对比文件名称：2003-07-24_WO2003060956A_发明申请_WO03060956A2 NEW MATERIAL FOR TRANSPORTING ELECTRONS AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY USING THE SAME
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：DeepSeek-Chat
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板 - 直接公开 | [p0042] “基板(1)支撑有机电致发光器件，可以使用硅晶片、石英或玻璃板、金属板、塑料膜或片等。” | 对比文件明确公开了有机电致发光器件包括基板，并且基板是设置在阳极下方，因此本领域技术人员可以直接确定该技术特征。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极 - 不公开 | 对比文件没有公开透明阴极设置在基板上。对比文件公开的是阳极在基板上，阴极在有机层上方（[p0042]图1，[p0049]阴极材料）。 | 对比文件描述的是正序结构，阴极位于顶部且通常不透明（如LiF/Al），没有公开或暗示透明阴极直接设置在基板上。因此本领域技术人员不能直接从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征C：阳极 - 直接公开 | [p0043] “在基板(1)上，设置阳极(2)。阳极(2)将空穴注入到其上的空穴注入层(3)中。为此，可以使用例如铝、金、银、镍、钯、铂等金属，或具有大功函数的材料如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等，也可以使用导电聚合物如碳黑、聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺等。” | 对比文件明确公开了有机电致发光器件包括阳极，并且阳极设置在基板上，因此直接公开了存在阳极。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层 - 不公开 | 对比文件没有公开透明阴极。对比文件公开的有机材料层设置在阳极和阴极之间（[p0042]图1：基板1、阳极2、空穴注入层3、空穴传输层4、发光层5、电子传输层6、阴极7）。 | 对比文件没有公开透明阴极，因此不存在“设置在透明阴极和阳极之间的有机材料层”这一结构。本领域技术人员不能从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层 - 隐含公开 | [p0048] “已知用低功函数的导电金属掺杂电子传输层可以增强来自阴极的电子注入并与金属阴极层形成稳定界面。” [p0046]公开了发光层，[p0048]公开了电子传输层。 | 对比文件明确教导了可以在电子传输层中掺杂低功函数导电金属，这实质上形成了n型掺杂的电子传输层。虽然对比文件没有使用“n型掺杂”这一术语，但本领域技术人员根据该教导可以合理推断出对比文件公开了n型掺杂的电子传输层。同时，对比文件公开了发光层，因此有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层被隐含公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂 - 隐含公开 | 同上[p0048] “doping of the electron transportation layer with conductive metals having low work-functions”。 | 对比文件公开了在电子传输层中掺杂低功函数金属，即电子传输层包含电子传输材料和掺杂剂（低功函数金属），因此隐含公开了该特征。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间 - 不公开 | 对比文件没有公开透明阴极。对比文件中电子传输层设置在发光层和阴极之间（正序）[p0048] “电子传输层(6)位于发光层(5)之上”。 | 由于对比文件没有公开透明阴极，因此不存在n型掺杂的电子传输层设置于透明阴极和发光层之间的结构。本领域技术人员不能从对比文件得出该特征。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％ - 不公开 | 对比文件没有公开n型掺杂剂的具体含量范围。[p0048]仅提到“doping”，未给出具体比例。 | 对比文件没有提供任何关于掺杂剂含量的数值范围，本领域技术人员无法从对比文件直接或隐含得出1至20wt%的具体含量。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种 - 不公开 | 对比文件提到低功函数金属如“tin, magnesium, indium, calcium, sodium, lithium, aluminum, silver” [p0049]，但作为阴极材料，而非作为掺杂剂。对于电子传输层掺杂，仅提到“conductive metals having low work-functions” [p0048]，没有具体列举。对比文件实施例中使用LiF作为单独的电子注入层，而非掺杂在电子传输层中。 | 对比文件没有公开任何具体化合物或金属作为电子传输层的n型掺杂剂，本领域技术人员不能从对比文件确定具体掺杂剂种类，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成 - 直接公开（针对阳极部分） | [p0043] “具有大功函数的材料如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等”用于阳极。 | 对比文件公开了阳极由具有大功函数的材料如ITO、IZO形成，这些材料的功函数通常大于2.7eV（实际上大于4.5eV），因此直接公开了阳极由具有2.7eV以上功函数的材料形成。对于透明阴极，对比文件未公开，但特征J为“或”的关系，因此该特征整体被直接公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成 - 不公开 | 对比文件没有公开透明阴极。对比文件公开的阴极材料为低功函数金属或LiF/Al等（[p0049]），不是透明金属氧化物。 | 对比文件没有公开任何透明阴极，因此没有公开透明阴极的材料。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的 - 直接公开 | [p0043] 公开了阳极由ITO、IZO等透明导电材料形成。 | 对比文件公开的阳极材料如ITO、IZO是透明的，因此直接公开了阳极是透明的。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极 - 直接公开 | [p0043] “具有大功函数的材料如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等”。 | 对比文件公开了阳极由ITO或IZO形成，这些是透明金属氧化物，因此直接公开了该特征（至少部分公开了ITO和IZO，ZnO未公开但选择范围包括）。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物 - 直接公开 | [p0052] “具有咪唑基、噁唑基和噻唑基的有机小分子已被频繁报道作为电子注入和传输层的材料。” 对比文件也公开了其化学式1-5的化合物含有这些基团，并用于电子传输层。此外，[p0011]公开了Alq3（8-羟基喹啉铝）作为电子传输材料，含有喹啉基。 | 对比文件明确公开了电子传输材料可以含有咪唑基、噁唑基、噻唑基，并且实施例中使用了Alq3（含喹啉基），因此直接公开了该技术特征（至少公开了咪唑基、噁唑基、噻唑基和喹啉基，邻二氮杂菲未公开但满足至少一种）。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度 - 不公开 | 对比文件没有提及任何关于浓度梯度的内容。 | 对比文件完全没有涉及n型掺杂剂的浓度梯度，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层 - 不公开 | 对比文件没有公开n型掺杂的电子传输层，也没有公开在n型掺杂的电子传输层和发光层之间设置另一电子传输层。 | 对比文件未公开该结构，因此不公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成 - 不公开 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触 - 不公开 | 对比文件未公开透明阴极，也未公开n型掺杂的电子传输层与透明阴极接触。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层 - 直接公开 | [p0044] “在阳极(2)上，设置空穴注入层(3)。” [p0045] “在空穴注入层(3)上，设置空穴传输层(4)。” | 对比文件明确公开了有机材料层包括空穴注入层和空穴传输层，因此直接公开了该特征。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上 - 直接公开 | [p0044] “在阳极(2)上，设置空穴注入层(3)。” 在正序结构中，空穴注入层是最临近阳极的有机材料层。 | 对比文件公开了最临近阳极的有机材料层是空穴注入层，因此直接公开了有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上的层。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物 - 不公开 | 对比文件没有公开式23的化合物。 | 对比文件未公开该化合物。 |
| 技术特征V：[式23] - 不公开 | 对比文件没有公开式23。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺 - 不公开 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中 - 不公开 | 对比文件未公开。 | 对比文件未公开。 |
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