对比文件名称：2012-07-12_US2012174960A_发明申请_US20120174960A1 SOLAR CELL, METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL, AND SOLAR CELL MODULE
目标专利名称：1750太阳能电池及其制造方法CN103700713B
本次调用模型名称：AI语言模型
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：所述太阳能电池包括（直接公开） | 对比文件权利要求1：“一种太阳能电池，包括具有光接收面和非光接收面的半导体基板、形成在半导体基板中的pn结、设置在光接收面和/或非光接收面上的钝化层、以及设置在光接收面和非光接收面上的功率提取电极。” 说明书[0001]：“本发明涉及一种太阳能电池……” | 对比文件明确公开了一种太阳能电池结构，包含半导体基板、pn结、钝化层和电极，因此直接公开了技术特征A。 |
| 技术特征B：所述半导体基板（直接公开） | 对比文件权利要求1及说明书[0037]：“半导体基板201（301）可以是p型或n型单晶硅基板、多晶硅基板或薄膜硅基板。” | 对比文件直接公开了半导体基板，用于形成太阳能电池的基础结构。 |
| 技术特征C：所述p型导电区域形成在所述半导体基板处（直接公开） | 对比文件说明书[0040]：“通过气相扩散硼溴化物等，在900-1000°C下进行扩散，形成p+层（背表面场层）。” 说明书[0053]：“在n型硅基板中，必须形成p+层402（502）以形成pn结。” | 对比文件公开了p型导电区域（p+层）形成在半导体基板表面，作为背表面场层或发射极层。 |
| 技术特征D：所述p型导电区域包括p型杂质（直接公开） | 同上，使用硼（B）等III族元素作为p型杂质。 | 对比文件直接公开了p型导电区域掺杂有p型杂质（如硼）。 |
| 技术特征E：所述钝化膜形成在所述p型导电区域上（直接公开） | 说明书[0043]：“在背面或p型硅表面形成包括铝氧化物膜205a（305a）的钝化膜或层205（305）。” 说明书[0053]：“可以通过在p+层402（502）的表面上形成铝氧化物膜405a（505a）来钝化光接收面。” | 对比文件明确公开了钝化膜（含铝氧化物）直接形成在p型导电区域（p+层）上，以实现钝化。 |
| 技术特征F：所述钝化膜包括铝氧化物（直接公开） | 同上，钝化膜由铝氧化物膜构成或包含铝氧化物膜。 | 对比文件直接公开了钝化膜包含铝氧化物。 |
| 技术特征G：所述抗反射膜形成在所述钝化膜上（未公开） | 对比文件[0042]中前表面硅氮化物抗反射膜形成在n型层上，而非铝氧化物钝化膜上；[0048]中在铝氧化物上形成另一介电膜（如硅氧化物、钛氧化物等），但未提及硅氮化物抗反射膜。 | 对比文件未公开在铝氧化物钝化膜上直接形成硅氮化物抗反射膜的结构。本领域技术人员不能从对比文件直接且毫无疑义地得出该特征，且对比文件未给出任何教导或暗示。因此，该技术特征未被公开。 |
| 技术特征H：所述抗反射膜包括硅氮化物（未公开） | 同上，硅氮化物抗反射膜仅用于前表面n型层上，而非铝氧化物钝化膜上。 | 同特征G，未公开。 |
| 技术特征I：所述钝化膜具有7至的厚度（隐含公开） | 说明书[0047]：“膜厚度为至多40nm，优选至多30nm，更优选至多20nm。虽然下限不关键，但膜厚度通常至少1nm。” | 对比文件公开了铝氧化物膜厚度范围为1-40nm，目标专利的厚度范围（7-30nm）落入该范围。虽然未明确提及7nm，但本领域技术人员在对比文件教导下可以合理选择该范围内的厚度，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征J：所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X（隐含公开） | 说明书[0046]：“偏离化学计量比的铝氧化物，即Al1-xOx，其中x是任意常数，或者铝氧化物与氢、碳、氮等的混合物。” | 对比文件公开了非化学计量比的铝氧化物，但未具体为AlO1.5+X。然而，本领域技术人员通过调节沉积工艺可以控制氧含量，得到富氧的铝氧化物（如AlO1.5+X），因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征K：其中0（隐含公开） | 同上，对比文件未限定x的范围。 | 对比文件公开了非化学计量比，但未具体限定x值。目标专利中x的范围（0<x<0.5）是常规选择，本领域技术人员可以合理推断，因此隐含公开。 |
| 技术特征L：其中，所述铝氧化物具有化学式AlO1.5+X（隐含公开） | 同特征J引用。 | 同特征J，隐含公开。 |
| 技术特征M：其中0.001≤x≤0.5（隐含公开） | 说明书[0046]（同上）。 | 对比文件公开了非化学计量比，未给出具体范围，但本领域技术人员可以通过调节得到该范围内的x值，因此隐含公开。 |
| 技术特征N：其中，所述p型导电区域包括发射极层（直接公开） | 说明书[0052]-[0053]：“在n型硅基板中，必须形成p+层402（502）以形成pn结”，该p+层作为发射极。 | 对比文件直接公开了p型导电区域包括发射极层（在n型基板中p+层为发射极）。 |
| 技术特征O：发射极层形成在半导体基板的前表面处（直接公开） | 说明书[0053]：“可以通过在p+层402（502）的表面上形成铝氧化物膜405a（505a）来钝化光接收面”，p+层位于前表面。 | 对比文件直接公开了发射极层（p+层）形成在半导体基板的前表面。 |
| 技术特征P：钝化膜形成在发射极层上（直接公开） | 同上，铝氧化物膜形成在p+发射极层上。 | 对比文件直接公开了钝化膜（含铝氧化物）形成在发射极层上。 |
| 技术特征Q：其中，所述p型导电区域包括背表面场层（直接公开） | 说明书[0040]：“形成p+层作为背表面场层”，图2、3中BSF层206、306。 | 对比文件直接公开了p型导电区域包括背表面场层（p+层）。 |
| 技术特征R：背表面场层形成在半导体基板的背表面处（直接公开） | 同上，背表面场层形成在背表面。 | 对比文件直接公开了背表面场层位于半导体基板的背表面。 |
| 技术特征S：钝化膜形成在背表面场层上（直接公开） | 说明书[0043]：“在背面或p型硅表面形成包括铝氧化物膜的钝化膜”，背面为背表面场层表面。 | 对比文件直接公开了钝化膜形成在背表面场层上。 |
| 技术特征T：太阳能电池进一步包括电极（直接公开） | 权利要求1及说明书[0049]：“在光接收面和非光接收面上形成电极207和208（307和308）。” | 对比文件直接公开了太阳能电池包括电极。 |
| 技术特征U：电极形成在钝化膜上（直接公开） | 说明书[0049]：“通过印刷导电浆料在钝化膜上，然后烧制，使电极穿透钝化膜与基板接触。” 电极初始形成在钝化膜上。 | 对比文件直接公开了电极形成在钝化膜上（通过印刷）。 |
| 技术特征V：电极电连接到p型导电区域（直接公开） | 说明书[0049]：“烧结产物穿透钝化膜与硅基板形成电接触”，硅基板包括p型导电区域。 | 对比文件直接公开了电极通过烧穿与p型导电区域电连接。 |
| 技术特征W：电极完全形成在钝化膜上（直接公开） | 说明书[0049]电极印刷在钝化膜上；[0051]“铝氧化物膜至少形成在除电极正下方区域之外的部分”，即电极主体位于钝化膜上。 | 对比文件公开了电极完全位于钝化膜覆盖区域，且电极主体形成在钝化膜上，因此直接公开。 |
| 技术特征X：电极与p型导电区域点接触（直接公开） | 图3、5及说明书[0040]：“背表面场层可以局部形成，与背表面电极图案一致（如图3中的306）。” [0051]关于铝氧化物膜在电极下方被置换。 | 对比文件公开了局部BSF结构，电极与p型导电区域通过点接触实现电连接，直接公开。 |
| 技术特征Y：其中，p型导电区域的背表面场层局部地形成在与电极的一部分相邻的区域中（直接公开） | 说明书[0040]：“背表面场层可以局部形成，与背表面电极图案一致（如图3中的306）。” | 对比文件直接公开了背表面场层局部形成在电极相邻区域。 |
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<F>>><<<i>>><<<j>>><<<k>>><<<l>>><<<m>>><<<N>>><<<O>>><<<P>>><<<Q>>><<<R>>><<<S>>><<<T>>><<<U>>><<<V>>><<<W>>><<<X>>><<<Y>>>