对比文件名称：2010-11-10_CN101884115A_发明公开_CN101884115A 太阳能电池、太阳能电池的发射极层的形成方法、和太阳能电池的制造方法
目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B
本次调用的模型名称：大语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“发射极层302包括多个第一发射极部分302a和多个第二发射极部分302b。第一发射极部分302a和第二发射极部分302b具有互不相同的杂质浓度。在该实施方式中，第二发射极部分302b的杂质浓度大于第一发射极部分302a的杂质浓度。”以及“第一发射极部分302a是低浓度部分”。 | 对比文件明确公开了在基板前表面形成第一发射极部分（低浓度发射层），该部分具有较低的杂质浓度和较高的薄层电阻（即第一电阻），因此特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“基板301优选地由掺杂有第一导电类型(例如，p型)的杂质的硅制成”，以及“发射极层302被称为具有与基板301的导电类型相反的第二导电类型(如，n型)的杂质部”。 | 对比文件明确基板为p型，发射极层为n型，第一发射极部分（低浓度部分）为n型，与基板导电类型相反，因此特征B被直接公开。 |
| 技术特征C：通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“将基板301放置在扩散炉中，并且在扩散炉中注入氧气(O2)和第二导电类型(如n型)的杂质气体，以将第二导电类型的杂质扩散到基板301中。因此，形成包括第二导电类型的杂质的第一发射极部分302a。” | 对比文件明确采用热扩散工艺（在扩散炉中加热并通入杂质气体）形成第一发射极部分（低浓度发射层），因此特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“第二发射极部分302b的杂质浓度大于第一发射极部分302a的杂质浓度”，并且“第二发射极部分302b的薄层电阻小于第一发射极部分302a的薄层电阻”。 | 对比文件明确第二发射极部分（高浓度发射层）的杂质浓度更高、薄层电阻更低，即具有比第一电阻低的第二电阻，因此特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分 —— **未公开** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件中的高浓度发射层为第二发射极部分302b，其为一个整体，未进一步划分为具有不同特性的第一部分和第二部分，因此特征E未被公开。 |
| 技术特征F：所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成 —— **未公开** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件虽然使用激光束照射绝缘层形成第二发射极部分，但激光束为单一能量密度范围（0.3-1.2 J/cm²），未区分不同功率，且未形成第一部分和第二部分，因此特征F未被公开。 |
| 技术特征G：所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成 —— **未公开** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开使用不同功率的激光束形成不同部分，也未公开第二部分，因此特征G未被公开。 |
| 技术特征H：所述第一部分位于所述第二部分之间 —— **未公开** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开高浓度发射层具有第一部分和第二部分，也未公开两者的位置关系，因此特征H未被公开。 |
| 技术特征I：所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻 —— **未公开** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开高浓度发射层内部分为不同电阻的部分，因此特征I未被公开。 |
| 技术特征J：在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“在通过形成第二发射极部分302b而完成发射极层302之后，如图6所示，去除位于基板301上的绝缘层303。” | 对比文件中的绝缘层303即为玻璃组成层（PSG），在形成第二发射极部分（高浓度发射层）后去除该层，因此特征J被直接公开。 |
| 技术特征K：在所述低浓度发射层上形成绝缘层 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“在发射极层302上形成防反射层304。”防反射层304为绝缘层（如SiNx）。 | 对比文件在去除绝缘层后，在低浓度发射层（第一发射极部分）上形成防反射层（绝缘层），因此特征K被直接公开。 |
| 技术特征L：在所述绝缘层上形成第一电极 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“使用丝网印刷在防反射层304上印刷前电极糊，以形成前电极图案。” | 对比文件在防反射层（绝缘层）上印刷前电极糊形成电极，即第一电极形成在绝缘层上，因此特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“通过加热处理，前电极图案通过穿透防反射层304而与发射极层302接触。”以及“指电极305a只与第二发射极部分302b接触”。 | 对比文件通过烧穿工艺使前电极穿透防反射层（绝缘层）与高浓度发射层（第二发射极部分）接触，因此特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：在所述半导体基板的背面处形成背面场层 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“背面场层307位于后电极306和基板301之间。”以及“通过加热处理，由于在后电极糊中包括的Al掺杂在基板301中，因此形成背面场层307。” | 对比文件明确在基板背面形成背面场层，因此特征N被直接公开。 |
| 技术特征O：使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“背面场层307是重掺杂有与基板301相同的导电类型的杂质的区域，因此，在该实施方式中，背面场层307是p+-型区域。” | 对比文件明确背面场层与基板导电类型相同（均为p型），因此特征O被直接公开。 |
| 技术特征P：通过热扩散工艺形成所述背面场层 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“通过加热处理，由于在后电极糊中包括的Al掺杂在基板301中，因此形成背面场层307。” | 对比文件通过加热处理使Al扩散到基板中形成背面场层，这属于热扩散工艺，因此特征P被直接公开。 |
| 技术特征Q：在所述背面场层上形成钝化膜 —— **未公开** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件在背面场层上直接形成后电极，未形成钝化膜，因此特征Q未被公开。 |
| 技术特征R：在所述钝化膜上形成第二电极 —— **未公开** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未形成钝化膜，第二电极直接形成在背面场层上，因此特征R未被公开。 |
| 技术特征S：所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层 —— **未公开** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件没有钝化膜，第二电极直接覆盖整个背面场层，因此特征S未被公开。 |
| 技术特征T：其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域 —— **未公开** | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未公开高浓度发射层内部分为第一部分和第二部分，也未公开任何位置关系，因此特征T未被公开。 |
| 技术特征U：其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“绝缘层303是PSG(磷硅酸玻璃)，如P2O5。” | 对比文件明确正面形成的玻璃组成层为PSG，因此特征U被直接公开。 |
| 技术特征V：该方法还包括以下步骤 —— **直接公开** | 对比文件整体描述了制造太阳能电池的方法，包括形成发射极层、电极等多个步骤。 | 对比文件的方法本身包含多个步骤，因此特征V“还包括以下步骤”被直接公开。 |
| 技术特征W：在所述绝缘层上方涂布电极组成层 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“使用丝网印刷在防反射层304上印刷前电极糊。” | 对比文件在防反射层（绝缘层）上印刷前电极糊（电极组成层），因此特征W被直接公开。 |
| 技术特征X：使所述电极组成层经受热处理 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“对具有前电极图案和后电极图案3061的基板301执行加热处理。” | 对比文件对印刷有电极组成层的基板进行加热处理，因此特征X被直接公开。 |
| 技术特征Y：使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极 —— **直接公开** | 对比文件具体实施方式部分记载：“通过加热处理，前电极图案通过穿透防反射层304而与发射极层302接触。” | 对比文件通过加热处理使前电极图案穿透防反射层（绝缘层）与高浓度发射层接触，即烧穿工艺，形成电连接的第一电极，因此特征Y被直接公开。 |
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