对比文件名称：2004-04-01_US2004061101A_发明申请_US20040061101A1 Light emitting device
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：AI Language Model
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层。**未公开** | 对比文件[0057]：“将半导体芯片固定在支持体上”，但未在器件结构中定义支撑层。全文未公开由金属或含Si半导体制成的支撑层。 | 对比文件记载的器件结构在移除GaAs衬底后，仅由半导体层和电极层构成，没有额外的支撑层。虽然封装时使用支持体，但并非器件的一部分。因此，本领域技术人员不能从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征B：在所述支撑层上的第一电极。**未公开** | 对比文件未公开支撑层，因此没有第一电极在支撑层上。 | 由于支撑层未被公开，自然不存在“在支撑层上的第一电极”。 |
| 技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构。**未公开** | 对比文件[0044]公开了在ITO电极层10上形成n型包层4等半导体层，但该电极并非支撑层上的第一电极。 | 对比文件公开了半导体结构在电极上，但该电极不是目标专利中限定的在支撑层上的第一电极。因此，该特征未被公开。 |
| 技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面。**未公开** | 对比文件所有附图均显示半导体结构具有垂直侧壁，未提及倾斜侧表面。 | 对比文件没有描述或暗示半导体结构具有倾斜侧表面，本领域技术人员不能从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层。**未公开** | 对比文件[0004]背景技术提到电流扩散层，但具体实施例中未采用。在[0044]实施例中，p型包层6和ITO电极8之间是InGaAs层7，其作为电极接触层，而非电流扩散层。 | 对比文件未在半导体结构和第一电极之间设置电流扩散层。背景技术中虽然有电流扩散层，但对比文件明确使用氧化物透明电极层代替其功能，因此没有公开该特征。 |
| 技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层。**直接公开** | 对比文件[0044]：“在发光层部分的第二主表面18侧，依次形成InGaAs层9作为电极接触层和ITO电极层10作为氧化物透明电极层。” | 对比文件明确公开了在半导体结构（发光层部分）上形成透明导电氧化物层（ITO电极层10），该层用于电流扩散和光提取，与目标专利中TCO层的作用相同。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极。**未公开** | 对比文件[0044]：“ITO电极层8和10形成为覆盖整个主表面”。 | 对比文件公开的电极层覆盖整个半导体结构表面，而不是仅在一部分上。后续引线虽然只连接部分区域，但电极层本身是整面覆盖。因此，未公开仅在一部分上的第二电极。 |
| 技术特征H：金属层。**未公开** | 对比文件[0044]中，在半导体结构和电极之间是InGaAs层（半导体），非金属。[0062]提及反射层16由Au或Au合金制成，但位于衬底与发光层之间，并非在半导体结构和第二电极之间。 | 对比文件没有在半导体结构和第二电极之间设置金属层。半导体结构上直接形成的是InGaAs半导体层，不是金属。因此，未公开。 |
| 技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间。**未公开** | 同H。 | 同H。 |
| 技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触。**未公开** | 对比文件[0044]中，InGaAs层7和9作为电极接触层形成欧姆接触，但它们是半导体，不是金属。 | 对比文件未公开金属层，因此也未公开金属层充当欧姆接触。 |
| 技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性。**未公开** | 对比文件未提及对氮具有高反应性的金属层。 | 对比文件未公开任何与氮反应性相关的金属层。 |
| 技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中。**未公开** | 对比文件未公开金属层在界面上的涂覆或掺杂。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数。**未公开** | 对比文件未公开电流扩散层，亦未讨论功函数关系。 | 对比文件没有电流扩散层，因此没有公开功函数比较。 |
| 技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且中，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层。**未公开** | 对比文件未公开电流扩散层，也未公开InGaN或超晶格层。 | 对比文件没有公开该特征。 |
| 技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层。**未公开** | 对比文件[0044]：半导体结构在ITO电极10上依次为n型包层4、有源层5、p型包层6。 | 对比文件的第一电极（如ITO10）上首先是n型层，不是p型层。因此，未公开p型半导体层在第一电极上。 |
| 技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层。**未公开** | 对比文件顺序不同。 | 由于p型层不在第一电极上，故有源层也不在p型层上（按顺序）。 |
| 技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层。**未公开** | 对比文件顺序相反。 | 对比文件公开的是n型层在底，有源层在中间，p型层在顶，与目标专利顺序相反。 |
| 技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率。**未公开** | 对比文件未公开电流扩散层。 | 未公开。 |
| 技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数。**未公开** | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数。**未公开** | 对比文件未公开。 | 未公开。 |
| 技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极。**未公开** | 对比文件[0062]提及反射层16（Au或Au合金），但该反射层位于衬底与发光层之间，并非第一电极。第一电极是ITO透明电极。 | 对比文件的第一电极是透明电极，未包括反射电极。反射层是独立层，且位于对侧，不是第一电极的组成部分。 |
| 技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极。**直接公开** | 对比文件[0044]：“ITO电极层8”和“ITO电极层10”均为氧化物透明电极。[0020]：“ITO是高度导电的透明电极材料”。 | 对比文件中的第一电极（如ITO电极8或10）由透明导电氧化物制成，属于透明电极。因此，该特征被直接公开。 |
| 技术特征W：其中，所述支撑层包括金属。**未公开** | 对比文件未公开支撑层。 | 未公开。 |
| 技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上。**未公开** | 对比文件未公开支撑层。 | 未公开。 |
| 技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且中，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积。**未公开** | 对比文件未公开倾斜侧表面，也无面积变化。 | 对比文件未公开任何关于倾斜侧表面或面积大小关系的特征。 |
| 技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积。**未公开** | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开该特征。 |
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