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对比文件列表
2004-03-04_US2004041222A_发明申请_US20040041222A1 Power surface mount light emitting die package_+++A_B_C_D_E_F_G_K_M_N_O_Q+++.docx
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2004-09-09_US2004173810A_发明申请_US20040173810A1 LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE STRUCTURE_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_T_n+++.docx
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2004-11-01_TW200423420A_发明专利_TW200423420A 高熱導發光二極體及其製作方法_+++A_B_F_G_I_K_O_T_c_h_l+++.docx
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2004-11-18_JP2004327863A_发明专利_JP2004327863A Semiconductor light emitting device having reflection plate with heat dissipation function_+++B_D_E_F_G_T_a_c_l_m_n+++.docx
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2006-08-10_US2006175716A_发明申请_US20060175716A1 Molded package and semiconductor device using molded package_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_M_P_T_U_V_W_n_q+++.docx
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2007-03-14_JP3891115B_发明专利_JP3891115B2 Luminescent device_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_R_T_q+++.docx
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2007-04-12_JP2007091884A_发明专利_JP2007091884A Transparent and highly thermally conductive resin composition, transparent high thermal conductor and light emitting diode_+++B_D_E_a_c_m+++.docx
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2008-02-07_None_发明专利_JPWO2005091386A1 照明装置_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_L_M_N_O_Q_R_T_p+++.docx
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2008-02-28_JP2008047809A_发明专利_JP2008047809A Full-color led_+++A_B_C_D_E_M_f_g_k_l_n+++.docx
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2008-11-06_JP2008270709A_发明专利_JP2008270709A Heat-dissipating resin composition, substrate for mounting led, reflector, and substrate for mounting led provided with reflector portion_+++A_B_C_D_E_G_H_M_Q_T_f_k_n_o_p+++.docx
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2008-12-04_US2008298063A_发明申请_US20080298063A1 LIGHT EMITTING APPARATUS, RESIN MOLDING DEVICE COMPOSING LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR PRODUCING THE SAME_+++A_B_C_D_E_F_G_H_L_M_P_T_n+++.docx
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2009-01-01_US2009001405A_发明申请_US20090001405A1 LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_M_O_Q_R_T_V_n_p_u+++.docx
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2009-03-26_JP2009513003A_发明专利_JP2009513003A It led with a light-transmitting heat sink_+++B_C_D_F_G_H_M_O_R_a_e_k_l_n_p+++.docx
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2009-04-02_JP2009071090A_发明专利_JP2009071090A Light-emitting device_+++A_B_C_D_E_H_M_P_T_f_g_i_n+++.docx
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2009-05-07_JP2009099823A_发明专利_JP2009099823A Light-emitting device_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_T_U_V_W_Y_n_p+++.docx
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2009-06-18_JP2009135153A_发明专利_JP2009135153A Light emitting device_+++B_D_E_H_T_a_c_f_g_k_l_m_o+++.docx
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2009-08-19_KR1020090088134A_发明公开_KR1020090088134A 내열도, 반사율 및 열전도도가 우수한 수지 조성물 및 제조방법_+++A_B_c_f_g_k_l+++.docx
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2009-11-18_CN101583670A_发明公开_CN101583670A 散热性树脂组合物、LED实装用基板、反射器以及具有反射器部的LED实装用基板_+++A_B_C_D_E_F_G_H_M_N_Q_R_T_U_V+++.docx
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WO2005091386A1_Description_20260718_2036_+++A_B_C_D_E_F_G_H_K_M_O_P_Q_R_T_i_l_n_s_z+++.docx
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2009-08-19_KR1020090088134A_发明公开_KR1020090088134A 내열도, 반사율 및 열전도도가 우수한 수지 조성물 및 제조방법_+++A_B_c_f_g_k_l+++.docx

对比文件名称:2009-08-19_KR1020090088134A_发明公开_KR1020090088134A 내열도, 반사율 및 열전도도가 우수한 수지 조성물 및 제조방법

目标专利名称:1805发光器件封装CN102082223B

本次调用的模型名称:深度思考(DeepSeek)

## 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
技术特征A:包括封装主体(直接公开)对比文件[1]:“主要用途是可用于LED封装外壳。”对比文件明确提及“LED封装外壳”,该外壳即为目标专利中的封装主体,因此本领域技术人员能够毫无疑义地得出该特征。
技术特征B:发光器件(直接公开)对比文件[2]:“LED芯片”、“发光二极管”。对比文件公开了“LED芯片”或“发光二极管”,即等同于目标专利的发光器件,因此直接公开。
技术特征C:发光器件位于封装主体的腔体中(隐含公开)对比文件[2]:“LED芯片被驱动发光时,部分光被白色封装外壳反射”。对比文件描述芯片被封装外壳包围,外壳内部必然形成容纳芯片的空间(即腔体),因此可合理推断出发光器件位于该腔体中。
技术特征D:树脂层(未公开)对比文件未提及。对比文件涉及封装外壳材料,未公开任何覆盖发光器件的树脂层。
技术特征E:树脂层用于覆盖发光器件(未公开)对比文件未提及。对比文件未公开树脂层,更未公开其覆盖发光器件。
技术特征F:第一电极和第二电极(隐含公开)对比文件[2]:“从引线框架方向发射”。对比文件提到“引线框架”,引线框架是LED封装中用于电连接的金属结构,通常包括多个电极(如阳极和阴极),因此可合理推断出存在第一电极和第二电极。
技术特征G:第一电极和第二电极连接到发光器件(隐含公开)对比文件[2]:“LED芯片被驱动发光时,……从引线框架方向发射”。芯片发光需要电流驱动,必然通过引线框架与芯片连接,因此可合理推断出电极与发光器件连接。
技术特征H:封装主体包括这样的材料(未公开)对比文件[1]:“具有90%以上高反射率、0.35W/mK以上优秀热导率、260℃以上优秀耐热性的材料组合物”;[8]-[13]给出具体组分。对比文件公开了封装外壳材料具有高导热性(0.35W/mK以上),而目标专利的特征H在上下文(特征I、J)中要求封装主体材料导热性比树脂层低,且差值至少10W/mK,属于低导热性材料。对比文件未公开低导热性材料,也未公开任何与树脂层导热性的比较,因此特征H未公开。
技术特征I:材料的导热性比构成树脂层的材料的导热性更低(未公开)对比文件未提及树脂层导热性,也未进行比较。对比文件未公开树脂层,也未比较封装主体与树脂层的导热性。
技术特征J:差值至少10W/m.k(未公开)对比文件未提及。对比文件未公开任何导热性差值。
技术特征K:发光器件安装在第一电极上(隐含公开)对比文件[2]提及引线框架。引线框架的其中一个电极通常作为芯片安装的焊盘,因此可合理推断出发光器件安装在第一电极上。
技术特征L:封装主体设置在第一电极和第二电极上(隐含公开)对比文件[2]:“白色封装外壳包围芯片”。封装外壳通常覆盖在引线框架上并与其结合,因此可合理推断出封装主体设置在第一电极和第二电极上。
技术特征M:树脂层放置在封装主体的腔体中(未公开)对比文件未提及。对比文件未公开树脂层及其在腔体中的放置。
技术特征N:第一和第二电极的导热性高于树脂层的导热性(未公开)对比文件未提及电极导热性,也未提及树脂层。对比文件未公开任何导热性比较。
技术特征O:第一电极连接到发光器件的下部(未公开)对比文件未提及连接位置。对比文件未公开具体的连接方式或位置。
技术特征P:第一和第二电极包括铜的合金或者铝的合金(未公开)对比文件未提及电极材料。对比文件未公开电极材料。
技术特征Q:还包括放置在树脂层上的透镜部(未公开)对比文件未提及。对比文件未公开透镜部。
技术特征R:封装主体包括这样的材料(未公开)对比文件[1]公开材料,但该材料是高导热性。同特征H,目标专利中特征R与特征S、Z关联,要求封装主体材料导热性低于透镜部材料,对比文件未公开透镜部,也未公开低导热性材料。
技术特征S:材料的导热性低于构成透镜部的材料的导热性(未公开)对比文件未提及透镜部。对比文件未公开透镜部,无法比较。
技术特征T:树脂层包括至少一种磷光体(未公开)对比文件未提及。对比文件未公开树脂层或磷光体。
技术特征U:腔体包括第一腔体(未公开)对比文件未提及。对比文件未公开腔体结构的具体划分。
技术特征V:第一腔体填充有树脂层(未公开)对比文件未提及。对比文件未公开树脂层填充。
技术特征W:和第二腔体(未公开)对比文件未提及。对比文件未公开第二腔体。
技术特征X:第二腔体填充有透镜部(未公开)对比文件未提及。对比文件未公开透镜部填充。
技术特征Y:第二腔体的直径大于第一腔体的直径(未公开)对比文件未提及。对比文件未公开腔体尺寸关系。
技术特征Z:构成封装主体的材料和构成透镜部的材料之间的导热性的差值至少是0.01W/m.k(未公开)对比文件未提及。对比文件未公开透镜部,也未公开导热性差值。

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