The Non oBviousness
Game
Invalidation of patent, the AI way
最新资讯
登录
登录
The Non oBviousness
Game
主页
历史访问项目
登录后查看历史访问项目
Search
返回项目页面
对比文件列表
暂无对比文件
请从左侧选择对比文件查看内容
权利要求与技术特征
权利要求 1
A
其特征在于，所述方法包括，在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层
B
在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底
C
在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层
D
通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底
E
去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层
F
去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。
权利要求 2
G
其特征在于，所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。
权利要求 3
H
其特征在于，所述方法进一步包括，形成所述钝化层后进行固化工艺。
权利要求 4
I
其特征在于，所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。
权利要求 5
J
其特征在于，通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。
权利要求 6
K
其特征在于，所述钝化层用醇溶剂去除。
权利要求 7
L
其特征在于，所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。