对比文件名称：2012-03-20_KR1020120026736A_发明公开_KR1020120026736A 태양전지 제조 시의 선택적 에미터 형성 방법
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层《隐含公开》 | [0008] “第二导电型半导体层(12)，即发射极层的掺杂越低，电子-空穴复合率越低，光发电效率越好，但基板电阻变高，导致基板与电极接触电阻差异，收集光生电子时效率降低的问题。” [0020] “通过注入和扩散第二导电类型杂质离子，例如磷(P)，形成第2导电型半导体层。” | 对比文件通过第一次扩散形成发射极层，该层为后续高浓度掺杂提供基础，本领域技术人员根据对比文件对低掺杂优点的描述可合理推断该发射极层为低浓度（高电阻），因此隐含公开。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型《直接公开》 | [0018] “第一导电型的硅基板(10)准备，第一导电型为p型。” [0020] “在硅基板的上层注入第二导电型杂质离子，例如磷(P)，形成n型半导体层。” | 对比文件明确基板为p型，发射极层为n型，导电类型相反，直接公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层《直接公开》 | [0020] “通过注入和扩散第二导电型杂质离子，例如磷(P)。” | 对比文件直接描述通过注入和扩散（热扩散工艺）形成发射极层，直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层《直接公开》 | [0029]-[0030] “通过热处理（firing）使图案化杂质层中的杂质离子扩散到硅基板内部，形成选择性高浓度掺杂区域，即选择性发射极(16)。” | 对比文件明确通过第二次扩散形成高浓度掺杂区域，其电阻低于周围低浓度区域，直接公开。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分《未公开》 | 对比文件未涉及高浓度发射层内部分为不同电阻的部分。 | 对比文件的选择性发射极为单一高浓度区域，无进一步划分，未公开。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成《未公开》 | 对比文件未涉及激光束照射。 | 对比文件采用有机浆料印刷和热扩散，无激光工艺，未公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成《未公开》 | 对比文件未涉及激光束照射。 | 同特征F，未公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间《未公开》 | 对比文件未公开高浓度发射层内部位置关系。 | 对比文件无此结构，未公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻《未公开》 | 对比文件未公开高浓度发射层内不同电阻区域。 | 对比文件未公开不同电阻部分，未公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层《直接公开》 | [0031] “在形成选择性发射极之后，去除残留的杂质层。” | 对比文件明确在形成高浓度区域后去除杂质层（玻璃组成层），直接公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层《直接公开》 | [0007] “在第二导电型半导体层（发射极层）上形成反射膜（绝缘层）。” | 对比文件明确在发射极层上形成反射膜（绝缘层），直接公开。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极《直接公开》 | [0007] “形成前电极(14)。” | 对比文件明确形成前电极（第一电极），直接公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层《隐含公开》 | [0007] “形成前电极(14)。” 图1显示前电极位于发射极层上。 | 对比文件虽未明确描述电极穿透绝缘层，但本领域技术人员根据常规太阳能电池结构（前电极通常穿过反射膜接触发射极）可合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层《未公开》 | 对比文件未涉及背面场层。 | 对比文件仅描述正面发射极，无背面场层相关内容，未公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型《未公开》 | 对比文件未涉及背面场层。 | 同特征N，未公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层《未公开》 | 对比文件未涉及背面场层形成。 | 未公开。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜《未公开》 | 对比文件未涉及背面钝化膜。 | 未公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极《未公开》 | 对比文件未涉及背面钝化膜及电极。 | 未公开。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层《未公开》 | 对比文件未涉及背面场层和钝化膜。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域《未公开》 | 对比文件未公开高浓度发射层内部分区。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG《直接公开》 | [0021] “杂质层(20)由PSG（磷硅玻璃）或BSG（硼硅玻璃）组成。” | 对比文件明确杂质层为PSG或BSG，直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤《直接公开》 | [0010] 至 [0030] 描述了整个方法步骤，包括基板准备、纹理化、扩散、形成杂质层、图案化、第二次扩散等。 | 对比文件公开了完整的太阳能电池制造方法，包括多个步骤，直接公开了“方法包括步骤”这一特征。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层《隐含公开》 | [0007] “形成前电极(14)。” 未具体描述涂布步骤。 | 对比文件虽未详述电极形成工艺，但本领域技术人员根据常规丝网印刷等工艺可合理推断在绝缘层上涂布电极浆料，因此隐含公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理《隐含公开》 | [0007] “形成前电极(14)。” 未具体描述热处理。 | 电极形成通常需要烧结热处理，本领域技术人员可合理推断，隐含公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极《隐含公开》 | [0007] “形成前电极(14)。” 未具体描述烧穿工艺。 | 常规太阳能电池中前电极通过烧穿反射膜接触发射极，本领域技术人员可合理推断，隐含公开。 |
### 公开代码总结
根据上述判断，公开的代码（直接公开大写，隐含公开小写）如下：
<<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>><<<U>>><<<V>>><<<a>>><<<m>>><<<w>>><<<x>>><<<y>>>