对比文件名称：2006-01-12_US2006008672A_发明申请_US20060008672A1 Hole-trapping materials for improved OLED efficiency
目标专利名称：1827有机发光器件及其制备方法CN102414295B
模型名称：无
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包含透明阳极作为第一电极** | [0359] “A glass substrate coated with about 850 Å transparent indium-tin-oxide (ITO) conductive layer” （玻璃基板涂覆有约850Å的透明氧化铟锡导电层） | 对比文件明确公开了透明阳极材料ITO，用于作为第一电极，与目标专利的透明阳极作用相同，均用于空穴注入和透光，属于直接公开。 |
| **技术特征B：包含透明阴极作为第二电极** | [0014] “The light can exit through either the anode 120 or the cathode 140, or both, as desired and depending on their optical transparencies.” （光可根据需要从阳极120或阴极140或两者射出，取决于它们的光学透明度） | 对比文件指出阴极可以具有光学透明度，即阴极可以是透明的，但未给出具体透明阴极实施例。本领域技术人员可以合理推断阴极亦可采用透明材料，属于隐含公开。 |
| **技术特征C：包含置于第一电极和第二电极之间的发光层** | [0015] “a light-emitting layer 232 disposed between the hole-transport layer and the electron-transport layer” （置于空穴传输层和电子传输层之间的发光层232） | 对比文件明确描述了发光层位于阳极和阴极之间的器件结构中，发光层是OLED的核心层，作用与目标专利相同，属于直接公开。 |
| **技术特征D：所述有机发光器件进一步包含与第一电极接触的第一有机材料层** | [0015] “a hole-transport layer 231 adjacent to the anode” （与阳极相邻的空穴传输层231）以及[0359]在ITO上沉积10Å的CFx空穴注入层（与阳极接触） | 对比文件公开了与阳极直接接触的空穴注入层（CFx）或空穴传输层（NPB），这些层是有机材料层，承担空穴注入或传输功能，与目标专利中与第一电极接触的第一有机材料层作用相同，属于直接公开。 |
| **技术特征E：所述有机发光器件进一步包含与第二电极接触的第二有机材料层** | [0015] “an electron-transport layer 233 adjacent to the cathode” （与阴极相邻的电子传输层233）以及[0359]电子传输层Alq3直接与Mg:Ag阴极接触 | 对比文件公开了与阴极直接接触的电子传输层（Alq3），该层是有机材料层，负责电子传输，与目标专利中与第二电极接触的第二有机材料层作用相同，属于直接公开。 |
| **技术特征F：所述第一和第二有机材料层包含一种由下式1所表示的化合物** | 对比文件全文未公开目标专利中如式1所示的六氮杂苯并菲（HAT）类化合物，其空穴注入/传输层采用CFx、NPB等，电子传输层采用Alq3，均不属于式1结构。 | 对比文件未记载任何与式1相同或等同的化合物，本领域技术人员无法从对比文件得出该技术特征，未公开。 |
| **技术特征G：包括位于发光层和与第二电极接触的第二有机材料层之间且包含n型掺杂剂的第三有机材料层** | 对比文件实施例中电子传输层Alq3掺杂了Li（碱金属），但该层直接与阴极接触，而非位于发光层和第二有机材料层之间；图3中电子注入层335位于电子传输层334和阴极340之间，亦不满足位置关系。 | 对比文件没有在发光层和第二有机材料层之间设置独立的含n型掺杂剂的层，其掺杂层位置与目标专利不同，本领域技术人员无法从对比文件得出该特征，未公开。 |
| **技术特征H：包括位于发光层和第一有机材料层之间且与第一有机材料层接触的p型有机材料层** | [0015] “hole-transport layer 231”位于阳极和发光层之间，[0016] “hole-injection layer 331”和“hole-transport layer 332”结构，其中空穴传输层与空穴注入层（第一有机材料层）接触并位于发光层和空穴注入层之间。 | 对比文件公开了空穴传输层（p型材料）位于空穴注入层（与第一电极接触的有机材料层）和发光层之间，且与空穴注入层接触，该层作用与目标专利的p型有机材料层相同，属于直接公开。 |
| **技术特征I：所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的LUMO能级相对于与第二电极接触的第二有机材料层的LUMO能级的能量差为4eV或更低** | 对比文件全文未提及任何LUMO能级差的具体数值或范围。 | 对比文件未公开该能量差条件，本领域技术人员无法从对比文件得出，未公开。 |
| **技术特征J：所述p型有机材料层的HOMO能级为5eV或更高** | 对比文件全文未提及空穴传输层（p型）的HOMO能级数值。 | 对比文件未公开该HOMO能级条件，本领域技术人员无法从对比文件得出，未公开。 |
| **技术特征K：[式1]** | 对比文件未出现目标专利的式1化学结构。 | 对比文件未记载式1化合物，未公开。 |
| **技术特征L：其中R1至R6各自选自氢、卤素原子、氰基、硝基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰胺基、磺酸酯基、三氟甲基、酯基、酰胺基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷氧基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷基、取代的或未取代的芳族或非芳族杂环、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的单或二芳基胺，和取代的或未取代的芳烷基胺** | 对比文件未公开式1化合物，更未公开其取代基定义。 | 对比文件未公开该技术特征，未公开。 |
| **技术特征M：其中所述第一和第二有机材料层为彼此相同的材料** | 对比文件实施例中与阳极接触的层为CFx或NPB，与阴极接触的层为Alq3，材料不同。 | 对比文件未公开第一和第二有机材料层相同，未公开。 |
| **技术特征N：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂包括含有选自以下的一种物质的材料碱金属、碱土金属、稀土金属、金属化合物、环戊二烯、环庚三烯、6元杂环和包括所述环的代偿性环** | [0363] “electron-transporting layer AlQ3 was doped with alkali metal, lithium” （电子传输层Alq3掺杂了碱金属锂） | 对比文件公开了在电子传输层中掺杂碱金属锂，锂属于碱金属，因此n型掺杂剂包括碱金属材料被公开。虽然该层不是目标专利的第三有机材料层，但本领域技术人员可以合理推断碱金属可用于n型掺杂，属于隐含公开。 |
| **技术特征O：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂的含量为1-50wt%** | [0363] “lithium, in the 1:1 molar ratio” （锂与Alq3的摩尔比为1:1） | 1:1摩尔比时，Li在Alq3中的重量百分比约为1.5%，落在1-50wt%范围内。对比文件虽未明确给出重量百分比，但本领域技术人员可以据此计算并推断该含量范围常用于n型掺杂，属于隐含公开。 |
| **技术特征P：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层包括具有选自以下的官能团的一种化合物咪唑基团、噁唑基团和噻唑基团** | 对比文件电子传输层采用Alq3（8-羟基喹啉铝）或类似物，不包含咪唑、噁唑、噻唑基团。 | 对比文件未公开含这些基团的化合物作为主体，未公开。 |
| **技术特征Q：其中所述第一电极和第二电极各自包含一种功函数为2eV至6eV的材料** | [0359] ITO阳极（功函数约4.8eV）和Mg:Ag阴极（功函数约3.7eV） | 对比文件公开的电极材料ITO和Mg:Ag均为公知的电极材料，其功函数在2-6eV范围内。本领域技术人员根据对比文件公开的材料可直接确定其功函数满足该范围，属于隐含公开。 |
| **技术特征R：其中所述第一电极和第二电极由相同的金属氧化物或不同的金属氧化物形成** | [0359] 阳极：ITO（金属氧化物）；阴极：Mg:Ag（合金，非金属氧化物） | 对比文件未公开阴极由金属氧化物形成，也未公开两者由相同金属氧化物形成，未公开。 |
| **技术特征S：其中所述第一电极和第二电极由相同的材料形成** | 对比文件阳极和阴极材料不同（ITO vs Mg:Ag） | 未公开。 |
| **技术特征T：其中所述第一电极和第二电极中的至少一者包含一种透明材料** | [0359] “transparent indium-tin-oxide (ITO) conductive layer” | 对比文件公开了阳极采用透明ITO，因此至少一者包含透明材料，属于直接公开。 |
| **技术特征U：其中所述有机发光器件具有下述通常的结构，其中所述第一电极为下电极作为阳极并且第二电极为上电极作为阴极** | 图1-3及[0014] “OLED device 100 includes an anode 120, an EL medium 130, and a cathode 140 disposed upon a substrate 110” （基板上设置阳极、EL介质、阴极，阳极在下，阴极在上） | 对比文件的所有实施例和附图均采用阳极在下、阴极在上的结构，该结构是OLED的常规结构，属于直接公开。 |
| **技术特征V：进一步包含位于第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上的金属或其合金的薄膜或金属氧化物层** | [0359] 在ITO上沉积10Å的CFx（氟碳化物）层作为空穴注入层，CFx不是金属或金属氧化物。 | 对比文件未公开在第一电极与第一有机材料层之间使用金属、合金薄膜或金属氧化物层，未公开。 |
| **技术特征W：进一步包含位于与第二电极接触的第二有机材料层和包含n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上的金属氧化物层或金属盐层** | 对比文件实施例中无此结构，图3的电子注入层335位于电子传输层334和阴极340之间，不满足位置关系。 | 对比文件未公开在第二有机材料层和第三有机材料层之间设置金属氧化物或金属盐层，未公开。 |
| **技术特征X：进一步包含在第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上形成金属或其合金的薄膜、或金属氧化物层的步骤** | 对比文件未公开形成金属或金属氧化物层的步骤，其空穴注入层CFx的沉积方法为等离子体辅助沉积。 | 未公开。 |
| **技术特征Y：进一步包含在与第二电极接触的第二有机材料层和含有n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上形成金属氧化物层或金属盐层的步骤** | 对比文件未公开相应步骤。 | 未公开。 |
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