征M完全一致,直接公开。

### 结论代码

<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<F>>><<<G>>><<<H>>><<<M>>><<<l>>>

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