**对比文件名称**：2007-08-30_US2007200490A_发明申请_US20070200490A1 Nitrogenous Heterocycle Derivative, And Organic Electroluminescent Element Employing The Same
**目标专利名称**：1827有机发光器件及其制备方法CN102414295B
**本次调用的模型名称**：DeepSeek
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| **技术特征A：包含透明阳极作为第一电极**<br>《直接公开》 | 对比文件[0072]：“使用具有大功函数（4eV以上）的金属、合金或导电化合物作为电极材料是优选的……具体例子包括……导电透明材料如CuI、ITO、SnO₂和ZnO。”<br>实施例[0157]：“在带有ITO透明电极的玻璃基板上……” | 对比文件明确教导了阳极可使用透明导电材料如ITO，并在实施例中实际使用ITO作为阳极。本领域技术人员可毫无疑义地确定对比文件公开了透明阳极。 |
| **技术特征B：包含透明阴极作为第二电极**<br>《隐含公开》 | 对比文件[0073]：“有机EL器件的阳极和阴极中的一者适宜为透明或半透明，以使发射光穿过电极，从而提高发光效率。” | 该表述虽未直接给出透明阴极的具体材料或实例，但明确教导了阴极同样可以设计为透明（因“一者”可指代阴极）。本领域技术人员在已知透明阳极材料（如ITO）的基础上，有动机合理推断阴极也可采用类似透明材料（如IZO、ZnO）实现双侧发光，因此隐含公开。 |
| **技术特征C：包含置于第一电极和第二电极之间的发光层**<br>《直接公开》 | 对比文件[0026]：“有机电致发光器件包含：夹在阴极和阳极之间的一个或多个有机薄膜层，且至少具有一个发光层。”<br>实施例[0157]具体形成DPVDPAN发光层。 | 对比文件明确描述了发光层位于阳极和阴极之间，且实施例证实了该结构。 |
| **技术特征D：其中所述有机发光器件进一步包含与第一电极接触的第一有机材料层**<br>《直接公开》 | 对比文件实施例[0157]：“在透明电极线上形成厚度60nm的TPD232膜……该TPD232膜作为第一空穴注入层。” | TPD232膜直接形成在ITO阳极上并与之接触，充当与阳极接触的第一有机材料层。 |
| **技术特征E：所述有机发光器件进一步包含与第二电极接触的第二有机材料层**<br>《直接公开》 | 对比文件实施例[0158]：“在化合物1-41:Li膜上真空沉积金属Al形成厚度130nm的金属阴极。” | 化合物1-41:Li膜直接位于Al阴极下方并与之接触，构成与阴极接触的第二有机材料层。 |
| **技术特征F：所述第一和第二有机材料层包含一种由下式1所表示的化合物**<br>《未公开》 | 对比文件全文未出现目标专利的式1化合物（六氮杂苯并菲衍生物）。 | 对比文件公开的化合物均为含苯并咪唑基的蒽衍生物，与目标专利式1结构完全不同，本领域技术人员无法从对比文件得出式1化合物。 |
| **技术特征G：包括位于发光层和与第二电极接触的第二有机材料层之间且包含n型掺杂剂的第三有机材料层**<br>《未公开》 | 对比文件实施例[0158]结构为：发光层/未掺杂化合物1-41层（10nm）/掺杂化合物1-41:Li层（10nm）/阴极。 | 该结构中掺杂层（化合物1-41:Li）直接与阴极接触，充当第二有机材料层；未掺杂层位于发光层和掺杂层之间，但其中不含n型掺杂剂。因此，没有任何层同时满足“位于发光层和第二有机材料层之间”且“包含n型掺杂剂”。对比文件未公开该特定位置关系的第三有机材料层。 |
| **技术特征H：包括位于发光层和第一有机材料层之间且与第一有机材料层接触的p型有机材料层**<br>《直接公开》 | 对比文件实施例[0157]：“在TPD232膜上形成厚度20nm的NPD膜……NPD膜作为第二空穴注入层（空穴传输层）。” | NPD膜位于发光层（DPVDPAN）和第一有机材料层（TPD232）之间，且与两者接触。NPD为p型有机材料，因此特征H被直接公开。 |
| **技术特征I：所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的LUMO能级相对于与第二电极接触的第二有机材料层的LUMO能级的能量差为4eV或更低**<br>《未公开》 | 对比文件未提供任何关于LUMO能级差的具体数值或教导。 | 对比文件既未给出第三有机材料层和第二有机材料层的LUMO能级，也未提及两者之间的能量差范围，本领域技术人员无法合理推断出该技术特征。 |
| **技术特征J：所述p型有机材料层的HOMO能级为5eV或更高**<br>《未公开》 | 对比文件未公开任何关于p型有机材料层HOMO能级的数值或范围。 | 对比文件没有记载空穴传输层（如NPD）的HOMO能级，也未提示要求保护的数值范围。 |
| **技术特征K：[式1]**<br>《未公开》 | 对比文件全文未出现目标专利的式1结构。 | 同特征F，对比文件化合物完全不同。 |
| **技术特征L：其中R1至R6各自选自氢、卤素原子、氰基、硝基、磺酰基、亚磺酰基、磺酰胺基、磺酸酯基、三氟甲基、酯基、酰胺基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷氧基、取代的或未取代的直链或支链的C1-C12烷基、取代的或未取代的芳族或非芳族杂环、取代的或未取代的芳基、取代的或未取代的单或二芳基胺，和取代的或未取代的芳烷基胺**<br>《未公开》 | 对比文件未公开目标专利的式1化合物，因此也无法公开其取代基定义。 | 式1化合物本身未公开，其取代基定义自然未被公开。 |
| **技术特征M：其中所述第一和第二有机材料层为彼此相同的材料**<br>《未公开》 | 对比文件实施例中第一有机材料层为TPD232，第二有机材料层为化合物1-41:Li，两者材料不同。 | 对比文件未教导或暗示第一和第二有机材料层可由相同材料形成，且实施例明确使用了不同材料。 |
| **技术特征N：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂包括含有选自以下的一种物质的材料碱金属、碱土金属、稀土金属、金属化合物、环戊二烯、环庚三烯、6元杂环和包括所述环的代偿性环**<br>《直接公开》 | 对比文件[0078]：“还原性掺杂剂……至少一种选自碱金属、碱土金属、稀土金属……的金属。”<br>实施例[0158]使用Li（碱金属）作为掺杂剂。 | 对比文件教导了碱金属可作为n型掺杂剂，并在实施例中具体使用Li。因此，当对比文件存在含n型掺杂剂的有机层（掺杂层）时，该层中的掺杂剂类型符合特征N。 |
| **技术特征O：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层的n型掺杂剂的含量为1-50wt%**<br>《未公开》 | 对比文件未提及掺杂剂的重量百分比范围。 | 对比文件没有公开或暗示掺杂剂的含量为1-50wt%，本领域技术人员无法从对比文件合理推断出该具体含量范围。 |
| **技术特征P：其中所述包含n型掺杂剂的第三有机材料层包括具有选自以下的官能团的一种化合物咪唑基团、噁唑基团和噻唑基团**<br>《直接公开》 | 对比文件化合物1-41及其衍生物均含有苯并咪唑基团，且用于电子注入层（掺杂层）。<br>对比文件[0077]明确将含苯并咪唑的化合物用于电子注入层。 | 对比文件中的掺杂层（化合物1-41:Li）的主体化合物1-41具有苯并咪唑官能团，完全落入特征P限定的范围。 |
| **技术特征Q：其中所述第一电极和第二电极各自包含一种功函数为2eV至6eV的材料**<br>《直接公开》 | 对比文件[0072]：“阳极材料……具有大功函数（4eV以上）。”<br>对比文件[0073]：“阴极材料……具有小功函数（小于4eV）。” | 4eV以上和小于4eV均落在2eV至6eV的范围内，对比文件公开了电极材料功函数在该区间内。 |
| **技术特征R：其中所述第一电极和第二电极由相同的金属氧化物或不同的金属氧化物形成**<br>《未公开》 | 对比文件实施例中阳极为ITO（金属氧化物），阴极为Al（金属），非金属氧化物。 | 对比文件未公开阴极由金属氧化物形成，也未教导电极可由金属氧化物形成。 |
| **技术特征S：其中所述第一电极和第二电极由相同的材料形成**<br>《未公开》 | 对比文件实施例中阳极为ITO，阴极为Al，材料不同。 | 对比文件未公开也不暗示电极由相同材料形成。 |
| **技术特征T：其中所述第一电极和第二电极中的至少一者包含一种透明材料**<br>《直接公开》 | 对比文件[0072]公开阳极可使用透明材料如ITO，实施例亦使用ITO。 | 阳极透明，满足“至少一者透明”。 |
| **技术特征U：其中所述有机发光器件具有下述通常的结构，其中所述第一电极为下电极作为阳极并且第二电极为上电极作为阴极**<br>《直接公开》 | 对比文件实施例[0157]-[0158]：在玻璃基板上依次形成ITO阳极、有机层、Al阴极，即下阳极、上阴极结构。 | 该结构为常规的底部阳极、顶部阴极配置，对比文件直接公开。 |
| **技术特征V：进一步包含位于第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上的金属或其合金的薄膜或金属氧化物层**<br>《未公开》 | 对比文件未记载在阳极与第一有机材料层之间设置任何金属薄膜或金属氧化物层。 | 对比文件实施例中阳极直接接触TPD232，无中间层。 |
| **技术特征W：进一步包含位于与第二电极接触的第二有机材料层和包含n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上的金属氧化物层或金属盐层**<br>《未公开》 | 对比文件未记载在第二有机材料层与第三有机材料层之间设置任何金属氧化物层或金属盐层。 | 对比文件实施例中掺杂层直接接触阴极，未掺杂层之间无此类层。 |
| **技术特征X：进一步包含在第一电极和与第一电极接触的第一有机材料层之间的界面上形成金属或其合金的薄膜、或金属氧化物层的步骤**<br>《未公开》 | 对比文件未公开在阳极与第一有机材料层之间形成任何中间层的步骤。 | 对比文件方法中未包含该步骤。 |
| **技术特征Y：进一步包含在与第二电极接触的第二有机材料层和含有n型掺杂剂的第三有机材料层之间的界面上形成金属氧化物层或金属盐层的步骤**<br>《未公开》 | 对比文件未公开在第二有机材料层与第三有机材料层之间形成任何中间层的步骤。 | 对比文件方法中未包含该步骤。 |
### 公开情况代码
根据上述判断，直接公开的特征有：A, C, D, E, H, N, P, Q, T, U；隐含公开的特征有：B。
因此，在回答结尾插入以下代码：
<<<A>>> <<<C>>> <<<D>>> <<<E>>> <<<H>>> <<<N>>> <<<P>>> <<<Q>>> <<<T>>> <<<U>>> <<<b>>>