好的，遵照您的指示，我将作为资深专利代理师进行严谨的专利创造性评估。在开始前，首先明确以下信息：
**对比文件名称：** 2011-03-17_JP2011053669A_发明专利_JP2011053669A Pattern forming process, chemically amplified positive resist material, and resist-modifying composition
**目标专利名称：** 1679透明光掩模及其制造方法及用其形成导电网格图案的方法 CN106462087B
**本次调用的模型名称：** 资深专利代理师评估模型
以下是根据您的指示进行的特征比对分析：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：** 包括：1)在基板上形成第一光敏材料层<br>**《直接公开》** | 对比文件段落[0016]中记载：“...将包含...的正型光刻胶材料涂布在基板上，形成第一光刻胶膜。” | 对比文件明确公开了在基板上形成第一光敏材料层（即第一光刻胶膜）的步骤。该步骤与目标专利相同，均是在基板上沉积一层光敏感材料，作为后续图案化的基础。因此直接公开。 |
| **技术特征I：** 其中，步骤1)中的所述基板包括配置在其一个表面上的导电层，以及步骤5)是通过蚀刻所述导电层上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分来制造导电网格图案的步骤。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件描述了在半导体基板（如硅）上形成图案，用于加工硬掩模或介电层，并未提及基板上预设有导电层（如金属层），也未涉及通过蚀刻导电层制造导电网格图案的技术内容。因此未公开。 |
| **技术特征J：** 还包括：在步骤6)之后，蚀刻所述基板上未形成所述导电网格图案的部分<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件没有公开制造导电网格图案并以其为掩模进一步蚀刻基板的步骤。其工艺流程为蚀刻被加工层后直接结束，不涉及形成导电网格图案后再用于基板蚀刻。因此未公开。 |
| **技术特征L：** 还包括：在步骤4)之后，在具有所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的所述基板上形成第三光敏材料层<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件仅涉及第一和第二光刻胶图案的两重图案化过程，没有公开形成第三光敏材料层的步骤。其方法是双重图案化（Double Patterning），而非多重图案化。因此未公开。 |
| **技术特征N：** 所述透明光掩模具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及制造透明光掩模，也未公开任何关于透明光掩模的几何参数（例如线宽、凹入网格图案）。其最终产品是基板上的图案，而非用于后续光刻的掩模。因此未公开。 |
| **技术特征O：** 其中，所述凹入网格图案的深度是50nm以上10μm以下。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开透明光掩模或其凹入网格图案的深度参数。因此未公开。 |
| **技术特征P：** 其中，所述凹入网格图案的间距是2μm以上500μm以下。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开透明光掩模或其凹入网格图案的间距参数。因此未公开。 |
| **技术特征Q：** 其中，所述透明光掩模包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)类聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚氨酯丙烯酸酯(PUA)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚乙烯醇(PVA)、环烯烃共聚物(COP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)和聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或它们的共聚物中的至少一种。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件完全不涉及透明光掩模的材料选择。其使用的掩模是标准的半导体光刻用硬掩模（如石英），而非柔性聚合物材料。因此未公开。 |
| **技术特征R：** 还包括：不透明图案层，所述不透明图案层配置在刻有所述凹入网格图案的所述透明光掩模的表面上。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未提及透明光掩模，也未公开在其上配置不透明图案层的特征。因此未公开。 |
| **技术特征S：** 其中，所述不透明图案层的图案是路由器图案。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 路由器图案是触控面板领域的特定结构，对比文件涉及半导体光刻，完全不涉及该领域或该图案。因此未公开。 |
| **技术特征T：** 其中，所述不透明图案层包括金属或碳类材料。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件没有公开不透明图案层及其材料。因此未公开。 |
| **技术特征U：** 包括：中空圆柱形基板<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件所有实施例均使用传统的平面硅晶圆作为基板，没有提及或暗示任何涉及中空圆柱形基板的卷对卷工艺。因此未公开。 |
| **技术特征B：** 2)通过使刻有线形图案的透明光掩模与所述第一光敏材料层的上表面接触形成第一光敏材料图案层<br>**《未公开》** | 对比文件段落[0017]步骤(I)记载：“...用高能量线对第一光刻胶膜进行曝光...”。段落[0033]提及使用“光掩模”，但未限定为“透明光掩模”或“接触”方式。 | 对比文件公开了通过掩模进行曝光形成图案，但其主要方式是使用投影光刻（ArF扫描仪），掩模与光刻胶层非接触。目标专利明确限定为“使刻有线形图案的透明光掩模与第一光敏材料层的上表面接触”，这是一种接触式相移光刻，其掩模材质（如PDMS）、作用原理（相位差）和接触方式均与对比文件的投影光刻不同。对比文件未公开这一特定组合。因此未公开。 |
| **技术特征K：** 去除所述导电网格图案。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未生成导电网格图案，因此无去除步骤。其去除的是光刻胶图案，而非导电材料。因此未公开。 |
| **技术特征M：** 在所述基板上形成第三光敏材料图案层。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件仅涉及第一和第二光敏材料图案层，未公开形成第三层图案。因此未公开。 |
| **技术特征V：** 配置在所述基板的外周面上的包覆层，所述包覆层具有线宽为100nm以上900nm以下的凹入网格图案<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及制造透明光掩模或用于卷对卷的包覆层。因此未公开。 |
| **技术特征C：** 3)在具有所述第一光敏材料图案层的所述基板上形成第二光敏材料层<br>**《直接公开》** | 对比文件段落[0017]步骤(III)记载：“在其上涂布第二正型光刻胶材料...”。 | 对比文件明确公开了在第一图案（第一光敏材料图案层）上形成第二光敏材料层（第二光刻胶膜）的步骤。这与目标专利的特征完全一致，均为在已形成第一图案的基板上再次涂布光敏材料。因此直接公开。 |
| **技术特征W：** 配置在所述圆柱形基板内部的紫外灯。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开任何关于中空圆柱形基板及内部紫外灯的卷对卷曝光装置。其使用标准的平板式曝光机。因此未公开。 |
| **技术特征D：** 4)使刻有所述线形图案的所述透明光掩模与所述第二光敏材料层的上表面接触，使得所述第一光敏材料图案层的线形图案与所述透明光掩模的所述线形图案交叉而在所述基板上形成第二光敏材料图案层<br>**《未公开》** | 对比文件段落[0022]记载：“如图2所示，也可以形成与第一图案正交的第二图案...组合X和Y的线条形成格子状图案”。 | 对比文件明确公开了使第二图案与第一图案交叉（正交）形成网格的概念。然而，其实现方式并非通过“使刻有线形图案的透明光掩模与第二光敏材料层上表面接触”，而是采用投影光刻。目标专利强调的接触式相位差掩模这一特定技术手段，在对比文件中完全没有记载或暗示。因此，虽然交叉图案的思想被公开，但实现该思想的具体技术特征（接触式透明光掩模）未被公开。因此整体特征未公开。 |
| **技术特征E：** 5)蚀刻所述基板上未形成所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层的部分<br>**《直接公开》** | 对比文件段落[0022]关于图1的描述：“（F）蚀刻被加工层”。结合上下文，该蚀刻步骤是在第一、第二光刻胶图案覆盖基板后，对未被覆盖的部分进行干法蚀刻。 | 对比文件公开了在形成第一和第二光刻胶图案后，将这些图案作为掩模，对基板（被加工层）的暴露部分进行蚀刻的步骤。该步骤的目的和作用与目标专利相同，都是将光敏材料图案上的图形转移到基板上。尽管对比文件中可能存在硬掩模，但最终执行的是对基板未被光刻胶（或其衍生掩模）覆盖部分的蚀刻。因此直接公开。 |
| **技术特征F：** 6)通过去除所述第一光敏材料图案层和所述第二光敏材料图案层制造具有凸出网格图案的母模<br>**《未公开》** | 对比文件段落[0022]提及“去除不活性化レジストパターン３０ａ及び第２のレジストパターン５０”。 | 对比文件在完成基板蚀刻后也会去除光刻胶，但目的是留下基板上的凹槽或凸起的硬掩模图案，用于后续半导体制造。目标专利的“母模”是一个中间产品，具有特定的凸出网格结构，用于压印复制透明光掩模。对比文件没有“母模”的概念，其去除光刻胶后得到的图案不一定为凸出网格，且无复制用途。因此未公开。 |
| **技术特征G：** 7)在所述母模上形成透明树脂层<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及制造母模，更未公开在母模上形成透明树脂层的步骤。因此未公开。 |
| **技术特征H：** 8)从所述母模上去除所述透明树脂层。<br>**《未公开》** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及母模和透明树脂层，因此未公开。 |
### 结论与代码
综上所述，根据特征比对，对比文件 **直接公开** 了目标专利权利要求的 **技术特征A、C、E**。其他技术特征均未被对比文件直接公开或隐含公开。
<<<A>>><<<C>>><<<E>>>