对比文件的名称：2007-01-18_JP2007012946A_发明专利_JP2007012946A Organic electroluminescence element and display device or light emitting device with it
目标专利的名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：deepseek-chat
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板《直接公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“ガラスまたはプラスチック等からなる透明の基板１上に、…”（中文：在由玻璃或塑料等构成的透明基板1上，…） | 对比文件明确公开了有机EL元件包括基板（基板1），因此技术特征A被直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极《未公开》 | 对比文件公开的阴极8设置在有机层上，而非基板上，且阴极不透明（底部发射）或透明但位于顶部（顶部发射）。具体：底部发射中阴极8为LiF/Al（不透明）；顶部发射中阴极8为ITO/Ag（透明但位于顶部）。 | 对比文件均未公开阴极直接设置在基板上，而是阳极设置在基板上，因此技术特征B未被公开。 |
| 技术特征C：阳极《直接公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“陽極である陽極２”（阳极2），以及“ガラスからなる基板１上にインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）層を形成し…陽極２を作成した”。 | 对比文件明确公开了阳极，通常由ITO等形成，因此技术特征C被直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层《直接公开》 | 对比文件说明书第[2]段（顶部发射结构）：“陰極８は、透明な材料からなる。陰極８は、例えば膜厚約１００ｎｍのインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）と膜厚約２０ｎｍの銀とを積層することにより形成される。”以及“有機ＥＬ素子１００は、陽極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、橙色発光層５、青色発光層６、電子輸送層７および陰極８を順に備え”。在顶部发射结构中，有机材料层（空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层）设置在阳极2和透明阴极8之间。 | 对比文件顶部发射实施例中，阳极2为ITO（透明），阴极8为ITO/Ag（透明），有机材料层位于两者之间，因此技术特征D被直接公开。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层《未公开》 | 对比文件公开了发光层（橙色发光层5、蓝色发光层6）和电子传输层7，但电子传输层未提及掺杂，且未公开n型掺杂。 | 对比文件未公开任何n型掺杂的电子传输层，因此技术特征E未被公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂《未公开》 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层。 | 对比文件未公开任何形式的n型掺杂层，因此技术特征F未被公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间《未公开》 | 对比文件电子传输层7设置在阴极8和发光层之间，但并非n型掺杂。 | 由于对比文件未公开n型掺杂的电子传输层，因此技术特征G未被公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％《未公开》 | 对比文件未涉及n型掺杂。 | 对比文件未公开任何关于n型掺杂剂含量的技术内容，因此技术特征H未被公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种《未公开》 | 对比文件在阴极中使用了LiF（実施例１：陰極８は、１ｎｍのフッ化リチウム（ＬｉＦ）膜および２００ｎｍのアルミニウム膜を積層），但LiF作为阴极电子注入层，并非作为n型掺杂剂掺杂在电子传输层中。 | 对比文件未公开将LiF等作为n型掺杂剂用于电子传输层，因此技术特征I未被公开。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成《直接公开》 | 对比文件公开阳极为ITO（功函数约4.7eV），阴极在顶部发射实施例中为ITO（功函数约4.7eV）。具体：陽極２は、例えばインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明な金属酸化膜；陰極８は、例えば膜厚約１００ｎｍのインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）。 | 对比文件公开的阳极和透明阴极均由ITO形成，其功函数大于2.7eV，因此技术特征J被直接公开。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成《直接公开》 | 对比文件顶部发射实施例中，阴极8由ITO形成（陰極８は、例えば膜厚約１００ｎｍのインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ））。 | 对比文件明确公开了透明阴极为ITO，因此技术特征K被直接公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的《直接公开》 | 对比文件阳极为ITO，是透明的金属氧化物（陽極２は、例えばインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明な金属酸化膜）。 | 对比文件公开的阳极为透明ITO，因此技术特征L被直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极《直接公开》 | 对比文件阳极为ITO（同L）。 | 对比文件公开的阳极为ITO透明电极，因此技术特征M被直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物《隐含公开》 | 对比文件公开了电子传输层7的材料，例如式（11）的BCP（2,9-ジメチル-4,7-ジフェニル-1,10-フェナントロリン），属于邻二氮杂菲衍生物；以及式（12）的Alq3（トリス(8-ヒドロキシキノリナト)アルミニウム），属于喹啉衍生物。 | 对比文件公开了电子传输材料可以使用含有邻二氮杂菲基团（BCP）或喹啉基团（Alq3）的化合物，这些官能团与目标专利特征N中列举的官能团部分重叠。虽然对比文件未公开将电子传输层进行n型掺杂，但本领域技术人员在阅读对比文件后，基于公知常识，容易想到将这类电子传输材料用于n型掺杂的电子传输层。因此，对比文件部分公开了技术特征N的内容，可能与其他对比文件组合得到该特征，故认为隐含公开。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度《未公开》 | 对比文件未涉及任何浓度梯度的内容。 | 对比文件未公开任何关于n型掺杂剂浓度梯度的信息，因此技术特征O未被公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层《未公开》 | 对比文件电子传输层7设置在阴极8和发光层之间，但未涉及n型掺杂的电子传输层和另一电子传输层的双层结构。 | 由于对比文件未公开n型掺杂的电子传输层，更未公开在其与发光层之间设置另一电子传输层，因此技术特征P未被公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成《未公开》 | 同P。 | 基于P未公开，Q也未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触《未公开》 | 对比文件电子传输层7与阴极8接触，但非n型掺杂。 | 对比文件未公开n型掺杂的电子传输层，因此技术特征R未被公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层《直接公开》 | 对比文件说明书第[2]段：“有機ＥＬ素子１００は、陽極２、ホール注入層３、ホール輸送層４、橙色発光層５、青色発光層６、電子輸送層７および陰極である陰極８を順に備え”。其中明确包括空穴注入层3和空穴传输层4。 | 对比文件公开了有机材料层包括空穴注入层和空穴传输层，因此技术特征S被直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上《直接公开》 | 对比文件层结构顺序为：阳极2/空穴注入层3/空穴传输层4/…，其中空穴注入层3最临近阳极2。 | 对比文件公开了有机材料层中与阳极接触的最上侧层（空穴注入层），因此技术特征T被直接公开。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物《未公开》 | 对比文件未公开式23的化合物。 | 对比文件未公开任何与式23对应的化合物，因此技术特征U未被公开。 |
| 技术特征V：[式23]《未公开》 | 对比文件无式23。 | 同U，未公开。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺《未公开》 | 对比文件未公开式23及取代基定义。 | 对比文件未公开该特征。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中《未公开》 | 同W。 | 对比文件未公开。 |
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