对比文件名称：2005-05-26_JP2005515233A_发明专利_JP2005515233A The new electron transport material and an organic light emitting device using the same
目标专利名称：1800有机发光二极管及其制备方法CN102172103B
本次调用的模型名称：AI模型（未指定）
### 特征比对表格
| 第一栏：技术特征描述及公开性判断结果 | 第二栏：对比文件原文引用 | 第三栏：公开性论述 |
| 技术特征A：其包括基板（直接公开） | “基板１”（参见对比文件第[2]段） | 对比文件明确公开了基板作为有机发光器件的支撑体，与目标专利中基板的作用相同，本领域技术人员能够毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：设置在所述基板上的透明阴极（未公开） | 对比文件全文未公开透明阴极，阴极设置于基板对侧且由金属形成（如LiF/Al，参见第[2]段及实施例） | 对比文件中的阴极位于器件顶部，并非设置在基板上，且为不透明金属，没有公开透明阴极设置在基板上的结构，因此未公开。 |
| 技术特征C：阳极（直接公开） | “陽極２”（参见对比文件第[2]段） | 对比文件明确公开了阳极，位于基板上，用于注入空穴，与目标专利中阳极作用相同，直接公开。 |
| 技术特征D：设置在所述透明阴极和阳极之间的有机材料层（未公开） | 对比文件未公开透明阴极，其有机材料层位于阳极（基板侧）和阴极（顶部）之间 | 由于对比文件没有透明阴极，且电极顺序不同，因此未公开“设置在透明阴极和阳极之间”的有机材料层。 |
| 技术特征E：所述有机材料层包括发光层和n型掺杂的电子传输层（隐含公开） | “低い仕事関数を有する導電性物質で前記電子輸送層をドーピングすると陰極からの電子注入が増加し”（参见对比文件第[2]段） | 对比文件指出用低功函数导电物质掺杂电子传输层可增加电子注入，这实质上是n型掺杂。本领域技术人员可合理推断出有机材料层可包含发光层和n型掺杂的电子传输层，因此隐含公开。 |
| 技术特征F：所述n型掺杂的电子传输层包括电子传输材料和n型掺杂剂（隐含公开） | 同上，对比文件提到电子传输层（如化学式1-4化合物）和掺杂（低功函数导电物质） | 对比文件公开了电子传输材料（其化合物）和掺杂剂（低功函数物质），本领域技术人员可合理推断出电子传输层包含电子传输材料和n型掺杂剂，因此隐含公开。 |
| 技术特征G：所述n型掺杂的电子传输层设置于所述透明阴极和发光层之间（未公开） | 对比文件未公开透明阴极，其电子传输层设置于发光层与阴极（金属）之间 | 对比文件未涉及透明阴极，且电子传输层位于发光层与金属阴极之间，与目标专利中透明阴极不同，因此未公开。 |
| 技术特征H：基于所述n型掺杂的电子传输层材料的总重量，所述n型掺杂剂的含量为1至20wt％（未公开） | 对比文件未提及任何掺杂剂含量 | 对比文件没有给出掺杂剂的具体含量范围，本领域技术人员无法确定该含量，因此未公开。 |
| 技术特征I：所述n型掺杂剂包括选自NaF、CsF、MgF2、CaF2、MgO、CaO、BaO、SrO、Na2O、K2O、Cs2O、Cs2CO3、Mg、Ca、Na、K、Cs、LiF和KF中的至少一种（未公开） | 对比文件仅提到“低い仕事関数を有する導電性物質”，未具体列举 | 对比文件只泛泛提及低功函数导电物质，未给出具体种类，因此未公开。 |
| 技术特征J：所述透明阴极或阳极由具有2.7eV以上功函数的电极材料形成（直接公开） | “インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム−亜鉛酸化物（ＩＺＯ）などの仕事関数の大きな物質を用いることができ”（参见对比文件第[2]段） | 对比文件明确公开阳极由ITO、IZO等高功函数材料形成，这些材料功函数通常大于2.7eV，因此直接公开了阳极由高功函数材料形成。 |
| 技术特征K：所述透明阴极由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成（未公开） | 对比文件未公开透明阴极，其阴极由金属形成 | 对比文件没有透明阴极，也未提及ITO、IZO或ZnO用于阴极，因此未公开。 |
| 技术特征L：所述阳极是透明的（直接公开） | 同上，阳极由ITO、IZO等形成，这些材料透明 | 对比文件中的阳极（ITO）是透明的，因此直接公开。 |
| 技术特征M：所述阳极为由选自ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)和氧化锌(ZnO)中的至少一种透明金属氧化物形成的透明阳极（直接公开） | 同上，阳极由ITO形成 | 对比文件明确公开阳极由ITO形成，属于所列透明金属氧化物，因此直接公开。 |
| 技术特征N：所述n型掺杂的电子传输层的电子传输材料包括含有选自咪唑基、噁唑基、噻唑基、喹啉和邻二氮杂菲中的至少一种官能团的化合物（直接公开） | “イミダゾール基、オキサゾール基、チアゾール基を有する有機単分子物質”（参见对比文件第[2]段）及化学式1-5 | 对比文件公开了含咪唑基、噁唑基、噻唑基的化合物作为电子传输材料，因此直接公开了至少这些官能团，满足“选自...至少一种”的要求。 |
| 技术特征O：所述n型掺杂剂具有根据n型掺杂的电子传输层厚度的浓度梯度（未公开） | 对比文件未提及任何浓度梯度 | 对比文件没有涉及掺杂剂浓度梯度的概念，因此未公开。 |
| 技术特征P：所述有机材料层进一步包括设置于所述n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层（未公开） | 对比文件仅有一个电子传输层 | 对比文件中的电子传输层直接位于发光层和阴极之间，没有设置额外的电子传输层，因此未公开。 |
| 技术特征Q：所述设置于n型掺杂的电子传输层和发光层之间的电子传输层由与n型掺杂的电子传输层的电子传输材料相同的材料形成（未公开） | 同P，对比文件没有两个电子传输层 | 对比文件未公开两个电子传输层，更未提到材料相同，因此未公开。 |
| 技术特征R：所述n型掺杂的电子传输层与所述透明阴极接触（未公开） | 对比文件电子传输层与金属阴极接触，但未公开透明阴极 | 由于对比文件没有透明阴极，电子传输层与不透明金属阴极接触，因此未公开。 |
| 技术特征S：所述有机材料层进一步包括空穴传输层和空穴注入层中的至少一层（直接公开） | “正孔注入層３”、“正孔輸送層４”（参见对比文件第[2]段及实施例） | 对比文件明确公开了空穴注入层和空穴传输层，因此直接公开。 |
| 技术特征T：所述有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上（直接公开） | “正孔注入層３”位于阳极上（参见对比文件第[2]段及图1） | 对比文件中，最临近阳极的有机层是空穴注入层，因此直接公开了有机材料层包括置于最临近阳极的最上侧上的层（空穴注入层）。 |
| 技术特征U：所述有机材料层含有下式23的化合物（未公开） | 对比文件未公开式23化合物 | 对比文件中的化合物为基于蒽的衍生物（化学式1-5），与式23结构不同，因此未公开。 |
| 技术特征V：[式23]（未公开） | 同上 | 对比文件未公开式23。 |
| 技术特征W：其中，R1d至R6d各自选自氢、卤素原子、氰基(-CN)、硝基(-NO2)、磺酰基(-SO2R)、亚砜基(-SOR)、磺胺基(-SO2NR)、磺酸酯基(-SO3R)、三氟甲基(-CF3)、酯基(-COOR)、酰胺基(-CONHR或-CONRR’)、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷氧基、取代或未取代的直链或支链C1-C12烷基、取代或未取代的芳香族或非芳香杂环、取代或未取代的芳基、取代或未取代的单芳基胺或二芳基胺和取代或未取代的芳烷基胺（未公开） | 对比文件未公开式23，也未涉及这些取代基定义 | 对比文件没有公开式23化合物，因此不可能公开其取代基定义。 |
| 技术特征X：R和R’各自选自取代或未取代的C1-C60烷基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的5-7元杂环中（未公开） | 同上 | 对比文件未公开式23，因此未公开R和R’的定义。 |
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