**对比文件名称：** 2010-04-08_KR1020100036758A_发明公开_KR1020100036758A 발광 다이오드 및 그 제조 방법
**目标专利名称：** 1836发光器件阵列及其制造方法以及发光器件封装 CN102263119B
**本次调用的模型名称：** 通用AI分析模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用（翻译为中文） | 公开性论述 |
| **特征A：第一支撑构件（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件仅涉及单个发光二极管，未公开任何用于支撑器件阵列的基底片或类似的第一支撑构件。 |
| **特征B：至少两个结合层（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开结合层，其粘附层（67）和Ag合金粘附中间层（62）用于其他目的，且数量不为“至少两个”。 |
| **特征C：至少两个结合层布置在第一支撑构件上（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 结合层及第一支撑构件均未公开，因此该特征未被公开。 |
| **特征D：第二支撑构件（直接公开）** | [18] “导电衬底(71)上设置有包括N型半导体层(55)、有源层(57)、P型半导体层(59)的化合物半导体层。导电衬底(71)可以是Si、GaAs、GaP、AlGaINP、Ge、SiSe、GaN、AlInGaN或InGaN等基板，或Al、Zn、Ag、W、Ti、Ni、Au、Mo、Pt、Pd、Cu、Cr或Fe的单金属或合金基板。” | 对比文件明确公开了导电衬底（71）作为支撑构件，功能与目标专利的第二支撑构件（导电支撑基板）相同，均用于支撑发光结构并作为电极，因此直接公开特征D。 |
| **特征E：第二支撑构件布置在至少两个结合层中的每一个上（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开结合层，且第二支撑构件（导电衬底）直接通过粘附层等与金属反射层结合，而非布置在结合层上，因此未公开。 |
| **特征F：发光结构（直接公开）** | [18] “导电衬底(71)上设置有包括N型半导体层(55)、有源层(57)、P型半导体层(59)的化合物半导体层。” | 对比文件公开了由N型半导体层、有源层、P型半导体层构成的发光结构，与目标专利的发光结构相同，直接公开特征F。 |
| **特征G：发光结构布置在第二支撑构件上（直接公开）** | [18]结合[19] “化合物半导体层与导电衬底(71)之间夹有金属反射层(61)、粘附层(67)。” | 发光结构（化合物半导体层）通过金属反射层、粘附层等设置在导电衬底（第二支撑构件）上，与目标专利的布置方式一致，直接公开特征G。 |
| **特征H：第一导电类型半导体层（直接公开）** | [18] “N型半导体层(55)” | 对比文件明确公开了N型半导体层作为第一导电类型半导体层，直接公开特征H。 |
| **特征I：第二导电类型半导体层（直接公开）** | [18] “P型半导体层(59)” | 对比文件明确公开了P型半导体层作为第二导电类型半导体层，直接公开特征I。 |
| **特征J：有源层（直接公开）** | [18] “有源层(57)”位于N型与P型半导体层之间。 | 对比文件公开了介于第一导电类型半导体层和第二导电类型半导体层之间的有源层，直接公开特征J。 |
| **特征K：第一电极（直接公开）** | [27] “电极焊盘(83)形成在N型半导体层(55)上。” | 对比文件公开了在N型半导体层上形成的电极焊盘，即第一电极，直接公开特征K。 |
| **特征L：第一电极布置在发光结构上（直接公开）** | [27] “电极焊盘(83)形成在N型半导体层(55)上。” | 电极焊盘形成在发光结构（N型半导体层）上，直接公开特征L。 |
| **特征M：发光器件的第二支撑构件通过金属层与相邻的发光器件的第二支撑构件连接（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件仅涉及单个发光二极管，没有公开多个发光器件组成的阵列，更未公开通过金属层连接相邻器件第二支撑构件的结构，因此未公开。 |
| **特征N：结合层的边缘位于发光结构的边缘以内1～10微米（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开结合层，因此未公开该位置关系。 |
| **特征O：结合层包括凹凸结构（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开结合层，因此未公开凹凸结构。 |
| **特征P：凹凸结构形成在第一支撑构件的表面上（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开第一支撑构件及凹凸结构，因此未公开。 |
| **特征Q：金属层的组成的至少预定部分与第二支撑构件的组成相同（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开连接相邻器件的金属层，因此未公开。 |
| **特征R：金属层的组成的至少预定部分与结合层的组成相同（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开结合层及所述金属层，因此未公开。 |
| **特征S：金属层的组成的至少预定部分与发光结构的组成相同（未公开）** | 对比文件无相关记载。 | 对比文件未公开所述金属层，因此未公开。 |
| **特征T：进一步包括（隐含公开）** | 对比文件公开了隐含的欧姆层（见特征U），因此隐含公开了“进一步包括欧姆层”这一特征。 | 对比文件虽未使用“进一步包括”的措辞，但在P型半导体层与导电衬底之间设置了Ag合金粘附中间层，该层可视为欧姆层，因此隐含公开了进一步包括欧姆层。 |
| **特征U：欧姆层（隐含公开）** | [5] “金属反射层包括在第二导电类型半导体层上形成的Ag合金粘附中间层”。[21] “Ag合金粘附中间层(62)用于将Ag反射层粘附到P-GaN层(59)。” | 对比文件公开的Ag合金粘附中间层（62）直接接触P型半导体层，本领域技术人员知晓该层可以形成欧姆接触，其功能与目标专利的欧姆层实质相同（改善接触），因此隐含公开特征U。 |
| **特征V：欧姆层布置在第二导电类型半导体层和第二支撑构件之间（隐含公开）** | [20] “金属反射层(61)由Ag合金粘附中间层(62)、Ag反射层(63)、保护金属层(65)组成。”[18]显示导电衬底(71)在保护金属层上方。 | 基于特征U，Ag合金粘附中间层（欧姆层）位于P型半导体层（第二导电类型）与导电衬底（第二支撑构件）之间，因此隐含公开特征V。 |
| **特征W：进一步包括（直接公开）** | [20] “金属反射层(61)由Ag合金粘附中间层(62)、Ag反射层(63)及保护金属层(65)组成。” | 对比文件明确公开了Ag反射层作为反射层，相当于直接公开了“进一步包括反射层”，因此特征W直接公开。 |
| **特征X：反射层（直接公开）** | [20] “Ag反射层(63)” | 对比文件直接公开了Ag反射层，其功能为反射有源层发出的光，与目标专利的反射层相同，直接公开特征X。 |
| **特征Y：反射层布置在欧姆层和第二支撑构件之间（直接公开）** | [20] “Ag反射层(63)形成在Ag合金粘附中间层(62)上”，导电衬底(71)位于保护金属层上方。 | 对比文件公开了Ag反射层位于Ag合金粘附中间层（可视为欧姆层）与导电衬底（第二支撑构件）之间，因此直接公开特征Y。 |
### 公开性代码
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