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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR_+++A_e_f_g_i_q+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
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TW201222782A_Description_20260318_1905_+++A_B_I_K_f_g_j_q+++.docx
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US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
2026-03-24 23:32
WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx

对比文件名称:2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料《直接公开》【具体实施方式】段落:“构成薄膜线圈30的线圈图案31(第1线圈图案)、32(第2线圈图案),该线圈图案31、32 例如都由铜(Cu)等高导电性材料构成。”对比文件明确公开了薄膜线圈30包含由铜等高导电性材料构成的线圈图案31(即第一线圈图案)。该线圈图案在对比文件中作为共模扼流线圈的组成部分,起到产生磁通、构成电感器的作用,与目标专利中第一电感器绕组作为电感器结构组成部分的作用相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征B**:第二电感器绕组,其包括导电材料《直接公开》【具体实施方式】段落:“构成薄膜线圈30的线圈图案31(第1线圈图案)、32(第2线圈图案),该线圈图案31、32 例如都由铜(Cu)等高导电性材料构成。”对比文件明确公开了薄膜线圈30还包含由铜等高导电性材料构成的线圈图案32(即第二线圈图案)。该线圈图案与线圈图案31并列设置,共同构成薄膜线圈,其作用与目标专利中第二电感器绕组的作用相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征C**:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,《隐含公开》【具体实施方式】段落:“绝缘层40将薄膜线圈30从周围电分离,例如配设在下部磁性基板10上,以环状覆盖薄膜线圈30及其周边区域。该绝缘层40由例如光致抗蚀剂等绝缘材料构成。”对比文件公开了绝缘层40,其覆盖薄膜线圈30(包含线圈图案31和32)。虽然未明确文字记载绝缘材料“横向位于”两个线圈图案之间,但根据图1-3所示的共面并列结构,本领域技术人员可以合理推断,为了将两个并列的线圈图案31和32从周围(包括彼此之间)电分离,绝缘材料必然存在于它们之间的间隙中。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征D**:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,《未公开》【具体实施方式】段落:“绝缘层40将薄膜线圈30从周围电分离…”对比文件中的绝缘层40主要作用是将薄膜线圈“从周围电分离”,即提供电绝缘功能。虽然绝缘材料的存在客观上对线圈结构有物理支撑,但对比文件全文未提及该绝缘层或任何填充物被“配置成提供结构耦合”,也未提及其用于在没有基底基板的情况下维持电感器结构的完整性。目标专利中“结构耦合”是填充物的特定配置目的,旨在替代基板提供机械支撑和结构刚性,这与对比文件中绝缘层的主要作用(电隔离)不同。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征E**:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。《未公开》【具体实施方式】段落:“在下部磁性基板10和上部磁性基板20之间,经由绝缘层40、磁性层50及种子层60而埋设着薄膜线圈30。”;图1及相应描述。对比文件中的薄膜线圈30是形成并埋设在“下部磁性基板10”上的(通过种子层60),并且最终被夹在“下部磁性基板10”和“上部磁性基板20”之间。整个线圈构造体具有作为基底部分的磁性基板(下部磁性基板10)。对比文件未公开移除该基板,也未描述电感器结构“没有作为基底部分的基板”。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征F**:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。《直接公开》【具体实施方式】段落:“线圈图案31、32在高度方向(垂直于图2的纸面方向,Z轴方向)上没有层叠配置、即没有配置在不同的层中,而是线圈图案31、32在水平方向(图2的纸面的面内方向:XY面内方向)上并列设置,即配置在同一层中。”对比文件明确公开了第一线圈图案31和第二线圈图案32“配置在同一层中”,即横向共面。该共面布置用于实现特定的耦合特性,与目标专利中横向共面布置的作用相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征G**:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。《直接公开》【具体实施方式】段落:“构成薄膜线圈30的线圈图案31、32如图2所示,以规定的中心位置T为中心相互并列地卷绕成螺旋状。”对比文件明确公开了线圈图案31和32都以中心位置T为中心卷绕成螺旋状,即分别具有螺旋形状。这与目标专利中第一和第二电感器绕组具有螺旋形状的特征一致。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征H**:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。《隐含公开》图2所示的薄膜线圈平面结构。对比文件图2示出了线圈图案31和32的平面形状,它们是以中心位置T为中心卷绕的螺旋形。本领域技术人员公知,为了实现特定的电感值和耦合效果,螺旋形线圈可以设计成各种形状,包括拉长的圆形(例如跑道形)。从图2所示的形状来看,其外轮廓呈现拉长的圆形趋势。结合说明书对螺旋形状的描述,本领域技术人员可以合理推断,为实现对比文件的目的,其螺旋形状可以是拉长的圆形。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征I**:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。《直接公开》【具体实施方式】段落:“在线圈图案31、32的各个周端上设有通电用的端子。即、在线圈图案31的外周端及内周端上分别设有端子31A、31B,并且在线圈图案32的外周端及内周端上分别设有端子32A、32B。”对比文件明确公开了第一线圈图案31具有端子31A和31B,第二线圈图案32具有端子32A和32B。这些端子用于通电,与目标专利中电感器绕组包括端子的作用相同。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征J**:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。《直接公开》【具体实施方式】段落:“在线圈图案31的外周端及内周端上分别设有端子31A、31B”。结合图2可知,端子31A、31B分别位于线圈图案31的两端(外周端和内周端)。对比文件明确记载了端子31A、31B设置在线圈图案31的两端(外周端和内周端),即端子耦合至线圈绕组的端部。这与目标专利中端子耦合至电感器绕组端部的特征一致。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地得出该技术特征。
**技术特征K**:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。《未公开》无相关记载。对比文件未提及线圈图案31或任何线圈图案的具体厚度数值,也未提及厚度小于0.2毫米的技术特征。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征L**:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。《未公开》无相关记载。对比文件记载绝缘层40由“例如光致抗蚀剂等绝缘材料构成”,未提及“环氧树脂”。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征M**:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。《未公开》【具体实施方式】段落:“在下部磁性基板10和上部磁性基板20之间,经由绝缘层40、磁性层50及种子层60而埋设着薄膜线圈30。”对比文件公开了“下部磁性基板10”和“上部磁性基板20”,它们由磁性材料构成,可视为铁磁层。然而,这些磁性基板是整个线圈构造体的支撑和封装部分,位于绝缘层40(相当于填充物)的外侧,并非目标专利所描述的“位于与所述填充物相邻”的、作为电感器结构附加组件的铁磁层。目标专利的“铁磁层”旨在提高电感器性能(如Q值),其位置关系和作用与对比文件中的磁性基板不同。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征N**:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。《未公开》无相关记载。对比文件描述的线圈构造体是独立的共模扼流线圈部件,未提及将其集成在层叠封装(PoP)结构上。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征O**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。《未公开》无相关记载。对比文件未提及将薄膜线圈或线圈构造体集成在封装基板的表面上。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征P**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。《未公开》无相关记载。对比文件未提及将薄膜线圈或线圈构造体集成在封装基板内部。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征Q**:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。《隐含公开》【背景技术】和【具体实施方式】开头:“本发明涉及包含相互并列并卷绕为螺旋状的两个线圈图案的薄膜线圈…共态扼流线圈作为降低高频波段的噪音用的线圈部件正在普及应用。”对比文件明确其发明的薄膜线圈及线圈构造体(共模扼流线圈)是用于降低高频噪音的“线圈部件”。本领域技术人员知晓,此类无源元件最终会被用于或纳入各种电子设备(如通信设备)中以实现其功能。因此,可以合理推断该电感器结构会被纳入电子设备中。该技术特征被隐含公开。

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