对比文件的名称：2011-12-08_US2011297227A_发明申请_US20110297227A1 HETERO SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING HETERO SOLAR CELLS
目标专利的名称：1750太阳能电池及其制造方法CN103700713B
本次调用的模型名称：GPT-4
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| A: 所述太阳能电池包括（直接公开） | [0001] “本发明涉及一种异质结太阳能电池，其包括硅、掺杂硅层和隧道钝化层。” | 对比文件直接描述了一种太阳能电池，因此直接公开了技术特征A。 |
| B: 所述半导体基板（直接公开） | [0009] “晶体掺杂硅晶片（c-Si层）” | 对比文件明确公开了半导体基板为晶体硅晶片，因此直接公开。 |
| C: 所述p型导电区域形成在所述半导体基板处（直接公开） | [0009] “发射极设置在晶体掺杂硅晶片的前表面，由与c-Si层掺杂类型相反的非晶硅层制成”；[0043] “p掺杂非晶硅层4” | 对比文件公开了p掺杂非晶硅层（发射极）形成在半导体基板前表面，因此直接公开。 |
| D: 所述p型导电区域包括p型杂质（直接公开） | [0043] “p掺杂非晶硅层4” | 对比文件明确提到p掺杂，因此直接公开。 |
| E: 所述钝化膜形成在所述p型导电区域上（未公开） | [0009] “隧道钝化层至少施加在c-Si层前表面和发射极层之间” | 对比文件中隧道钝化层位于半导体基板与p型导电区域之间，而非形成在p型导电区域上。目标专利中钝化膜形成在p型导电区域上，位置关系不同，对比文件未公开该特征，且不能合理推断得出，故不公开。 |
| F: 所述钝化膜包括铝氧化物（直接公开） | [0014] “隧道钝化层的材料适宜选自氧化铝、氧化硅和/或氮化硅。优选地，隧道钝化层由氧化铝Al2O3制成。” | 对比文件直接公开了钝化膜包括铝氧化物，因此直接公开。 |
| G: 所述抗反射膜形成在所述钝化膜上（未公开） | 对比文件未公开抗反射膜形成在钝化膜上；其公开的ITO层形成在p型层上，钝化膜在下方。 | 对比文件没有公开任何抗反射膜形成在钝化膜上的结构，因此不公开。 |
| H: 所述抗反射膜包括硅氮化物（未公开） | 对比文件未公开硅氮化物抗反射膜，其公开的透明导电层为ITO。 | 对比文件未公开硅氮化物，因此不公开。 |
| I: 所述钝化膜具有7至的厚度（直接公开） | [0015] “氧化铝制成的隧道钝化层的厚度在0.1至10 nm之间。” | 对比文件公开的厚度范围0.1-10 nm包含目标专利的7至10nm（结合说明书理解），因此直接公开。 |
| J: 所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X（直接公开） | [0016] “氧化铝层Al2O3（或其他铝氧化物化学计量比）”；[0038] “氧化铝在此也可以具有Al2O3之外的其他化学计量比。” | 对比文件直接公开了铝氧化物可以具有其他化学计量比，即非化学计量比，因此直接公开。 |
| K: 其中0<x<0.5（隐含公开） | 同特征J，[0016]和[0038]提到其他化学计量比。 | 对比文件公开了铝氧化物存在其他化学计量比，但未具体限定x范围。然而，本领域技术人员可以合理推断出非化学计量比的存在，且目标专利的0<x<0.5是常见缺氧状态，因此隐含公开。 |
| L: 其中，所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X（直接公开） | 同特征J。 | 直接公开，理由同特征J。 |
| M: 其中0.001≤x≤0.5（隐含公开） | 同特征J/K。 | 对比文件公开了其他化学计量比，本领域技术人员可以合理推断出通过工艺控制可实现该范围，因此隐含公开。 |
| N: 其中，所述p型导电区域包括发射极层（直接公开） | [0009] “发射极由掺杂类型相反的非晶硅层制成”；[0043] “p掺杂非晶硅层4” | 对比文件直接公开了p型导电区域包括发射极层，因此直接公开。 |
| O: 所述发射极层形成在所述半导体基板的前表面处（直接公开） | [0043] “在晶体前表面” | 对比文件直接公开了发射极层形成在半导体基板前表面，因此直接公开。 |
| P: 所述钝化膜形成在所述发射极层上（未公开） | 同特征E，对比文件未公开。 | 理由同特征E，不公开。 |
| Q: 其中，所述p型导电区域包括背表面场层（未公开） | 对比文件背面是n掺杂非晶硅层，没有p型背表面场层。 | 对比文件未公开p型背表面场层，因此不公开。 |
| R: 所述背表面场层形成在所述半导体基板的背表面处（未公开） | 对比文件未公开p型背表面场层，因此不公开。 | 不公开。 |
| S: 所述钝化膜形成在所述背表面场层上（未公开） | 对比文件未公开p型背表面场层，因此不公开。 | 不公开。 |
| T: 所述太阳能电池进一步包括电极（直接公开） | [0043] “金属接触2”；“铝层8” | 对比文件直接公开了电极，因此直接公开。 |
| U: 所述电极形成在所述钝化膜上（未公开） | 对比文件前侧电极形成在ITO上，ITO在p型层上，没有钝化膜在p型层上；背面电极形成在n型层上，钝化膜在n型层下。 | 对比文件未公开电极形成在钝化膜上，因此不公开。 |
| V: 所述电极电连接到所述p型导电区域（直接公开） | [0043] “金属接触2”通过ITO和p型层连接 | 对比文件直接公开了电极电连接到p型导电区域，因此直接公开。 |
| W: 所述电极完全形成在所述钝化膜上（未公开） | 对比文件未公开该结构。 | 不公开。 |
| X: 所述电极与所述p型导电区域点接触（未公开） | 对比文件未公开点接触。 | 不公开。 |
| Y: 其中，所述p型导电区域的所述背表面场层局部地形成在与所述电极的一部分相邻的区域中（未公开） | 对比文件未公开局部背场结构。 | 不公开。 |
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