对比文件：2000-03-29_EP0989616A_发明公开_EP0989616A2 Method and apparatus for producing photoelectric conversion device
目标专利：1807一种制作氮化物半导体器件的方法 CN102640258B
本次调用的模型名称：AI模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A**：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。**<br>公开性判断：未公开** | 对比文件[0024]：“第二半导体层3003可以是外延生长在分离层3002上的Si或GaAs层，或者设置在分离层3002上的多晶或非晶层。”<br>对比文件[0131]：图21C表示在多孔层2002上形成p型Si层2003。 | 对比文件涉及硅基太阳能电池，其外延层（Si或GaAs）直接生长在硅衬底的多孔层上，由于材料相同或相近，不存在显著的晶格失配和热膨胀系数差别问题，因此未公开缓冲层概念。对比文件未提及氮化镓（GaN）材料，也未公开将外延层用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。因此，技术特征A未被公开。 |
| **技术特征B**：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。**<br>公开性判断：隐含公开** | 对比文件[0008]：“将支撑衬底键合到第二半导体层的与分离层相反的一侧表面（bonding a support substrate to a surface of the second semiconductor layer opposite to the separation-layer-side surface）。”<br>对比文件[0022]：图32A-32D显示半导体衬底3004与支撑衬底3007键合，第二半导体层位于两者之间。 | 对比文件明确公开了在第二半导体层（即外延层）上形成支撑衬底的步骤，该第二半导体层通过外延生长获得。尽管对比文件具体实施方式中第二半导体层为Si或GaAs，但其公开的键合技术具有通用性。本领域技术人员由对比文件公开的内容能够合理推断，该步骤同样适用于氮化镓外延层，因为外延生长和支撑衬底键合是半导体器件制造中的常见工艺，不因材料类型而改变本质。因此，技术特征B被对比文件隐含公开。 |
| **技术特征C**：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。**<br>公开性判断：未公开** | 对比文件全文未提及在氮化镓外延层和第二支撑衬底的侧面和上表面形成钝化层。背景技术[0003]提到保护层2606，但该保护层用于背景技术中的机械分离，并非形成于外延层和支撑衬底的整个侧面和上表面，且作用不同。 | 对比文件采用水射流分离技术，不涉及利用钝化层作为掩膜进行蚀刻的步骤，因此未公开任何类似钝化层的形成工艺。技术特征C未被公开。 |
| **技术特征D**：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。**<br>公开性判断：未公开** | 对比文件无相应内容。 | 对比文件通过水射流分离第一和第二半导体层，无需使用钝化层作为掩膜进行化学蚀刻。技术特征D未被公开。 |
| **技术特征E**：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。**<br>公开性判断：未公开** | 对比文件无相应内容。 | 对比文件没有钝化层，因此没有去除钝化层的步骤。技术特征E未被公开。 |
| **技术特征F**：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。**<br>公开性判断：未公开** | 对比文件[0023]：图1C显示分离后得到第二半导体层5在支撑衬底2上，但未进行额外的单晶层生长。 | 对比文件在分离后直接在第二半导体层上制造光电转换器件，没有在去除钝化层后再生长单晶层的步骤。技术特征F未被公开。 |
| **技术特征G**：其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。**<br>公开性判断：未公开** | 对比文件无相应内容。 | 对比文件未公开任何钝化层材料，更未公开液体搪瓷、特氟龙、石蜡或聚酯。技术特征G未被公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。**<br>公开性判断：未公开** | 对比文件无相应内容。 | 对比文件没有钝化层，因此无相关固化工艺。技术特征H未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。**<br>公开性判断：直接公开** | 对比文件[0125]：“首先，提供Si晶片2001作为半导体衬底。”<br>对比文件[0002]：提及Si衬底作为常见衬底。 | 对比文件明确公开了使用硅衬底作为第一半导体层（对应于目标专利的第一支撑衬底），用于支撑和外延生长。硅衬底是目标专利列举的第一支撑衬底材料之一。因此，技术特征I被对比文件直接公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。**<br>公开性判断：未公开** | 对比文件[0147]：“当通过湿蚀刻去除多孔层2002时，使用API EZON蜡等保护玻璃衬底2007。” | 对比文件中的湿蚀刻用于去除多孔层，而非蚀刻第一支撑衬底（硅衬底）。对比文件通过水射流分离去除第一支撑衬底，未采用湿蚀刻选择性蚀刻该衬底。技术特征J未被公开。 |
| **技术特征K**：其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除。**<br>公开性判断：未公开** | 对比文件无相应内容。 | 对比文件没有钝化层，因此未公开用醇溶剂去除钝化层的步骤。技术特征K未被公开。 |
| **技术特征L**：其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。**<br>公开性判断：未公开** | 对比文件[0015]：“支撑衬底优选为透光衬底（light transmissive substrate）。”实施例中支撑衬底为玻璃。 | 对比文件公开的支撑衬底为玻璃，既不是与第一支撑衬底（硅）相同的材料，也不是金属导电材料。技术特征L未被公开。 |
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