对比文件：2007-04-19_JP2007103934A_发明专利_JP2007103934A Method of manufacturing perpendicular structure light emitting diode；目标专利：1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装CN102263119B；模型名称：DeepSeek
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用（中文翻译） | 公开性论述 |
| 技术特征A：第一支撑构件（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件。对比文件中的支撑结构为第1镀层和第2镀层，但它们是器件的一部分，并非用于暂时固定芯片的基底片。 | 目标专利的第一支撑构件为基底片，用于支撑发光器件阵列以便后续工艺。对比文件未提及类似基底片，本领域技术人员不能直接且毫无疑义地得出该特征，亦无合理推理基础。 |
| 技术特征B：至少两个结合层（未公开） | 对比文件未公开结合层。对比文件中的p侧电极、第1镀层、第2镀层等均不具有结合层功能。 | 目标专利的结合层用于将发光器件固定到第一支撑构件。对比文件没有描述任何起类似结合作用的层，未公开此特征。 |
| 技术特征C：所述至少两个结合层被布置在所述第一支撑构件上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件和结合层，因此无法公开此关系。 | 由于缺乏第一支撑构件和结合层，该特征未被公开。 |
| 技术特征D：第二支撑构件《直接公开》 | “メッキにより形成された金属材料（第２メッキ層１５６）を個別ダイオード１００，２００の導電性基板として使用する”（通过电镀形成的金属材料（第2镀层156）用作各个二极管100、200的导电性基板）。 | 对比文件明确公开了第2镀层作为导电性基板，对应目标专利的第二支撑构件，作用相同，均用于支撑发光结构并作为电极。 |
| 技术特征E：所述第二支撑构件被布置在所述至少两个结合层中的每一个上（未公开） | 对比文件未公开结合层，因此无法公开此关系。 | 由于缺乏结合层，该特征未被公开。 |
| 技术特征F：发光结构《直接公开》 | “発光構造物１１５”（发光结构物），包括n型クラッド层、活性层、p型クラッド层。 | 对比文件公开了由多层半导体构成的发光结构，与目标专利的发光结构对应。 |
| 技术特征G：所述发光结构被布置在所述第二支撑构件上《直接公开》 | 对比文件图6-10及说明：发光结构通过p侧电极、第1镀层设置在第2镀层上。 | 虽存在中间层，但发光结构整体位于第2镀层（第二支撑构件）之上，本领域技术人员可毫无疑义地确定该布局。 |
| 技术特征H：所述发光结构包括第一导电类型半导体层《直接公开》 | “ｐ型クラッド層１１５ｃ”（p型包覆层）或“ｎ型クラッド層１１５ａ”。 | 对比文件公开了p型半导体层和n型半导体层，包含了第一导电类型半导体层。 |
| 技术特征I：第二导电类型半导体层《直接公开》 | 同上，对应另一导电类型层。 | 对比文件公开了两种导电类型半导体层，因此公开了第二导电类型半导体层。 |
| 技术特征J：被布置在所述第一导电类型半导体层和所述第二导电类型半导体层之间的有源层《直接公开》 | “活性層１１５ｂ”（活性层）。 | 对比文件明确在有源层位于两个导电类型层之间，直接公开。 |
| 技术特征K：第一电极《直接公开》 | “ｐ側電極１０６”（p侧电极）。 | 对比文件在p型半导体层上形成p侧电极，相当于第一电极，直接公开。 |
| 技术特征L：所述第一电极被布置在所述发光结构上《直接公开》 | 同上，p侧电极直接形成在p型クラッド层上。 | 直接公开第一电极位于发光结构上。 |
| 技术特征M：其中发光器件的第二支撑构件经通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接《直接公开》 | “複数の素子領域Ａを連結するよう上記ｐ側電極１０６の上面と素子分離領域Ｂ上に第１メッキ層１３６を形成する”（形成第1镀层以连接多个元件区域）。 | 第1镀层（金属层）连续覆盖多个器件区域，第2镀层（第二支撑构件）形成于其上，因此相邻器件之第二支撑构件通过第1镀层连接，功能与目标专利的金属层相同。 |
| 技术特征N：其中所述结合层的边缘位于所述发光结构的边缘以内1～10微米（未公开） | 对比文件未公开结合层，亦无类似尺寸限制。 | 目标专利的该尺寸限定针对结合层，对比文件无对应特征。 |
| 技术特征O：其中所述结合层包括凹凸结构（未公开） | 对比文件未公开结合层，未提及凹凸结构。 | 无公开。 |
| 技术特征P：所述凹凸结构形成在所述第一支撑构件的表面上（未公开） | 对比文件未公开第一支撑构件及凹凸结构。 | 无公开。 |
| 技术特征Q：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述第二支撑构件的组成相同《直接公开》 | “第１メッキ層１３６は…Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｗ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｍｏ及びこれらのうち２以上の合金…から選択。上記第２メッキ層１５６は同様の材料グループから選択。” | 第1镀层和第2镀层可由相同材料组选择，因此金属层与第二支撑构件组成可以部分相同，直接公开。 |
| 技术特征R：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述结合层的组成相同（未公开） | 对比文件未公开结合层。 | 无公开。 |
| 技术特征S：其中所述金属层的组成的至少预定部分与所述发光结构的组成相同（未公开） | 对比文件未公开金属层与发光结构组成相同。发光结构为半导体，金属层为金属，组成不同。 | 无公开。 |
| 技术特征T：进一步包括（未公开） | 对比文件未明确使用“进一步包括”措辞，但公开了其他层。 | 该特征为前序用语，无具体结构，对比文件未直接公开，但隐含公开其含义（对比文件亦包含其他层）。但为严谨，按未公开处理。 |
| 技术特征U：欧姆层（未公开） | 对比文件公开了p侧电极，但未单独定义欧姆层。p侧电极虽实现欧姆接触，但功能为电极，且位于第1镀层下方，不直接接触第二支撑构件。 | 目标专利的欧姆层是单独层，位于第二导电类型半导体层与第二支撑构件之间。对比文件无此特定层结构，未公开。 |
| 技术特征V：所述欧姆层被布置在所述第二导电类型半导体层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 同上，对比文件无欧姆层，且p侧电极与第二支撑构件之间还存在第1镀层。 | 未公开。 |
| 技术特征W：进一步包括（未公开） | 类似特征T。 | 按未公开处理。 |
| 技术特征X：反射层（未公开） | 对比文件未公开反射层。p侧电极可能含反射材料，但未明确为反射层。 | 无公开。 |
| 技术特征Y：所述反射层被布置在所述欧姆层和所述第二支撑构件之间（未公开） | 对比文件无反射层，且无欧姆层。 | 未公开。 |
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