对比文件名称：2006-10-19_US2006231944A_发明申请_US20060231944A1 Thermally enhanced semiconductor package and fabrication method thereof
目标专利名称：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B
模型名称：本次调用的大语言模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（直接公开） | [0036]“提供芯片载体例如基板11”；[0046]“基板11具有上表面和下表面”。 | 对比文件公开了基板11，作为支撑半导体芯片的载体，该基板实质上构成一种支撑构件，与目标专利中用于支撑其他元件的“第一支撑构件”功能对应。本领域技术人员能够毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | [0039]“散热片3上形成有界面层31”；[0041]“界面层可以是金属镀层或聚酰亚胺胶带”。 | 对比文件未公开任何被描述为“结合层”的层，界面层31用于帮助去除封装材料，并非用于结合第二支撑构件和第一支撑构件，且未公开“至少两个”。因此该特征未被直接或隐含公开。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 同特征B。 | 由于对比文件未公开结合层，更未公开结合层布置在第一支撑构件上，该特征未被公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件（直接公开） | [0039]“散热片3通过其另一表面附着到半导体芯片15”；[0046]封装包括散热片。 | 对比文件公开了散热片3，它是一个独立的金属构件，附着在半导体芯片上，起到支撑和散热作用，该散热片可视为第二支撑构件。本领域技术人员能够毫无疑义地确定该特征被直接公开。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件没有公开结合层，散热片直接附着在芯片上，而非通过结合层，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征F：发光结构（未公开） | [0036]“半导体芯片15”安装在基板上。 | 目标专利的发光结构是包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层的LED结构。对比文件的半导体芯片是集成电路，不具有上述层结构，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件未公开发光结构，且芯片是布置在基板上，不是布置在散热片上，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件未公开任何具体导电类型的半导体层，更未公开发光结构中的第一导电类型半导体层。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件未公开第二导电类型半导体层。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件未公开有源层。 |
| 技术特征K：第一电极（未公开） | [0046]在封装中形成“导电元件6”，但未公开第一电极。 | 对比文件未公开布置在发光结构上的第一电极，导电元件6是焊球，并非直接形成在发光结构上的电极。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上（未公开） | 无相关公开。 | 由于发光结构和第一电极均未公开，该特征未被公开。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件没有公开多个发光器件，也没有金属层连接相邻器件的支撑构件，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件没有公开结合层，也没有公开这种尺寸关系，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | [0054]-[0055]公开了散热片底部的凸凹结构（adhesion-enhanced portion），但该结构在散热片上，不是结合层。 | 对比文件公开了凸凹结构，但该结构形成在散热片底部，而非结合层上。目标专利的凹凸结构是形成在结合层上，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件未公开在第一支撑构件表面上形成凹凸结构，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件没有公开连接相邻器件的金属层，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件没有公开金属层和结合层，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件没有公开金属层和发光结构，因此该特征未被公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 无相关公开。 | 该特征为引导词，无具体技术内容，对比文件未公开。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件没有公开任何欧姆层结构。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 无相关公开。 | 由于欧姆层和第二导电类型半导体层均未公开，该特征未被公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 无相关公开。 | 引导词，未公开。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 无相关公开。 | 对比文件没有公开反射层。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 无相关公开。 | 由于反射层、欧姆层、第二支撑构件之间的关系未公开，该特征未被公开。 |
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