对比文件名称：2009-01-22_US2009020156A_发明申请_US20090020156A1 Method for manufacturing solar cell and solar cell；目标专利名称：1744太阳能电池及其制造方法CN103390659B；本次调用的模型名称：DeepSeek。
## 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| A: 在半导体基板的正面处形成具有第一电阻的低浓度发射层 《直接公开》 | [0051] “低浓度发射层即扩散膏印刷部分以外的区域、仅进行气相扩散的区域的薄层电阻可以设定为80至110Ω/□。” | 对比文件公开了在受光面通过气相扩散形成低浓度发射层，其方块电阻为80-110Ω/□，即具有第一电阻（高电阻），且该电阻高于高浓度层，因此直接公开。 |
| B: 使所述低浓度发射层具有与所述半导体基板的导电类型相反的第一导电类型 《直接公开》 | [0047] “高浓度发射层2作为第一扩散层，具有与半导体衬底1的第一导电类型相反的导电类型，低浓度发射层3作为第二扩散层，其导电率低于高浓度发射层2，形成在半导体衬底的受光面1a上。” | 对比文件明确低浓度发射层（第二扩散层）具有与半导体基板第一导电类型相反的导电类型，因此直接公开。 |
| C: 通过热扩散工艺形成所述低浓度发射层 《直接公开》 | [0051] “在POCl3等气相扩散源气氛下于880℃保持30分钟，进行气相扩散热处理。” | 气相扩散热处理属于热扩散工艺，因此直接公开。 |
| D: 形成具有比所述第一电阻低的第二电阻的高浓度发射层 《直接公开》 | [0051] “第一扩散层2（高浓度扩散层或高浓度发射层）……其导电率低于第一扩散层”（即高浓度层导电率高、电阻低）。 | 对比文件公开了高浓度发射层，其电阻低于低浓度发射层，因此直接公开。 |
| E: 所述高浓度发射层具有第一部分和第二部分 未公开 | 无对应内容 | 对比文件的高浓度发射层是均匀的，未公开其内部具有不同电阻的第一部分和第二部分，因此未公开。 |
| F: 所述第一部分通过具有第一功率的第一激光束照射在所述低浓度发射层上的玻璃组成层来形成 未公开 | 无对应内容 | 对比文件未使用激光束，也未在玻璃组成层上通过激光照射形成高浓度区域，其高浓度层通过印刷扩散膏和气相扩散形成，因此未公开。 |
| G: 所述第二部分通过具有第二功率的第二激光束照射在所述低浓度发射层上的所述玻璃组成层来形成 未公开 | 无对应内容 | 同特征F，未公开。 |
| H: 所述第一部分位于所述第二部分之间 未公开 | 无对应内容 | 未公开第一部分和第二部分，因此未公开。 |
| I: 所述第一部分的电阻小于所述第二部分的电阻 未公开 | 无对应内容 | 未公开。 |
| J: 在形成所述高浓度发射层之后，去除所述玻璃组成层 《直接公开》 | [0055] “用氢氟酸蚀刻形成在表面的磷硅玻璃。” | 对比文件在形成高浓度发射层后，通过氢氟酸蚀刻去除磷硅玻璃（玻璃组成层），因此直接公开。 |
| K: 在所述低浓度发射层上形成绝缘层 《直接公开》 | [0055] “使用直接等离子体CVD装置……在发射层上沉积氮化硅膜作为表面保护膜（钝化膜）/减反射膜4。” | 对比文件在发射层上沉积氮化硅膜作为绝缘层，因此直接公开。 |
| L: 在所述绝缘层上形成第一电极 《直接公开》 | [0056] “在受光面1a上用丝网印刷设备等印刷80μm宽的Ag电极，形成梳齿状电极图案，然后干燥。” | 对比文件在绝缘层（减反射膜）上印刷银电极，形成第一电极，因此直接公开。 |
| M: 所述第一电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的正面处的所述绝缘层，以电连接到所述高浓度发射层 《隐含公开》 | [0056] “印刷时利用对准机构使梳齿状电极位于高浓度发射层2上。” 及 [0057] “然后按照规定的热曲线进行烧制，形成BSF层、背面电极和表面梳齿状电极。” | 对比文件虽未明确描述电极穿过绝缘层，但通过印刷对准和烧结工艺，本领域技术人员可以合理推知烧结过程中电极浆料会烧穿绝缘层并接触高浓度发射层，从而实现电连接，因此隐含公开。 |
| N: 在所述半导体基板的背面处形成背面场层 《直接公开》 | [0047] “优选在受光面的背面1b上形成至少具有与第一导电类型相同导电类型的BSF层5作为扩散层。” | 对比文件明确在背面形成BSF层（背面场层），因此直接公开。 |
| O: 使所述背面场层具有与所述半导体基板的导电类型相同的导电类型 《直接公开》 | [0047] “BSF层5作为扩散层，至少具有与第一导电类型相同的导电类型。” | 对比文件指出BSF层与半导体基板具有相同导电类型，因此直接公开。 |
| P: 通过热扩散工艺形成所述背面场层 《直接公开》 | [0057] “按照规定的热曲线进行烧制，形成BSF层” 及 [0079] “将含有氧化硼的浆料……印刷……然后在980℃保持10分钟。” | 对比文件通过烧结（热扩散）或含硼扩散膏的热处理形成BSF层，均属于热扩散工艺，因此直接公开。 |
| Q: 在所述背面场层上形成钝化膜 《直接公开》 | [0082] “在两侧沉积背面钝化膜11，例如氮化硅膜，厚度为85nm。” | 对比文件在背面场层上沉积钝化膜，因此直接公开。 |
| R: 在所述钝化膜上形成第二电极 《直接公开》 | [0083] “在两侧印刷含Ag的电极浆料，形成梳齿状电极图案。” | 对比文件在背面钝化膜上印刷银电极浆料形成第二电极，因此直接公开。 |
| S: 所述第二电极的每一个延伸穿过在所述半导体基板的背面处的所述钝化膜，以电连接到所述背面场层 《隐含公开》 | [0083] “在两侧印刷含Ag的电极浆料，形成梳齿状电极图案” 及 [0057] “烧制……形成背面电极”。 | 类似特征M，通过烧结，背电极会穿过钝化膜接触背面场层，因此隐含公开。 |
| T: 其中，所述第二部分包括分别布置在所述第一部分的相对侧的区域 未公开 | 无对应内容 | 未公开高浓度发射层具有不同电阻的第一部分和第二部分，更未公开其相对位置关系，因此未公开。 |
| U: 其中，所述玻璃组成层包括磷硅玻璃PSG或硼硅玻璃BSG 《直接公开》 | [0055] “磷硅玻璃” 和 [0081] “用氢氟酸蚀刻表面的磷硅玻璃或硼硅玻璃。” | 对比文件明确公开了磷硅玻璃（PSG）和硼硅玻璃（BSG）作为玻璃组成层，因此直接公开。 |
| V: 该方法还包括以下步骤 《直接公开》 | [0016] “一种用于制造太阳能电池的方法……至少包括：将含有掺杂剂的第一涂布材料涂布到具有第一导电类型的半导体衬底上；以及进行气相扩散热处理。” | 对比文件的方法描述中明确使用了“包括至少”的表述，直接公开了“还包括以下步骤”的概念，因此直接公开。 |
| W: 在所述绝缘层上方涂布电极组成层 《直接公开》 | [0056] “在受光面1a上用丝网印刷设备等印刷80μm宽的Ag电极。” | 对比文件在绝缘层（减反射膜）上印刷银电极浆料，即涂布电极组成层，因此直接公开。 |
| X: 使所述电极组成层经受热处理 《直接公开》 | [0057] “按照规定的热曲线进行烧制。” | 对比文件对电极进行烧结热处理，因此直接公开。 |
| Y: 使经热处理的所述电极组成层经受烧穿工艺，从而形成电连接到所述高浓度发射层的第一电极 《隐含公开》 | [0057] “烧制……形成表面梳齿状电极” 及 [0056] 电极印刷在高浓度层上。 | 对比文件在烧结过程中，电极浆料穿过绝缘层接触高浓度发射层，实质上采用了烧穿工艺，但未明确使用术语“烧穿”。本领域技术人员可以合理推断，因此隐含公开。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<J>>><<<K>>><<<L>>><<<N>>><<<O>>><<<P>>><<<Q>>><<<R>>><<<U>>><<<V>>><<<W>>><<<X>>>
<<<m>>><<<s>>><<<y>>>