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对比文件列表
1990-04-17_US4918150A_发明授权_US4918150A Composition comprising vinyl ester, unsaturated urethane and polybasic acid_+++B_D_E_F_L_m+++.docx
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1990-07-24_US4943516A_发明授权_US4943516A Photosensitive thermosetting resin composition and method of forming solder resist pattern by use thereof_+++B_D_E_F_L_M_i_j_k+++.docx
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1991-04-16_US5008351A_发明授权_US5008351A Reacting epoxy resin and substituted urea or biuret with blocked isocyanate group dicarboxylic anhydride compound product_+++B_E_F_L_m+++.docx
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1995-01-11_EP0633503A_发明公开_EP0633503A1 Photopolymerisierbare Zusammensetzungen_+++E_F_L_M_b+++.docx
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1996-07-23_US5538821A_发明授权_US5538821A Resist ink composition and cured article prepared therefrom_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_K_L_M+++.docx
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1997-06-17_US5639828A_发明授权_US5639828A Carbamate or isocyanate component, carbamate-reactive or active H component and epoxide_+++B_D_E_F_l_m+++.docx
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1997-07-09_EP0633503B_发明授权_EP0633503B1 Photopolymerisierbare Zusammensetzungen_+++B_E_F_L_M+++.docx
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1998-05-26_US5756600A_发明授权_US5756600A Urethane-modified epoxy vinyl ester resin_+++B_D_E_F_I_J_K_L_M+++.docx
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2001-11-30_KR100299264B_发明授权_KR100299264B1 광중합성조성물_+++B_E_F_L_m+++.docx
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2006-06-08_None_发明专利_JPWO2004079452A1 感光性樹脂組成物及びその硬化物_+++B_C_E_F_G_H_M_l+++.docx
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2007-06-07_KR100725432B_发明授权_KR100725432B1 감광성 수지 조성물 및 그 경화물_+++C_E_F_G_H_L_M+++.docx
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2007-07-19_US2007166642A_发明申请_US20070166642A1 Photosensitive resin composition, and cured product and use thereof_+++A_B_C_E_F_G_H_L_M_d+++.docx
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2007-08-09_US2007185297A_发明申请_US20070185297A1 Primer, conductor foil with resin, laminated sheet and method of manufacturing laminated sheet_+++B_F_M_e_l+++.docx
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2008-04-03_JP2008074938A_发明专利_JP2008074938A Photosensitive resin composition and its cured product_+++A_B_C_D_E_F_G_H_I_J_L_M_k+++.docx
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2008-04-24_US2008096133A_发明申请_US20080096133A1 PHOTOCURABLE AND THERMOSETTING RESIN COMPOSITION, CURED PRODUCT THEREOF AND PRINTED CIRCUIT BOARD OBTAINED USING THE SAME_+++B_D_E_F_l_m+++.docx
2026-07-29 13:28
WO2004079452A1_Description_20260718_2107_+++C_G_H_L_M+++.docx
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1990-07-24_US4943516A_发明授权_US4943516A Photosensitive thermosetting resin composition and method of forming solder resist pattern by use thereof_+++B_D_E_F_L_M_i_j_k+++.docx

对比文件名称:1990-07-24_US4943516A_发明授权_US4943516A Photosensitive thermosetting resin composition and method of forming solder resist pattern by use thereof

目标专利名称:1831氨基甲酸酯多官能单体、该单体的制备方法及含有该单体的光敏树脂组合物CN101998947B

本次调用的模型名称:GPT-4

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用(中文翻译)公开性论述
**技术特征A:通过反应如下化合物制备(未公开)**对比文件未公开通过反应(a)具有两个以上环氧基的环氧化合物、(b)具有酸基团的二元醇化合物、(c)具有乙烯不饱和基和异氰酸酯基的化合物而制备氨基甲酸酯多官能单体的方法。对比文件中的光敏预聚物(如制备例4的a-2-2)是通过环氧化合物与不饱和一元羧酸反应,再与半氨基甲酸酯反应而得,未使用任何具有酸基团的二元醇化合物。目标专利的氨基甲酸酯多官能单体必须通过(b)二元醇化合物与(a)环氧化合物反应引入羟基后再与(c)反应得到。对比文件未使用二元醇,其制备方法完全不同,因此本领域技术人员不能从对比文件毫无疑义地得出该技术特征,且对比文件也没有任何内容可能推理出该制备路径。
**技术特征B:(a)一种具有两个以上环氧基的环氧化合物(直接公开)**对比文件在“DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION”部分中明确记载:“The novolak type epoxy compounds…optionally…bisphenol A type, bisphenol F type, hydrogenated bisphenol A type, brominated bisphenol A type, amino group-containing, alicyclic, or polybutadiene-modified glycidyl ether epoxy compounds”(中文:酚醛清漆型环氧化合物…可选择地…双酚A型、双酚F型、氢化双酚A型、溴化双酚A型、含氨基型、脂环族或聚丁二烯改性缩水甘油醚型环氧化合物),并在制备例1中具体使用了甲酚酚醛环氧树脂(环氧当量218)。这些化合物均具有两个以上环氧基。对比文件明确列举了多种具有两个以上环氧基的环氧化合物,并作为起始原料使用,本领域技术人员可以直接确定其公开了该技术特征。
**技术特征C:(b)一种具有酸基团的二元醇化合物(未公开)**对比文件全文未提及任何具有酸基团的二元醇化合物。所有涉及含羟基的反应物均为(甲基)丙烯酸羟乙酯等不含酸基团的单羟基化合物,或为多羟基化合物如季戊四醇三丙烯酸酯等,但均不具有酸基团(如羧基)。目标专利的(b)必须同时具有酸基团(如羧基)和两个羟基,例如二羟甲基丙酸。对比文件完全没有公开或暗示这类化合物,本领域技术人员无法从对比文件的内容中推理或得到任何关于酸基团二元醇的教导。
**技术特征D:(c)一种具有乙烯不饱和基和异氰酸酯基的化合物(直接公开)**对比文件制备例4(Preparation Example 4)记载:“将87份甲苯二异氰酸酯…与65份丙烯酸羟乙酯…反应,得到半氨基甲酸酯化合物,该化合物具有末端丙烯酰基和异氰酸酯基”。该半氨基甲酸酯化合物同时含有乙烯不饱和基(丙烯酸酯基)和异氰酸酯基。对比文件明确合成了同时含有异氰酸酯基和乙烯不饱和基的化合物,并用于后续反应,本领域技术人员可以直接确定该技术特征。
**技术特征E:其中所述(a)具有两个以上环氧基的环氧化合物选自(直接公开)**对比文件在“DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION”部分中记载:“The novolak type epoxy compounds…optionally…bisphenol A type, bisphenol F type, hydrogenated bisphenol A type, brominated bisphenol A type, amino group-containing, alicyclic, or polybutadiene-modified glycidyl ether epoxy compounds”。此外还列举了多种市售环氧树脂,表明环氧化合物可从多种类型中选择。对比文件直接公开了环氧化合物可以从所列出的多种类型中选择,即公开了“选自”的概念,本领域技术人员可以直接确定。
**技术特征F:双酚A环氧树脂和芳族环氧树脂(直接公开)**对比文件在“DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION”部分中明确列举了双酚A型环氧树脂,如“EPIKOTE-828”等,以及芳族环氧树脂如甲酚酚醛环氧树脂(cresol novolak type epoxy resin)等。对比文件具体提到了双酚A环氧树脂和芳族环氧树脂(如酚醛清漆型芳族环氧树脂),因此直接公开了该技术特征。
**技术特征G:其中所述b)具有酸基团的二元醇化合物由下式I表示(未公开)**对比文件未公开式I(HO-CH₂-C(R₁)(COOH)-CH₂-OH)或任何类似结构的化合物。对比文件中使用的含羟基化合物均为(甲基)丙烯酸羟乙酯等,不含酸基团。目标专利的式I化合物是特定结构(如二羟甲基丙酸),对比文件没有任何内容涉及此类化合物,本领域技术人员无法从对比文件得出该技术特征。
**技术特征H:其中R1为甲基或乙基(未公开)**同G,对比文件未公开式I,因此也未公开R1的具体定义。由于未公开式I,相应的R1限定自然未被公开。
**技术特征I:其中所述c)具有乙烯不饱和基和异氰酸酯基的化合物由下式II表示(隐含公开)**对比文件制备例4公开了半氨基甲酸酯化合物,其由甲苯二异氰酸酯与丙烯酸羟乙酯反应得到,结构为OCN-C₆H₃(CH₃)-NHCOOCH₂CH₂OCOCH=CH₂,该化合物含有异氰酸酯基和乙烯不饱和基。虽然具体结构不同于式II,但功能完全相同,均用于与羟基反应引入可光聚合的乙烯基。对比文件公开了具有相同官能团的化合物(异氰酸酯基+乙烯不饱和基),并教导其用于引入光敏基团。本领域技术人员在对比文件的基础上,可以合理推理出使用式II的化合物(如甲基丙烯酸2-异氰酸酯基乙酯)也能达到相同目的,且式II是此类化合物的常见简化结构。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征J:其中R2为氢或C1-C5烷基(隐含公开)**同I,对比文件公开的半氨基甲酸酯中,源自丙烯酸羟乙酯的乙烯基部分对应R2=H,且本领域技术人员已知可使用甲基丙烯酸酯对应R2=CH₃等。基于与I相同的理由,隐含公开。
**技术特征K:n为1-12的整数(隐含公开)**同I,对比文件半氨基甲酸酯中使用的丙烯酸羟乙酯对应n=2,且本领域技术人员可根据需要选择不同链长的羟基烷基(甲基)丙烯酸酯,n为1-12是常见范围。基于与I相同的理由,隐含公开。
**技术特征L:还包括(直接公开)**对比文件在制备例3和5中公开了将光敏预聚物与酸酐(如邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐)反应,引入羧基,从而明确公开了“还包括”酸酐反应物作为多官能单体的组成部分。对比文件直接记载了光敏预聚物可以进一步与酸酐反应,即公开了“还包括”酸酐这一技术特征。
**技术特征M:丁二酸酐、戊二酸酐、甲基丁二酸酐、马来酸酐、甲基马来酸酐、邻苯二甲酸酐、1,2,3,6-四氢邻苯二甲酸酐、3,4,5,6-四氢邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、顺-5-降冰片烯-(内型,外型)-2,3-二羧酸酐,或其组合(直接公开)**对比文件在“DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION”部分中记载:“The saturated or unsaturated polybasic acid anhydrides may be, for example, the anhydrides of phthalic acid, tetrahydrophthalic acid, hexahydrophthalic acid, maleic acid, succinic acid, itaconic acid, chlorendic acid, methylhexahydrophthalic acid, methylendomethylenete-tetrahydrophthalic acid, methyltetrahydrophthalic acid, trimellitic acid, pyromellitic acid, and benzophenone tetracarboxylic acid”。其中明确列出了邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、马来酸酐、丁二酸酐(琥珀酸酐)等。对比文件直接公开了目标专利列表中的大部分酸酐,包括邻苯二甲酸酐、四氢邻苯二甲酸酐、六氢邻苯二甲酸酐、马来酸酐、丁二酸酐等,且本领域技术人员知道这些酸酐在功能上可以互换使用,因此该技术特征被直接公开。

### 公开性代码输出

根据上述表格的公开性判断,对于直接公开的技术特征,插入大写英文代码;对于隐含公开的技术特征,插入小写英文代码。

直接公开:B, D, E, F, L, M

隐含公开:I, J, K

注意:A、C、G、H未被公开,不插入任何代码。

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