**对比文件名称**：2007-02-08_JP2007035589A_发明专利_JP2007035589A Manufacturing method of electrode, manufacturing device of electrode used in manufacturing method, and battery manufactured by its manufacturing method
**目标专利名称**：具有增强的能量密度特性的高能量锂二次电池（CN103650212B）
**本次调用的模型名称**：GPT-4（深度推理模式）
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包含<br>**《直接公开》** | 对比文件[2]段落：“本发明涉及锂离子电池或聚合物电池等非水电解质电池、该电池中使用的电极的制造方法以及该制造方法中使用的电极的制造装置。”以及实施例中“制作电池”的记载。 | 对比文件明确涉及非水电解质电池，实施例中公开了完整的电池结构（正极、负极、隔膜、电解液），因此直接公开了“其包含”这一技术特征。 |
| **技术特征B**：正极<br>**《直接公开》** | 对比文件[2]“正極の作製”部分：“使用钴酸锂作为正极活性材料……制作正极”。 | 对比文件详细描述了正极的制备方法，明确公开了正极这一组件，因此直接公开。 |
| **技术特征C**：所述正极包含由下式(1)表示并具有层状结构的第一正极活性材料和由下式(2)表示并具有尖晶石结构的第二正极活性材料作为正极活性材料<br>**《直接公开》** | 对比文件[2]“正極の作製”部分：“作为正极活性材料，使用钴酸锂(LCO)”；“スピネル型マンガン酸リチウム(LMO)”。钴酸锂为层状结构，锰酸锂为尖晶石结构。钴酸锂可表示为LiCoO₂，落入式(1)范围（v=0,w=0,y=1,z=0）；锰酸锂可表示为LiMn₂O₄，落入式(2)范围（a=1,b=0,c=0）。 | 对比文件公开了正极同时包含层状钴酸锂（第一正极活性材料，符合式(1)）和尖晶石锰酸锂（第二正极活性材料，符合式(2)），因此直接公开。 |
| **技术特征D**：其中基于所述第一正极活性材料和第二正极活性材料的总重量，所述第一正极活性材料的量为40重量％～100重量％<br>**《直接公开》** | 对比文件[2]“予備実験2”部分：“正极活性材料中LCO与LMO的质量比为50:50”（参考例8）、“正极活性材料中LCO与LMO的质量比为85:15”（参考例10）。LCO为层状（第一正极活性材料），其含量分别为50%和85%，均在40‑100%范围内。 | 对比文件明确给出了层状钴酸锂（第一正极活性材料）在总正极活性材料中的比例，且该比例符合目标专利的要求，因此直接公开。 |
| **技术特征E**：负极<br>**《直接公开》** | 对比文件[2]“負極の作製”部分：“使用石墨作为负极活性材料……制作负极”。 | 对比文件描述了负极的制备方法，明确公开了负极这一组件，因此直接公开。 |
| **技术特征F**：所述负极包含容量为300mAh/g以上的无定形碳<br>**未公开** | 对比文件[2]“負極の作製”部分使用石墨（结晶碳）；“その他の事項”第(6)点提到可使用焦炭等，但未明确无定形碳，也未提及容量≥300mAh/g。 | 对比文件未公开负极活性材料为无定形碳，更未公开其容量条件，本领域技术人员不能毫无疑义地得出该特征，且对比文件未给出任何使用无定形碳的启示，因此未公开。 |
| **技术特征G**：其中所述无定形碳为选自如下碳中的一种碳或它们的混合物<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开无定形碳的具体种类划分，因此未公开。 |
| **技术特征H**：在1.0g/cc～1.2g/cc的粉末密度下具有15S/cm以上且小于100S/cm的粉末电导率的第一种碳<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开任何关于碳的粉末密度和粉末电导率的参数，因此未公开。 |
| **技术特征I**：在1.4g/cc～1.6g/cc的粉末密度下具有30S/cm以上且小于100S/cm的粉末电导率的第二种碳<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开任何关于碳的粉末密度和粉末电导率的参数，因此未公开。 |
| **技术特征J**：隔膜<br>**《直接公开》** | 对比文件[2]“セパレータの作製”部分：“作为隔膜，使用聚乙烯微多孔膜”。 | 对比文件明确公开了隔膜的具体材料，因此直接公开。 |
| **技术特征K**：Lix(NivMnwCoyMz)O2-tAt (1) 其中0.8＜x≤1.3，0≤v≤0.9，0≤w≤0.9，0≤y≤0.9，0≤z≤0.9，x+v+w+y+z＝2，且0≤t≤0.2<br>**未公开** | 对比文件未记载式(1)的通式及其参数范围，仅公开了具体化合物LiCoO₂。 | 对比文件虽然公开了具体化合物LiCoO₂，但未公开通式(1)及其参数范围，本领域技术人员不能从对比文件直接得出该通式定义，因此未公开。 |
| **技术特征L**：M是指具有+2～+4氧化数的至少一种金属的阳离子<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未提及M的定义，因此未公开。 |
| **技术特征M**：A为单价或二价阴离子<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未提及A的定义，因此未公开。 |
| **技术特征N**：LiaMn2-bM'bO4-cA'c (2) 其中0.8＜a≤1.3，0≤b≤0.5，且0≤c≤0.3<br>**未公开** | 对比文件未记载式(2)的通式及其参数范围，仅公开了具体化合物LiMn₂O₄。 | 对比文件虽然公开了具体化合物LiMn₂O₄，但未公开通式(2)及其参数范围，因此未公开。 |
| **技术特征O**：M'是指具有+2～+4氧化数的至少一种金属的阳离子<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未提及M'的定义，因此未公开。 |
| **技术特征P**：A'为单价或二价阴离子<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未提及A'的定义，因此未公开。 |
| **技术特征Q**：其中所述第一种碳相对于容量具有0.01m²/mAh～0.031m²/mAh的比表面积<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开碳的比表面积参数，因此未公开。 |
| **技术特征R**：所述第二种碳相对于容量具有0.0035m²/mAh～0.017m²/mAh的比表面积<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开碳的比表面积参数，因此未公开。 |
| **技术特征S**：其中所述第一正极活性材料相对于容量具有0.03μm·g/mAh～0.1μm·g/mAh的平均粒径<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开第一正极活性材料的平均粒径及其与容量的关系，因此未公开。 |
| **技术特征T**：其中所述第一正极活性材料在2.65g/cc～2.85g/cc的粉末密度下具有1×10⁻³ S/cm以上且小于10×10⁻³ S/cm的粉末电导率<br>**未公开** | 对比文件[2]“予備実験2”中提及LCO的粉体导电率约为10⁻⁴ S/cm量级，但未给出粉末密度条件，且数值不在目标范围内。 | 对比文件公开的LCO导电率（约10⁻⁴ S/cm）与本特征要求的1×10⁻³～10×10⁻³ S/cm不同，且未提及粉末密度，因此未公开。 |
| **技术特征U**：其中所述第二正极活性材料相对于容量具有0.1μm·g/mAh～0.2μm·g/mAh的平均粒径<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开第二正极活性材料的平均粒径及其与容量的关系，因此未公开。 |
| **技术特征V**：其中所述第二正极活性材料在2.65g/cc～2.85g/cc的粉末密度下具有1×10⁻⁵ S/cm以上且小于10×10⁻⁵ S/cm的粉末电导率<br>**未公开** | 对比文件[2]“予備実験2”中提及LMO的粉体导电率约为10⁻⁵ S/cm量级，但未给出粉末密度条件。 | 对比文件虽然公开了LMO导电率约10⁻⁵ S/cm，但未明确在指定的粉末密度范围内，且该数值仅为大致量级，不能确定是否完全落入本特征的范围，因此未公开。 |
| **技术特征W**：其中在式(1)中，M为选自Al、Mg和Ti中的至少一种元素<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未提及式(1)中M的选择，因此未公开。 |
| **技术特征X**：在式(2)中，M'为选自Co、Mn、Ni、Al、Mg and Ti中的至少一种元素<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未提及式(2)中M'的选择，因此未公开。 |
| **技术特征Y**：其中在式(1)和(2)中，A和A'各自独立地为选自卤素、S和N中的至少一种元素<br>**未公开** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未提及A和A'的定义，因此未公开。 |
| **技术特征Z**：其中所述隔膜为有机-无机复合隔膜<br>**未公开** | 对比文件[2]“セパレータの作製”部分使用聚乙烯微多孔膜，为有机隔膜，无机复合。 | 对比文件仅公开了聚乙烯微多孔膜，未涉及有机-无机复合隔膜，因此未公开。 |
### 结论代码
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征A、B、C、D、E、J，未公开其他技术特征。
<<<A>>><<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<E>>><<<J>>>