对比文件的名称：2006-11-09_JP2006310368A_发明专利_JP2006310368A Solar cell manufacturing method and solar cell
目标专利的名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：未指定
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“低濃度エミッタ層のシート抵抗を測定したところ、８０から１１０Ω／□であった”（低浓度发射层的薄层电阻为80~110Ω/□）。 | 对比文件明确在受光面形成低浓度发射层，并给出了其电阻值（第一电阻），因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型《直接公开》 | 第[2]段（发明内容）：“第１導電型の半導体基板にｐｎ接合を形成して太陽電池を製造する方法”（在第一导电类型的半导体基板上形成pn结来制造太阳能电池的方法）；实施例中基板为p型，发射层为n型（通过磷掺杂）。 | 对比文件以p型基板为例，通过磷扩散形成n型发射层，低浓度发射层与基板导电类型相反，因此直接公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“ＰＯＣｌ３雰囲気下、８８０℃で３０分間保持して気相拡散熱処理を行ない”（在POCl3气氛下，880℃保持30分钟进行气相扩散热处理）。 | 对比文件使用POCl3气相热扩散形成低浓度发射层，属于热扩散工艺，直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“高濃度エミッタ層では、ドーパントの表面濃度として２×１０ ２０ ｃｍ −２を得た”（高浓度发射层中，掺杂剂表面浓度达到2×10^20 cm^-2）。 | 对比文件高浓度发射层表面浓度高，从而电阻低于低浓度发射层，直接公开。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分 | 无相应公开内容。 | 对比文件的高浓度发射层是通过涂布含掺杂剂的糊剂形成的整体均匀区域，未提及内部存在不同电阻的第一部分和第二部分，未直接或隐含公开。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成 | 无相应公开内容。 | 对比文件整个技术方案未涉及任何激光束照射玻璃组成层的工艺，未直接或隐含公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成 | 无相应公开内容。 | 对比文件整个技术方案未涉及任何激光束照射玻璃组成层的工艺，未直接或隐含公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间 | 无相应公开内容。 | 对比文件未公开高浓度发射层内部分区结构，未直接或隐含公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻 | 无相应公开内容。 | 对比文件未公开高浓度发射层内存在不同电阻的区域，未直接或隐含公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“表面に形成されたリンガラスをフッ酸でエッチングした”（用氢氟酸蚀刻表面形成的磷玻璃）。 | 对比文件在扩散后使用氢氟酸去除磷玻璃层，直接公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“窒化膜を堆積した”（沉积氮化膜）；该膜作为反射防止膜兼パッシベーション膜。 | 对比文件在低浓度发射层上形成氮化硅绝缘层，直接公开。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“受光面側にもスクリーン印刷装置等を用い、櫛形電極パターン印刷版を用いて幅８０μｍのＡｇ電極を印刷”（在受光面侧也用丝网印刷机，使用梳形电极图案印刷版印刷80μm宽的Ag电极）。 | 对比文件在绝缘层（氮化膜）上印刷Ag电极，直接公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“拡散ペーストをストライプ状に印刷した箇所に櫛形電極が乗るよう印刷し、焼成を行い”（以使梳形电极位于印刷有扩散糊剂的条纹位置的方式印刷，并进行烧成）。 | 对比文件通过烧成工艺使电极穿透绝缘层，接触高浓度发射层，直接公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层《直接公开》 | 第[2]段（发明内容）：“裏面に電界層（ＢＳＦ）効果のあるｐ＋高濃度層を形成”（在背面形成具有电场层（BSF）效果的p+高浓度层）。 | 对比文件明确在背面形成BSF层，直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型《直接公开》 | 同上，p+高浓度层与p型基板导电类型相同。 | 对比文件BSF层为p+型，与p型基板相同，直接公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层《直接公开》 | 第[2]段（发明内容）：“裏面に印刷したアルミニウムの焼成は電極を形成すると同時に裏面に電界層効果のあるｐ＋高濃度層を形成”（背面印刷的铝的烧成形成电极，同时形成具有电场层效果的p+高浓度层）。 | 对比文件通过铝烧成（热扩散）形成背面场层，直接公开。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜《直接公开》 | 第[2]段（实施例6）：“両面に窒化膜を厚さ８５ｎｍで堆積”（在两面沉积厚度85nm的氮化膜）。 | 对比文件在背面沉积氮化膜作为钝化膜，直接公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“裏面にアルミニウムからなるペーストを塗布し、乾燥させた”（在背面涂布铝糊剂并干燥）；以及后续烧成形成背面电极。 | 对比文件在背面钝化膜上形成电极，直接公开。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“焼成を行い、ＢＳＦ層５、裏面電極６および表面櫛形電極７を形成”（进行烧成，形成BSF层5、背面电极6和表面梳形电极7）。 | 对比文件通过烧成使背面电极穿透钝化膜接触BSF层，直接公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域 | 无相应公开内容。 | 对比文件未公开高浓度发射层内部分区结构，未直接或隐含公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“リンガラス”（磷玻璃）；第[2]段（实施例5、6）：“ボロンガラス”（硼玻璃）。 | 对比文件明确在扩散过程中形成磷玻璃（PSG）和硼玻璃（BSG），直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤《直接公开》 | 对比文件整体方法包括后续步骤（如电极形成、烧成等）。 | 对比文件的方法包括后续步骤，直接公开了“还包括以下步骤”这一上位概念。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“受光面側にもスクリーン印刷装置等を用い、櫛形電極パターン印刷版を用いて幅８０μｍのＡｇ電極を印刷”（在受光面侧用丝网印刷机印刷Ag电极）。 | 对比文件在绝缘层上印刷电极糊剂（电极组成层），直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“焼成を行い”（进行烧成）。 | 对比文件对电极组成层进行烧成热处理，直接公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极《直接公开》 | 第[2]段（实施例1）：“拡散ペーストをストライプ状に印刷した箇所に櫛形電極が乗るよう印刷し、焼成を行い”（以使梳形电极位于印刷有扩散糊剂的条纹位置的方式印刷，并进行烧成）。 | 对比文件烧成工艺使电极穿透绝缘层接触高浓度发射层，即烧穿工艺，直接公开。 |
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