对比文件名称：2003-09-23_US6624047B_发明授权_US06624047B1 Substrate and method of manufacturing the same
目标专利名称：1807一种制作氮化物半导体器件的方法CN102640258B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| 技术特征A：在第一支撑衬底上形成氮化镓外延层，所述氮化镓外延层被用作降低晶格失配和热膨胀系数差别的缓冲层。《未公开》 | 对比文件未涉及氮化镓外延层及缓冲层相关内容。 | 对比文件涉及硅基SOI制造，其第一衬底为单晶硅，形成的单晶硅层用于转移，并非作为缓冲层，且未提及氮化镓材料，本领域技术人员无法从对比文件得出该技术特征。 |
| 技术特征B：在所述氮化镓外延层上形成第二支撑衬底。《未公开》 | 对比文件未涉及氮化镓外延层，且第二衬底通过键合在绝缘层上，并非直接形成在氮化镓外延层上。 | 对比文件没有公开在氮化镓外延层上形成第二支撑衬底，其公开的是在单晶硅层上通过键合设置第二衬底，材料和作用不同。 |
| 技术特征C：在所述氮化镓外延层的整个侧面以及所述第二支撑衬底的侧面和上表面上形成钝化层。《未公开》 | 对比文件图4D及说明：第二层14形成覆盖第一层13的上表面和侧表面（“the second layer 14 is formed to cover the upper and side surfaces of the first layer 13”），但未覆盖第二衬底，且材料为SiO₂，并非钝化层。 | 对比文件没有公开在氮化镓外延层整个侧面和第二支撑衬底侧面和上表面形成钝化层，其第二层功能为绝缘和键合，不同于目标专利的保护性钝化层，且材料不同，不能直接或等同。 |
| 技术特征D：通过使用所述钝化层作为掩膜蚀刻所述第一支撑衬底。《未公开》 | 对比文件没有使用钝化层作为掩膜蚀刻第一支撑衬底。 | 对比文件通过分离多孔层去除部分第一衬底，并非蚀刻第一支撑衬底，且无类似掩膜步骤。 |
| 技术特征E：去除所述钝化层从而露出所述第二支撑衬底和所述氮化镓外延层。《未公开》 | 对比文件没有去除类似钝化层并露出第二支撑衬底和氮化镓外延层的步骤。 | 对比文件在分离后保留第二层，不涉及去除钝化层。 |
| 技术特征F：去除所述钝化层后，在所述氮化镓外延层的外露表面上形成单晶氮化镓层。《未公开》 | 对比文件没有在去除钝化层后形成单晶氮化镓层。 | 对比文件最终形成SOI结构，不涉及氮化镓再生长。 |
| 技术特征G：所述钝化层由液体搪瓷、特氟龙、石蜡和聚酯中的至少一种制成。《未公开》 | 对比文件未提及液体搪瓷、特氟龙、石蜡或聚酯作为钝化层材料。 | 对比文件的第二层为SiO₂，与目标专利的钝化层材料完全不同。 |
| 技术特征H：形成所述钝化层后进行固化工艺。《未公开》 | 对比文件没有公开形成钝化层后进行固化工艺。 | 对比文件没有钝化层及固化步骤。 |
| 技术特征I：所述第一支撑衬底包括氧化物衬底、碳化物衬底和硅衬底中的任意一种。《直接公开》 | “In the step shown in FIG. 3A, a semiconductor substrate 11 such as a single-crystal Si substrate is prepared.”（如图3A所示，制备单晶硅衬底11。） | 对比文件直接公开了单晶硅衬底作为第一衬底，属于技术特征I中列举的硅衬底，因此直接公开。 |
| 技术特征J：通过湿蚀刻工艺选择性地蚀刻所述第一支撑衬底。《未公开》 | 对比文件没有公开湿蚀刻第一支撑衬底。 | 对比文件仅对多孔层进行选择性蚀刻，而非第一支撑衬底。 |
| 技术特征K：所述钝化层用醇溶剂去除。《未公开》 | 对比文件没有用醇溶剂去除任何层。 | 对比文件使用氢氟酸等蚀刻多孔层，未涉及醇溶剂。 |
| 技术特征L：所述第二支撑衬底由与所述第一支撑衬底相同的材料或者由包含金属的导电材料制成。《直接公开》 | “In the step shown in FIG. 1C, a second substrate 20 of single-crystal Si is prepared.”（如图1C所示，制备单晶硅的第二衬底20。） | 对比文件公开了第二衬底为单晶硅，与第一衬底（单晶硅）材料相同，属于技术特征L中“与第一支撑衬底相同的材料”的情况，因此直接公开。 |
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