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2004-01-22_JP2004020341A_发明专利_JP2004020341A Method of measuring point defect distribution in silicon single crystal ingot_+++A_D+++.docx

对比文件名称:2004-01-22_JP2004020341A_发明专利_JP2004020341A Method of measuring point defect distribution in silicon single crystal ingot

目标专利名称:1757评估晶片或单晶锭的质量的方法及使用其控制单晶锭的质量的方法CN103650124B

本次调用模型名称:未指定

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:所述方法包括对单晶锭的切片或晶片进行Cu(铜)雾度评估。 **《直接公开》**【0009】“将热处理后的样品通过铜装饰(copper decoration)、Secco蚀刻、X射线形貌分析、寿命测量等方法进行测量。”对比文件明确记载了“铜装饰”这一测量方法,铜装饰本质上与目标专利的Cu雾度评估相同,均是通过铜污染和热处理来区分缺陷区域。本领域技术人员能够毫无疑义地确定对比文件公开了“对样品进行铜装饰(即Cu雾度评估)”这一步骤,且该技术特征在对比文件中同样用于评估晶体缺陷,与目标专利作用一致。因此,技术特征A被直接公开。
技术特征B:和相对于所述Cu雾度评估的结果进行Cu雾度评分。 **《未公开》**对比文件全文未记载任何关于“评分”或“分数”的内容。目标专利的Cu雾度评分涉及将评估结果量化(如测量面积并设定分数值),对比文件仅通过测量再结合寿命或再结合中心浓度来区分缺陷区域,并无对结果进行评分或赋予分数的步骤。因此,对比文件未直接或隐含公开技术特征B。
技术特征C:其中对单晶锭的切片或晶片进行Cu雾度评估包括通过使用缓冲氧化蚀刻剂溶液和Cu的混合溶液以高浓度的Cu污染Si单晶体的切片或晶片的一个表面。 **《未公开》**对比文件【0022】提到“过渡金属溶液是过渡金属以1~1000ppm浓度溶解的溶液”,并列举了Fe、Ni、Cu、Co,但未指定溶剂为缓冲氧化蚀刻剂(BOE)。对比文件虽然公开了使用Cu污染,但未明确采用“缓冲氧化蚀刻剂(BOE)与Cu的混合溶液”。其溶液通常为原子吸收用标准溶液,与目标专利的BOE+Cu混合溶液不同。本领域技术人员无法从对比文件直接得出或无歧义地推断出使用BOE作为溶剂。因此,技术特征C未被公开。
技术特征D:进行快速扩散热处理。 **《直接公开》**【0023】“作为该热处理方法,有以0.5~10℃/分的速度升温、在600~1200℃的温度下热处理0.5~24小时的方法,以及以30~70℃/秒的速度升温、在600~1100℃的温度下热处理10~60秒的方法(RTA法)。”对比文件公开了两种热处理方法,其中RTA法(30~70℃/秒升温)属于快速升温热处理,且目标专利的“快速扩散热处理”同样包含快速升温实现金属扩散。两者在实现快速扩散金属以表征缺陷方面的作用相同。因此,技术特征D被直接公开。
技术特征E:然后通过在聚光灯下视觉观察受污染的表面或其相反表面来区分晶体缺陷区域。 **《未公开》**对比文件全文未记载视觉观察步骤,而是通过再结合寿命测量(LM-PCD)或DLTS等仪器方法进行测量。目标专利通过人眼在聚光灯下观察颜色差异来区分区域,对比文件则依赖电学测量(如寿命值)来区分,两者原理和技术手段完全不同。对比文件未给出任何关于视觉观察的启示。因此,技术特征E未被公开。
技术特征F:其中进行快速扩散热处理包括对所述单晶锭的整个切片或晶片的左半侧进行第一热处理以评估O带区域。 **《未公开》**对比文件未公开左右半侧分别进行不同热处理的方法,也未定义“O带区域”。对比文件的热处理是对整个样品统一进行,并未将样品分为左半侧和右半侧分别处理。且对比文件中的区域划分(如[V]、[Pv]、[Pi]、[I])与目标专利的O带、Pv、Pi区域不完全对应,更无专门针对O带的热处理。因此,技术特征F未被公开。
技术特征G:和对所述单晶锭的整个切片或晶片的右半侧进行第二热处理以评估Pi和Pv区域。 **《未公开》**对比文件未公开左右半侧分别进行不同热处理的方法。同技术特征F,对比文件无左右半侧分别热处理的方案,也无专门针对Pi和Pv区域的第二热处理。因此,技术特征G未被公开。
技术特征H:相对于Pv、Pi热处理区域测量第二Pi区域的面积。 **《未公开》**对比文件未公开任何关于测量区域面积的内容。目标专利的Cu雾度评分涉及测量特定区域(如第二Pi区域)的面积,对比文件仅通过测量寿命或浓度来区分区域,不涉及面积测量和计算。因此,技术特征H未被公开。
技术特征I:对所述第一Pi区域的面积和所述第二Pi区域的面积进行相加以设置为Cu雾度分数值。 **《未公开》**对比文件未公开任何关于面积相加及分数值设定的内容。技术特征I是评分方法的具体步骤,对比文件完全没有涉及评分或分数值的概念,更无面积相加的操作。因此,技术特征I未被公开。

<<<A>>><<<D>>>

权利要求与技术特征

A 所述方法包括对单晶锭的切片或晶片进行Cu(铜)雾度评估
B 和译相对于所述Cu雾度评估的结果进行Cu雾度评分
C 译其中对单晶锭的切片或晶片进行Cu雾度评估包括通过使用缓冲氧化蚀刻剂溶液和Cu的混合溶液以高浓度的Cu污染Si单晶体的切片或晶片的一个表面
D 进行快速扩散热处理
E 然后通过在聚光灯下视觉观察受污染的表面或其相反表面来区分晶体缺陷区域
F 其中进行快速扩散热处理包括对所述单晶锭的整个切片或晶片的左半侧进行第一热处理以评估O带区域
G 和对所述单晶锭的整个切片或晶片的右半侧进行第二热处理以评估Pi和Pv区域。译2.根据权利要求1所述的方法,其中在所述Cu雾度评分中所述Cu雾度评分的方法包括通过划分锭的切片的或所述晶片的缺陷区域来进行Cu雾度评分。译3.根据权利要求2所述的方法,其中所述Cu雾度评分的方法包括通过评定所述锭的切片的或所述晶片的Pv区域 and Pi区域的分数来进行Cu雾度评分。译4.根据权利要求1所述的方法,其中所述Cu雾度评分包括相对于根据所述Cu雾度评估方法的O带热处理区域测量第一Pi区域的面积
H 译相对于Pv、Pi热处理区域测量第二Pi区域的面积
I 和对所述第一Pi区域的面积和所述第二Pi区域的面积进行相加以设置为Cu雾度分数值。译5.根据权利要求1所述的方法,其中所述Cu雾度评分包括通过所述Cu雾度评估来建立Cu雾度评分图。译
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