对比文件的名称：2001-01-19_JP2001015817A_发明专利_JP2001015817A Compound light-emitting element, light-emitting diode and manufacture thereof
目标专利的名称：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
本次调用的模型名称：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构——《直接公开》 | 对比文件[0040]：“ＧａＮ・ＬＥＤ素子１”（GaN·LED元件1）以及[0049]描述了其包含蓝宝石基板、半导体层叠结构。 | 对比文件明确公开了作为发光元件的GaN LED，其包含半导体层叠结构，相当于发光结构，因此该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：所述发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层——《直接公开》 | 对比文件[0049]：“ｎ型ＧａＮ層３２と、ｎ型ＡｌＧａＮ層３３とＩｎＧａＮとＧａＮから成る青色の光を発するＭＱＷ層３４と、ｐ型ＡｌＧａＮ層３５と、ｐ型ＧａＮ層３６”（n型GaN层32、n型AlGaN层33、发射蓝光的InGaN/GaN MQW层34、p型AlGaN层35、p型GaN层36）。 | 对比文件公开了n型半导体层（第一导电层）、p型半导体层（第二导电层）以及MQW有源层，且层叠顺序明确，相当于目标专利的发光结构。因此直接公开。 |
| 技术特征C：所述发光结构上的透射层——《未公开》 | 对比文件未描述任何位于发光结构（半导体层）上方的独立透明层（如硅胶层）。其发光结构上表面为蓝宝石基板，不属于目标专利所述的“透射层”。 | 目标专利的透射层是单独形成的、具有低热导和高透光性的层（如硅胶），位于发光结构上方。对比文件仅使用蓝宝石作为光取出面，但蓝宝石是衬底，并非形成于发光结构上的透射层，且未提到任何类似硅胶的中间层。因此未公开。 |
| 技术特征D：所述透射层上的荧光材料层——《未公开》 | 对比文件[0040]：“第１の樹脂１６が、Ｓｉダイオード素子２を受け皿として、ＧａＮ・ＬＥＤ素子１を覆うように塗布されている”（第一树脂16以Si二极管元件2为接收盘，涂覆成覆盖GaN·LED元件1）。 | 对比文件的荧光材料层（第一树脂）直接涂覆在发光元件（蓝宝石表面）上，没有设置透射层。因此不存在“透射层上的荧光材料层”这一结构，未公开。 |
| 技术特征E：其中，所述荧光材料层包括图案——《隐含公开》 | 对比文件[0040]：“塗布の方法は、パターニングが可能なスクリーン印刷が最適である”（涂布方法最优选可图案化的丝网印刷）。 | 对比文件明确教导荧光材料层（第一树脂）的涂布可以采用可图案化的丝网印刷，从而能够形成具有特定图案的涂层（例如不覆盖焊盘区域）。本领域技术人员据此可以合理推断荧光材料层可通过图案化形成包括开口、凹凸等形状，因此该特征被隐含公开。 |
| 技术特征F：其中，所述荧光材料层部分地暴露所述透射层和所述发光结构两者——《未公开》 | 对比文件未公开任何使荧光材料层部分暴露下方层（无论是透射层还是发光结构）的结构。其荧光材料层全覆盖发光元件。 | 对比文件中的荧光材料层（第一树脂）覆盖整个LED元件的顶面和侧面，没有形成开口或凹槽来暴露透射层或发光结构。目标专利要求部分暴露，对比文件未给出任何暗示，因此未公开。 |
| 技术特征G：其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上——《直接公开》 | 对比文件[0040]：“ＧａＮ・ＬＥＤ素子１を覆うように塗布されている”（涂覆成覆盖GaN·LED元件1）；图1显示荧光材料层覆盖发光元件的侧面。 | 对比文件明确公开了荧光材料层（第一树脂）覆盖发光元件的整个横向侧面，因此“整个区域”被直接公开。该特征不依赖于是否存在透射层，故直接公开。 |
| 技术特征H：其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上——《未公开》 | 对比文件未公开透射层，故无透射层底表面与发光结构顶表面的位置关系。 | 目标专利存在透射层，且其底表面位于发光结构顶表面。对比文件没有透射层，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征I：其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度——《未公开》 | 对比文件未公开透射层，无厚度范围。 | 对比文件没有透射层，故未公开该厚度范围。 |
| 技术特征J：其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度——《未公开》 | 对比文件[0067]：“第１の樹脂１６の厚さＤが２０〜１１０μｍ”（第一树脂16的厚度D为20~110μm）。 | 对比文件仅公开了荧光材料层厚度为20~110μm，而目标专利要求5~500μm。对比文件未给出5~20μm或110~500μm的教导，本领域技术人员不能毫无疑义地得出该宽范围，也未充分暗示，故未公开。 |
| 技术特征K：其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内——《未公开》 | 对比文件未提及任何构图工艺以及面积比例范围。 | 对比文件没有公开对荧光材料层进行构图以保留特定面积比例的工艺，也没有涉及面积与发光面积的比例，因此未公开。 |
| 技术特征L：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案——《未公开》 | 对比文件未公开荧光材料层在横向侧面具有图案（如凹凸、开口）。 | 对比文件中的荧光材料层在横向侧面是连续覆盖的，没有图案。虽然可图案化涂布，但未具体在侧面形成图案，故未公开。 |
| 技术特征M：其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小——《未公开》 | 对比文件未公开任何关于侧面厚度与顶面厚度的数值关系。 | 对比文件没有透射层，也未讨论荧光材料层在不同位置的厚度比例，因此该特征未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括所述发光结构下面的第二电极——《未公开》 | 对比文件[0040]及[0049]公开了LED的p电极5和n电极6，但这两者位于发光结构同一侧（电极面），并非位于发光结构下方的连续第二电极层。 | 目标专利的第二电极是位于发光结构下方的连续层（如反射层、欧姆层等），用于垂直型器件。对比文件中的电极是分开的p、n电极，且位于发光结构的一侧，不是连续的第二电极，因此未公开。 |
| 技术特征O：在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极——《未公开》 | 对比文件[0040]及[0049]中，LED的顶表面是蓝宝石基板，上面没有电极。电极在发光结构的另一侧。 | 目标专利的第一电极位于发光结构的顶表面（与透射层接触的面）。对比文件中LED的顶表面是蓝宝石，无电极，因此未公开。 |
| 技术特征P：其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠——《未公开》 | 对比文件未公开荧光材料层具有孔状图案，也未涉及孔的重叠关系。 | 对比文件没有公开荧光材料层形成孔以暴露透射层，也没有孔重叠的几何关系，因此未公开。 |
| 技术特征Q：其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小——《未公开》 | 对比文件未比较发光结构与第二电极的横向宽度。 | 对比文件中，发光结构（LED）的宽度与下部的子安装元件宽度不同，但未明确比较，且第二电极的概念不同，因此未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底——《直接公开》 | 对比文件[0040]：“サファイア基板１ａ”（蓝宝石基板1a）；[0049]描述蓝宝石基板为绝缘基板。 | 对比文件明确公开了发光结构（半导体层）形成在非导电的蓝宝石基板上，该基板位于发光结构下方（相对于出光方向），因此特征R被直接公开。 |
| 技术特征S：其中所述透射层包括硅胶——《未公开》 | 对比文件未公开透射层，更未公开透射层材料为硅胶。 | 对比文件没有透射层，因此未公开透射层材料。 |
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