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权利要求与技术特征

G 其中，所述荧光材料层被形成在所述发光结构的横向侧面的一部分或者整个区域上
H 其中所述透射层的底表面设置在所述发光结构的顶表面上。

I 其中，所述透射层具有2μm至200μm的厚度。

J 其中，所述荧光材料层具有5μm至500μm的厚度。

K 其中，在构图工艺之后保留的所述荧光材料层的面积处于基于所述发光器件芯片的发光面积的30%至90%的范围内。

L 其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层包括所述图案。

M 其中，所述发光结构的横向侧面处的所述荧光材料层的厚度是被形成在所述透射层的荧光材料层的厚度的两倍或者更小。

N 进一步包括所述发光结构下面的第二电极
O 在所述发光结构的顶表面上的至少两个第一电极
P 其中，所述荧光材料层的图案包括暴露透射层的至少两个孔；并且中，至少两个孔与所述图案的至少两个孔垂直地重叠。

Q 其中，所述发光结构的横向宽度比所述第二电极的小。

R 进一步包括在所述发光结构下的非导电衬底
S 其中所述透射层包括硅胶。
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