对比文件的名称：2012-03-19_KR1020120026309A_发明公开_KR1020120026309A 태양전지 제조 방법
目标专利的名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：AI
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| A: 在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层《隐含公开》 | [0026]：“通过离子注入（IIP）在基板上层注入第二导电型杂质离子（如n型杂质磷）形成发射极区域”；[0031]：“通过离子注入额外局部注入杂质离子，在发射极区域选择性形成高浓度掺杂区域”。 | 对比文件通过离子注入形成发射极区域，该区域相对于后续额外注入的高浓度区域具有较低掺杂浓度，从而具有较高的电阻（第一电阻），本领域技术人员可合理推断出形成了低浓度发射层，故隐含公开。 |
| B: 使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型《直接公开》 | [0026]：“通过离子注入在p型基板的上层注入n型杂质（如磷）形成n型发射极区域”。 | 明确公开了发射极（n型）与基板（p型）导电类型相反，故直接公开。 |
| C: 通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层《未公开》 | [0001]：“本发明涉及太阳能电池制造方法，特别是关于在基板表面纹理化时使用干法刻蚀，在发射极区域形成时使用离子注入工艺而不是热扩散的方法”。 | 对比文件明确教导使用离子注入替代热扩散，故未公开热扩散工艺。 |
| D: 形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层《直接公开》 | [0031]：“通过离子注入额外局部注入杂质离子，在发射极区域选择性形成高浓度掺杂区域”。 | 公开了形成高浓度掺杂区域，其电阻低于基础发射极区域，故直接公开。 |
| E: 所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件仅提到高浓度掺杂区域，未进一步区分不同部分，故未公开。 |
| F: 所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件没有激光照射和玻璃组成层，故未公开。 |
| G: 所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
| H: 所述第一部分位于所述第二部分之间《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
| I: 所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
| J: 在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件没有玻璃组成层，故未公开。 |
| K: 在所述低浓度发射层上形成绝缘层《直接公开》 | [0024]：“通过CVD等在基板表面形成ARC（反射防止膜）”。 | ARC是绝缘层，公开了在发射极上形成绝缘层，故直接公开。 |
| L: 在所述绝缘层上形成第一电极《直接公开》 | [0028]：“通过金属化在基板上下表面图案化金属材料形成电极(14,15)”。 | 明确公开了在基板表面形成前电极，故直接公开。 |
| M: 所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层《隐含公开》 | [0028]：“通过金属化在基板上下表面图案化金属材料形成电极(14,15)”。 | 虽然未明确说明电极穿过绝缘层，但本领域技术人员知道前电极必须穿过ARC才能接触发射极，故隐含公开。 |
| N: 在所述半导体基板的背面处形成背面场层《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件没有提到背面场层，故未公开。 |
| O: 使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
| P: 通过热扩散工艺形成所述背面场层《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
| Q: 在所述背面场层上形成钝化膜《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
| R: 在所述钝化膜上形成第二电极《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
| S: 所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
| T: 其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
| U: 其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG《直接公开》 | [0007]：“去除热扩散时形成的PSG(Phosphorus Silicate Glass) 또는 BSG(Boron Silicate Glass) 등의 불순물층”。 | 明确公开了PSG和BSG材料，故直接公开。 |
| V: 该方法还包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件整体包括多个步骤：S100-S140（准备、纹理化、形成ARC、形成发射极、形成电极等）。 | 对比文件的方法包括明确的步骤序列，故公开了“包括以下步骤”。 |
| W: 在所述绝缘层上方涂布电极组成层《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未提及涂布电极组成层，故未公开。 |
| X: 使所述电极组成层经受热处理《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
| Y: 使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极《未公开》 | 对比文件未公开相关内容。 | 未公开。 |
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