对比文件名称：2005-09-29_JP2005268601A_发明专利_JP2005268601A Compound semiconductor light-emitting device
目标专利名称：1753具有垂直结构的发光器件及其制造方法CN102751415B
本次调用的模型名称：AI
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A：包括由金属或者含Si的半导体层制成的支撑层**<br>《直接公开》 | 在对比文件图3的说明及实施例中记载：“導電性基板２１として低抵抗Ｓｉ（１００）基板を用い”（中文：使用低电阻Si(100)基板作为导电性基板21）。 | 对比文件明确公开了支撑层由含Si的半导体（Si）制成，属于目标专利中支撑层的一种选择，因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，故直接公开。 |
| **技术特征B：在所述支撑层上的第一电极**<br>《直接公开》 | 在对比文件图4所示结构及实施例中记载：“光反射層２２は、接着および反射の機能を有する接着／反射層２２１と、透明導電膜からなる電子注入用オーミック電極層２２２との２層構造で、接着／反射層２２１が導電性基板２１に接し、電子注入用オーミック電極層２２２がｎ+−ＧａＮ層３１に接する構成となっている。”（中文：光反射层22由具有粘合和反射功能的粘合/反射层221和由透明导电膜形成的电子注入用欧姆电极层222构成，粘合/反射层221与导电性基板21接触，电子注入用欧姆电极层222与n+GaN层31接触。） | 对比文件公开了第一电极（光反射层22）直接形成在支撑层（导电性基板21）上，因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，故直接公开。 |
| **技术特征C：在所述第一电极上的半导体结构**<br>《直接公开》 | 在对比文件图4所示结构及实施例中记载：“窒化物半導体層３は、高濃度Ｓｉドープｎ+−ＧａＮ層３１、Ｓｉドープｎ−ＧａＮ層３２、アンドープＧａＮ層３３、多重量子井戸活性層（ＭＱＷ層）３４、アンドープＧａＮ層３５、Ｍｇドープｎ−Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ層３６、Ｍｇドープｐ−ＧａＮ層３７、及びトンネリングコンタクト層（ＣＴＬ層）３８を積層して構成されている。”（中文：氮化物半导体层3由高浓度Si掺杂n+GaN层31、Si掺杂n-GaN层32、非掺杂GaN层33、多重量子阱活性层34、非掺杂GaN层35、Mg掺杂n-AlGaN层36、Mg掺杂p-GaN层37和隧道接触层38层叠构成。）这些层形成在光反射层22上。 | 对比文件公开了半导体结构（氮化物半导体层3）形成在第一电极（光反射层22）上，因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，故直接公开。 |
| **技术特征D：所述半导体结构具有倾斜的侧表面**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未提及半导体结构的侧表面形状，本领域技术人员不能从对比文件得出半导体结构具有倾斜侧表面的技术方案，故未公开。 |
| **技术特征E：布置在所述半导体结构和所述第一电极之间的电流扩散层**<br>《直接公开》 | 在对比文件图1、图3及实施例中记载：“トンネリングコンタクト層（ＣＴＬ層）３８を積層して構成され”且“ＣＴＬ層３８はＳｉドープｎ−ＧａＮ層とＳｉドープｐ型ＩｎＧａＮ層の５回繰り返しから成る層構成とされている。”（中文：隧道接触层（CTL层）38由Si掺杂n-GaN层和Si掺杂p型InGaN层的5次重复构成。）在垂直结构实施例中，该CTL层位于p-GaN层和第一电极（ITO）之间。 | 对比文件公开了电流扩散层（CTL层）布置在半导体结构（p-GaN层）和第一电极（ITO电极）之间，因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，故直接公开。 |
| **技术特征F：在所述半导体结构上的透明导电氧化物层**<br>《直接公开》 | 在对比文件图4所示结构及实施例中记载：“透明導電膜からなる電子注入用オーミック電極層２２２”（中文：由透明导电膜形成的电子注入用欧姆电极层）。在移除蓝宝石后，在n+GaN层上形成ITO膜。 | 对比文件公开了透明导电氧化物层（ITO）形成在半导体结构（n型层）上，因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，故直接公开。 |
| **技术特征G：在所述半导体结构的一部分上的第二电极**<br>《直接公开》 | 在对比文件图4及实施例中记载：“６、７は取り出し電極である。”（中文：6、7是取出电极。）在顶部ITO透明导电膜上形成有取出电极。 | 对比文件公开了第二电极（取出电极）形成在透明导电氧化物层（ITO）的一部分上，因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，故直接公开。 |
| **技术特征H：金属层**<br>《未公开》 | 对比文件中在n型层和TCO层之间未设置金属层；仅在光反射层中设置有金属层（Ti/Al/Au），但该金属层位于TCO层和支撑层之间，并非位于半导体结构和TCO层之间。原文：“接着／反射層２２１としてＴｉ／Ａｌ／Ａｕ積層膜を、５０／２００／５００ｎｍの厚さとなるように蒸着法により全面に形成した。”（中文：作为粘合/反射层221，通过蒸镀法形成厚度为50/200/500nm的Ti/Al/Au层叠膜。） | 对比文件没有公开在半导体结构和TCO层之间设置金属层，本领域技术人员不能从对比文件得出该技术特征，故未公开。 |
| **技术特征I：其布置在所述半导体结构和所述第二电极之间**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 由于对比文件未公开金属层，故该特征不成立，未公开。 |
| **技术特征J：其中，所述金属层在所述半导体结构上充当欧姆接触**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开金属层，更未公开其充当欧姆接触，故未公开。 |
| **技术特征K：其中，所述金属层对于在所述半导体结构的半导体材料中的氮具有高反应性**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开任何关于金属层对氮具有高反应性的内容，故未公开。 |
| **技术特征L：其中，所述金属层被涂覆或掺杂在所述半导体结构的界面上或界面中**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开金属层以涂覆或掺杂方式设置，故未公开。 |
| **技术特征M：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述透明导电氧化物层的功函数**<br>《未公开》 | 对比文件未提及任何功函数比较。 | 对比文件没有公开电流扩散层与透明导电氧化物层的功函数关系，本领域技术人员不能从对比文件得出该技术特征，故未公开。 |
| **技术特征N：其中，所述电流扩散层直接接触所述半导体结构和所述第一电极；并且，所述电流扩散层包括InGaN层或InGaN/GaN超晶格层。**<br>《直接公开》 | 在对比文件图1、图3及实施例中记载：“ＣＴＬ層３８はＳｉドープｎ−ＧａＮ層とＳｉドープｐ型ＩｎＧａＮ層の５回繰り返しから成る層構成とされている。”（中文：CTL层38由Si掺杂n-GaN层和Si掺杂p型InGaN层的5次重复构成。）该CTL层直接接触p-GaN层37和ITO电极4。 | 对比文件公开了电流扩散层（CTL）直接接触半导体结构和第一电极，并且其结构为InGaN/GaN超晶格（InGaN层与GaN层交替），因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，故直接公开。 |
| **技术特征O：其中所述半导体结构包括在所述第一电极上的p型半导体层**<br>《直接公开》 | 在对比文件图4所示结构中，第一电极（光反射层22）上方依次形成有p型GaN层37。原文：“Ｍｇドープｐ−ＧａＮ層３７”（中文：Mg掺杂p-GaN层37）。 | 对比文件公开了半导体结构包括p型半导体层，且该p型层位于第一电极之上，因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，故直接公开。 |
| **技术特征P：在所述p型半导体层上的有源层**<br>《直接公开》 | 在对比文件图4所示结构中，p型GaN层37上形成有多重量子阱活性层34。原文：“多重量子井戸活性層（ＭＱＷ層）３４”（中文：多重量子阱活性层34）。 | 对比文件公开了有源层在p型半导体层上，因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，故直接公开。 |
| **技术特征Q：和在所述有源层上的n型半导体层**<br>《直接公开》 | 在对比文件图4所示结构中，有源层34上形成有n型层（如n-GaN层32、n+GaN层31）。原文：“高濃度Ｓｉドープｎ+−ＧａＮ層３１、Ｓｉドープｎ−ＧａＮ層３２”（中文：高浓度Si掺杂n+GaN层31、Si掺杂n-GaN层32）。 | 对比文件公开了n型半导体层在有源层上，因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，故直接公开。 |
| **技术特征R：其中，所述电流扩散层被配置为增强所述器件中载流子的迁移率。**<br>《未公开》 | 对比文件未提及增强载流子迁移率。 | 对比文件未公开电流扩散层具有增强载流子迁移率的功能，本领域技术人员不能从对比文件得出该技术特征，故未公开。 |
| **技术特征S：其中，所述电流扩散层的功函数小于所述半导体结构的功函数。**<br>《未公开》 | 对比文件未提及任何功函数比较。 | 对比文件没有公开电流扩散层与半导体结构的功函数关系，故未公开。 |
| **技术特征T：其中，所述电流扩散层的功函数大于所述第一电极的功函数。**<br>《未公开》 | 对比文件未提及任何功函数比较。 | 对比文件没有公开电流扩散层与第一电极的功函数关系，故未公开。 |
| **技术特征U：其中，所述第一电极包括反射电极。**<br>《直接公开》 | 在对比文件图3、图4及实施例中记载：“接着／反射層２２１としてＴｉ／Ａｌ／Ａｕ積層膜”（中文：作为粘合/反射层221的Ti/Al/Au层叠膜）。 | 对比文件公开了第一电极（光反射层）包括反射电极（金属反射层），因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，故直接公开。 |
| **技术特征V：其中，所述第一电极包括透明电极。**<br>《直接公开》 | 在对比文件图3、图4及实施例中记载：“透明導電膜からなる電子注入用オーミック電極層２２２”（中文：由透明导电膜形成的电子注入用欧姆电极层）。 | 对比文件公开了第一电极包括透明电极（ITO透明导电膜），因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征，故直接公开。 |
| **技术特征W：其中，所述支撑层包括金属。**<br>《未公开》 | 对比文件中的支撑层为低电阻Si(100)基板，并非金属。 | 对比文件未公开支撑层由金属制成，故未公开。 |
| **技术特征X：其中，所述支撑层被布置在所述第一电极上。**<br>《未公开》 | 在对比文件图4中，支撑层（导电性基板21）位于底部，第一电极（光反射层22）位于支撑层之上，即支撑层在第一电极之下。 | 对比文件公开的是支撑层在第一电极之下，而非之上，与本技术特征不同，故未公开。 |
| **技术特征Y：其中，所述半导体结构具有面向所述第一电极的第一表面和面向所述第二电极的第二表面；并且，所述半导体结构的所述倾斜的侧表面使得所述第二表面的面积大于所述第一表面的面积。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开半导体结构的倾斜侧表面，也未公开面积大小关系，故未公开。 |
| **技术特征Z：其中，面对所述半导体结构的所述第一电极的表面的面积小于面向所述第二电极的所述半导体结构的表面的面积。**<br>《未公开》 | 无相关内容。 | 对比文件未公开此面积大小关系，故未公开。 |
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