对比文件的名称：2003-07-25_JP2003209271A_发明专利_JP2003209271A Solar battery and its manufacturing method
目标专利的名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：ChatGPT
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译成中文） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层《直接公开》 | 【００３９】“在预先具有p型扩散层6的基板1上面，形成含有P的扩散防止膜2...该扩散防止膜2中P的含量设置为在约900℃热处理后片电阻约50Ω/□。”【００４０】“从基板上面流过含P扩散气体3，在900℃、20分钟进行杂质扩散，在扩散防止膜2下面形成约50Ω/□的第一n型扩散层4，在其开口部44形成约10Ω/□的第二n型扩散层8。” | 对比文件实施例2在p型硅基板正面通过热扩散形成了第一n型扩散层4，其片电阻为50Ω/□，属于低浓度发射层，该层具有第一电阻。因此，技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型《直接公开》 | 【００３９】“p型基板1”【００４０】“第一n型扩散层4” | 基板为p型，发射层为n型，导电类型相反，直接公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层《直接公开》 | 【００４０】“在900℃、20分钟进行杂质扩散” | 采用热扩散工艺形成第一n型扩散层，直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层《直接公开》 | 【００４０】“在其开口部44形成约10Ω/□的第二n型扩散层8” | 第二n型扩散层8的片电阻为10Ω/□，低于第一n型扩散层4的50Ω/□，形成高浓度发射层，直接公开。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分《未公开》 | 未公开 | 对比文件中的高浓度发射层（第二n型扩散层8）是均匀的，没有进一步划分为不同电阻的第一部分和第二部分。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成《未公开》 | 未公开 | 对比文件未使用激光束照射玻璃组成层形成高浓度部分，而是通过含有杂质的扩散防止膜和气相扩散形成。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成《未公开》 | 未公开 | 同上。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间《未公开》 | 未公开 | 对比文件没有公开高浓度发射层内部不同电阻区域的相对位置关系。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻《未公开》 | 未公开 | 对比文件没有公开高浓度发射层内部分为不同电阻的区域。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层《直接公开》 | 【００４２】“上記説明では、不純物拡散防止膜２はそのまま残してあるが、必要に応じて拡散防止膜２を除去し、その後に反射防止膜を形成してもよい。” | 对比文件明确公开了在形成高浓度发射层（第二n型扩散层8）后，可以选择去除扩散防止膜（一种玻璃组成层）。因此，该技术特征被直接公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层《直接公开》 | 【００３９】“形成含有P的扩散防止膜2”【００４２】“必要に応じて拡散防止膜２を除去し、その後に反射防止膜を形成してもよい。” | 扩散防止膜2本身是绝缘层（SiO2），覆盖在低浓度发射层上。或者也可以选择去除后形成反射防止膜（绝缘层）。因此，直接公开了在低浓度发射层上形成绝缘层。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极《直接公开》 | 【００４１】“在上面形成n型Ag电极7” | 在扩散防止膜（绝缘层）上形成Ag电极，直接公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层《直接公开》 | 【００４０】“在其开口部44形成约10Ω/□的第二n型扩散层8”【００４１】“在上面形成n型Ag电极7” | 电极7形成在开口部44，穿过扩散防止膜2接触第二n型扩散层8（高浓度发射层），直接公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层《直接公开》 | 【００４４】“在预先具有n型扩散层4的p型基板1下面，形成含有B的扩散防止膜2...在950℃、30分钟进行杂质扩散，在扩散防止膜2下面形成约50Ω/□的第一p型扩散层6，在其开口部44形成约5Ω/□的第二p型扩散层36。” | 对比文件在p型基板背面形成了p型扩散层作为背面场层，直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型《直接公开》 | 【００４４】p型基板，背面形成第一p型扩散层6。 | 基板为p型，背面场层为p型，导电类型相同，直接公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层《直接公开》 | 【００４４】“在950℃、30分钟进行杂质扩散” | 采用热扩散工艺形成背面场层，直接公开。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜《未公开》 | 对比文件实施例3（图6）在基板表面形成钝化膜41，但该钝化膜并非专门形成在背面场层上，且最终结构中背面场层上是否有钝化膜未明确。 | 对比文件没有明确公开在背面场层上形成钝化膜。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极《未公开》 | 未公开 | 由于没有公开在背面场层上形成钝化膜，故在钝化膜上形成第二电极也未公开。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层《未公开》 | 未公开 | 同上。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域《未公开》 | 未公开 | 对比文件没有公开高浓度发射层的内部结构，故未公开该特征。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG《直接公开》 | 【００３９】“含有P的扩散防止膜2”（含P的氧化硅膏体，烧成后为磷硅玻璃）【００４４】“含有B的扩散防止膜2”（含B的氧化硅膏体，烧成后为硼硅玻璃） | 对比文件使用的扩散防止膜材料为含P或B的氧化硅，即PSG或BSG，因此直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤《未公开》 | 未公开 | 该特征为方法步骤的过渡用语，无具体技术内容，无法判断公开性。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层《直接公开》 | 【００４１】“在上面形成n型Ag电极7”（通过印刷Ag膏体） | 通过丝网印刷在绝缘层上涂布Ag膏体（电极组成层），直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理《直接公开》 | 【００２９】“780℃で焼成” | 对比文件对Ag膏体进行780℃烧成热处理，直接公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极《未公开》 | 未公开 | 对比文件中的电极形成在开口部，直接接触高浓度层，无需烧穿工艺。因此未公开烧穿工艺。 |
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