对比文件名称：2009-01-01_US2009001405A_发明申请_US20090001405A1 LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
目标专利名称：1805发光器件封装CN102082223B
调用模型名称：AI助手
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **特征A：包括封装主体（直接公开）** | [0015] “发光器件封装100包括硅框架101A、基底基板111、电极垫113和115、以及发光二极管121。” | 对比文件明确公开了硅框架101A作为封装主体的一部分，用于支撑和容纳发光器件，因此直接公开。 |
| **特征B：发光器件（直接公开）** | [0015] “...发光二极管121。” | 对比文件明确公开了发光二极管121，即发光器件，因此直接公开。 |
| **特征C：所述发光器件位于所述封装主体的腔体中（直接公开）** | [0018] “开口103是发光二极管121设置的部分。” | 对比文件公开了硅框架101A具有开口103，发光二极管121设置在开口103中，开口103即为腔体，因此直接公开。 |
| **特征D：树脂层（直接公开）** | [0025] “树脂材料123，例如透明环氧树脂和硅树脂，可以用作模塑材料。” | 对比文件明确公开了树脂材料123，即树脂层，因此直接公开。 |
| **特征E：所述树脂层用于覆盖所述发光器件（直接公开）** | [0025] “树脂材料123...在开口103中形成，其中发光器件121设置。” | 对比文件公开了树脂材料123在开口103中形成，覆盖发光器件121，因此直接公开。 |
| **特征F：第一电极和第二电极（直接公开）** | [0015] “...电极垫113和115。” | 对比文件明确公开了电极垫113和115，即第一电极和第二电极，因此直接公开。 |
| **特征G：所述第一电极和第二电极连接到所述发光器件（直接公开）** | [0023] “发光器件121附着在至少一个电极垫113上，并通过线122连接到另一个电极垫115。” | 对比文件公开了发光器件121与电极垫113和115的电连接，因此直接公开。 |
| **特征H：其中，所述封装主体包括这样的材料（直接公开）** | [0016] “硅框架101A可以包括硅和碳化硅（SiC）。” | 对比文件公开了硅框架101A的材料为硅或碳化硅，因此直接公开封装主体包含材料。 |
| **特征I：所述材料的导热性比构成所述树脂层的材料的导热性更低（未公开）** | [0030] “硅晶圆101具有140W/mK或更高的高热导率。” | 对比文件公开硅的导热性很高（140W/mK以上），而树脂层的导热性通常较低（约0.1-0.3W/mK），因此硅的导热性远高于树脂层，而非更低。对比文件未公开且教导相反，故未公开。 |
| **特征J：构成所述封装主体的材料和构成所述树脂层的材料之间的导热性的差值至少是10W/m.k（未公开）** | 无直接引用 | 对比文件未公开封装主体与树脂层之间的导热性差值，且封装主体（硅）导热性更高，与目标专利要求的方向相反，故未公开。 |
| **特征K：其中，所述发光器件安装在所述第一电极上（直接公开）** | [0023] “发光器件121附着在至少一个电极垫113上...” | 对比文件公开了发光器件121附着在电极垫113上，电极垫113即为第一电极，因此直接公开。 |
| **特征L：所述封装主体设置在所述第一电极和第二电极上（未公开）** | [0017] “硅框架101A附着在基底基板111上。”[0022] “电极垫113和115在开口103内暴露并延伸到硅框架101A的两侧。” | 对比文件公开硅框架101A附着在基底基板111上，而电极垫113和115形成在基底基板上并部分暴露，硅框架并未直接设置在电极垫上，而是与电极垫并列，故未公开。 |
| **特征M：其中，所述树脂层放置在所述封装主体的腔体中（直接公开）** | [0025] “树脂材料123在开口103中形成。” | 对比文件公开树脂材料123在开口103（腔体）中，因此直接公开。 |
| **特征N：其中，所述第一和第二电极的导热性高于所述树脂层的导热性（隐含公开）** | [0020] “基底基板111可以包括由高导热性金属（如氧化铝、铜、钨）形成的基板。”[0025] “树脂材料123，例如透明环氧树脂和硅树脂。” | 对比文件虽未直接比较电极垫与树脂的导热性，但本领域技术人员公知金属电极（如铜、铝）的导热性远高于树脂材料，且对比文件强调基底基板的高导热性，因此可合理推断电极的导热性高于树脂层，故隐含公开。 |
| **特征O：其中，所述第一电极连接到所述发光器件的下部（直接公开）** | [0023] “在发光器件121是垂直型半导体发光器件的情况下，它可以使用导电粘合剂附着在电极垫113上。” | 对比文件公开了垂直型发光器件中，发光器件下部通过导电粘合剂连接到电极垫113，即第一电极连接下部，因此直接公开。 |
| **特征P：其中，所述第一和第二电极包括铜的合金或者铝的合金（隐含公开）** | [0020] “基底基板111可以包括由金属（如氧化铝、铜、钨）形成的基板。”[0022] “电极垫113和115形成在绝缘层112上。” | 对比文件未明确电极垫的具体材料，但本领域技术人员公知电极垫通常由导电金属如铜或铝制成，且基底基板也使用了铜等金属，因此可合理推断电极垫包括铜或铝合金，故隐含公开。 |
| **特征Q：还包括放置在所述树脂层上的透镜部（直接公开）** | [0025] “透镜可以附着在树脂材料上。” | 对比文件明确公开了透镜可以附着在树脂材料上，即透镜部，因此直接公开。 |
| **特征R：其中，所述封装主体包括这样的材料（直接公开）** | 同特征H，[0016] “硅框架101A可以包括硅和碳化硅（SiC）。” | 对比文件公开了封装主体（硅框架）的材料，因此直接公开。 |
| **特征S：所述材料的导热性低于构成所述透镜部的材料的导热性（未公开）** | [0030] “硅晶圆101具有140W/mK或更高的高热导率。” | 对比文件公开硅的导热性很高，而透镜部通常由树脂或玻璃等低导热材料制成，因此硅的导热性高于透镜部，而非更低。对比文件未公开且教导相反，故未公开。 |
| **特征T：其中，所述树脂层包括至少一种磷光体（直接公开）** | [0025] “荧光材料可以添加到树脂材料123中。” | 对比文件明确公开了树脂材料中可以添加荧光材料（磷光体），因此直接公开。 |
| **特征U：其中，所述腔体包括第一腔体（隐含公开）** | [0018] “开口103是发光二极管121设置的部分。” | 对比文件公开了硅框架101A中的开口103，该开口即构成腔体，可视为第一腔体，因此隐含公开。 |
| **特征V：所述第一腔体填充有所述树脂层（直接公开）** | [0025] “树脂材料123在开口103中形成。” | 对比文件公开了开口103（第一腔体）中填充有树脂材料123，因此直接公开。 |
| **特征W：和第二腔体（未公开）** | 无 | 对比文件仅有一个开口，未公开第二腔体，故未公开。 |
| **特征X：所述第二腔体填充有所述透镜部（未公开）** | 无 | 对比文件未公开第二腔体，透镜部附着在树脂层上而不在腔体中，故未公开。 |
| **特征Y：其中，所述第二腔体的直径大于所述第一腔体的直径（未公开）** | 无 | 对比文件未公开第二腔体，更未公开直径比较，故未公开。 |
| **特征Z：其中，构成所述封装主体的材料和构成所述透镜部的材料之间的导热性的差值至少是0.01W/m.k（未公开）** | 无 | 对比文件未公开封装主体与透镜部之间的导热性差值，且方向相反，故未公开。 |
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