**对比文件名称**：2000-01-21_JP2000022216A_发明专利_JP2000022216A Resin sealed type semiconductor light emitting device having fluorescent cover
**目标专利名称**：1821发光器件芯片、发光器件封装CN102130247B
**本次调用的模型名称**：AI语言模型
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：包括发光结构（直接公开） | [0002]：“半導体発光素子（３）”（半导体发光元件）。 | 对比文件明确公开了半导体发光元件，该元件即相当于发光结构，因此直接公开。 |
| 技术特征B：发光结构包括第一导电半导体层、第二导电半导体层、以及被插入在所述第一和第二导电半导体层之间的有源层（隐含公开） | [0010]：“青色発光のＧａＮ系半導体発光素子”（蓝色发光的GaN系半导体发光元件）。 | 对比文件公开了GaN系半导体发光元件，本领域技术人员可以合理推断出该元件必然包含第一导电半导体层、第二导电半导体层以及有源层（GaN系LED的基本结构），因此隐含公开。 |
| 技术特征C：发光结构上的透射层（直接公开） | [0002]：“樹脂封止体（５）…光透過性を有する例えばエポキシ系樹脂等を主成分”（树脂封止体（5）…具有光透过性，例如以环氧树脂等为主要成分）。 | 对比文件公开了树脂封止体直接包覆在半导体发光元件上，并具有透光性，该树脂封止体相当于透射层，因此直接公开。 |
| 技术特征D：透射层上的荧光材料层（直接公开） | [0002]：“蛍光カバー（６）…蛍光体（７）を含み且つ樹脂封止体（５）の外面に被着された”（荧光盖（6）…含有荧光体并附着在树脂封止体（5）的外表面）。 | 对比文件公开了荧光盖含有荧光体，并附着在树脂封止体（透射层）的外表面，该荧光盖相当于荧光材料层，因此直接公开。 |
| 技术特征E：荧光材料层包括图案（未公开） | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件的荧光盖为整体连续覆盖，未形成任何图案，故未公开。 |
| 技术特征F：荧光材料层部分地暴露透射层和发光结构两者（未公开） | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件的荧光盖完全覆盖树脂封止体，未暴露透射层或发光结构，故未公开。 |
| 技术特征G：荧光材料层被形成在发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上（直接公开） | [0005]：“蛍光カバー（１０）は、樹脂封止体（５）の封止部（５ａ）に合致する形状を有する円筒状のカバー本体（１０ａ）と…を備えている”（荧光盖（10）包括与树脂封止体（5）的封止部（5a）形状一致的圆柱形盖本体…）。 | 对比文件公开了荧光盖的盖本体覆盖树脂封止体的封止部，而封止部包覆发光结构的横向侧面，因此荧光盖形成在发光结构横向侧面的整个区域，直接公开。 |
| 技术特征H：透射层的底表面设置在发光结构的顶表面上（直接公开） | [0002]：“半導体発光素子（３）…を封止する樹脂封止体（５）”（密封半导体发光元件的树脂封止体）。 | 对比文件公开了树脂封止体密封半导体发光元件，其底表面必然与发光元件的顶表面接触，因此直接公开。 |
| 技术特征I：透射层具有2μm至200μm的厚度（未公开） | 对比文件未公开具体厚度数值。 | 对比文件未记载树脂封止体的厚度范围，故未公开。 |
| 技术特征J：荧光材料层具有5μm至500μm的厚度（未公开） | 对比文件未公开具体厚度数值。 | 对比文件未记载荧光盖的厚度范围，故未公开。 |
| 技术特征K：在构图工艺之后保留的荧光材料层的面积处于基于发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内（未公开） | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件未涉及构图工艺，荧光盖为整体覆盖，保留面积100%，故未公开。 |
| 技术特征L：发光结构的横向侧面处的荧光材料层包括所述图案（未公开） | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件荧光盖为整体覆盖，无图案，故未公开。 |
| 技术特征M：发光结构的横向侧面处的荧光材料层的厚度是被形成在透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小（未公开） | 对比文件未公开厚度关系。 | 对比文件未提及横向侧面与透射层上荧光材料层的厚度关系，故未公开。 |
| 技术特征N：进一步包括发光结构下面的第二电极（直接公开） | [0002]：“一方のリード（１）の端部に形成された皿状のカップ部（ヘッダ）（１ａ）上に接着剤によって固着された半導体発光素子（３）”（半导体发光元件通过导电胶固定在形成于一个引线端部的皿状杯部上）。 | 对比文件公开了杯部（引线端部）位于发光元件下方并作为电极，该杯部相当于第二电极，因此直接公开。 |
| 技术特征O：在发光结构的顶表面上的至少两个第一电极（直接公开） | [0002]：“半導体発光素子（３）の上面に形成された２つの電極”（半导体发光元件上面形成的两个电极）。 | 对比文件明确公开了发光元件顶面上的两个电极，因此直接公开。 |
| 技术特征P：荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且至少两个孔与图案的至少两个孔垂直地重叠（未公开） | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件荧光盖无图案，无孔结构，故未公开。 |
| 技术特征Q：发光结构的横向宽度比第二电极的小（未公开） | 对比文件未公开宽度比较。 | 对比文件未提及发光结构与第二电极的横向宽度关系，故未公开。 |
| 技术特征R：进一步包括在发光结构下的非导电衬底（未公开） | 对比文件未公开相关内容。 | 对比文件中的发光元件直接固定在金属杯部上，未公开非导电衬底，故未公开。 |
| 技术特征S：透射层包括硅胶（未公开） | [0002]：“エポキシ系樹脂等”（环氧树脂等）。 | 对比文件公开的树脂封止体主要成分为环氧树脂，并非硅胶，故未公开。 |
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