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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR_+++A_e_f_g_i_q+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
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TW201222782A_Description_20260318_1905_+++A_B_I_K_f_g_j_q+++.docx
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US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
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US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
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WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx

对比文件名称:2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用的模型名称:DeepSeek-R1

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料《直接公开》【说明书】第[0034]段:“构成薄膜线圈30的线圈图案31(第1线圈图案)、32(第2线圈图案),该线圈图案31、32 例如都由铜(Cu)等高导电性材料构成。”对比文件公开了薄膜线圈30包括第1线圈图案31和第2线圈图案32,且明确说明它们由铜等高导电性材料构成。这与目标专利的“第一电感器绕组,其包括导电材料”的技术特征完全相同。本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术方案。
**技术特征B**:第二电感器绕组,其包括导电材料《直接公开》【说明书】第[0034]段:“构成薄膜线圈30的线圈图案31(第1线圈图案)、32(第2线圈图案),该线圈图案31、32 例如都由铜(Cu)等高导电性材料构成。”对比文件公开了第2线圈图案32,且明确其由导电材料(铜)构成。这与目标专利的“第二电感器绕组,其包括导电材料”的技术特征完全相同。本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术方案。
**技术特征C**:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,《隐含公开》【说明书】第[0034]段:“绝缘层40将薄膜线圈30从周围电分离,例如配设在下部磁性基板10上,以环状覆盖薄膜线圈30及其周边区域。” 图1、3。对比文件公开了绝缘层40覆盖薄膜线圈30(包括线圈图案31和32)。虽然绝缘层是“覆盖”而非明确“横向位于…之间”,但从结构上看(如图1、3),绝缘层必然填充在两个并列的线圈图案31和32之间的空间区域,以实现电分离。本领域技术人员可以合理推断,为实现电分离,绝缘材料必然位于两个并列线圈图案之间的横向间隙中。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征D**:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,《未公开》【说明书】第[0034]段:“绝缘层40将薄膜线圈30从周围电分离…”目标专利中填充物的核心作用之一是“提供结构耦合”,即在无基板情况下维持电感器结构的机械完整性和稳定性(参见说明书[0051], [0059]段)。对比文件中绝缘层40的作用是“电分离”,并未提及任何为线圈图案之间提供机械支撑或结构耦合的功能。两者作用本质不同。因此,该技术特征未被公开。
**技术特征E**:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。《未公开》【说明书】第[0034]段:“薄膜线圈30…配设在规定的衬底(种子层60)上”,【说明书】第[0034]段:“下部磁性基板10及上部磁性基板20…它们的厚度为约1.0μm~10.0μm。” 图1。目标专利的核心在于“无基板”,即移除或没有作为结构基底部分的基板(参见说明书[0054]段)。对比文件的整个薄膜线圈30是制作并位于下部磁性基板10(以及种子层60)之上的,并且最终被夹在两个磁性基板10、20之间构成完整部件。其结构始终存在作为基底和封装部分的基板(磁性基板),并未被移除。因此,该区别技术特征未被公开。
**技术特征F**:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。《直接公开》【说明书】第[0035]段:“线圈图案31、32在高度方向…没有层叠配置…而是线圈图案31、32在水平方向…上并列设置,即配置在同一层中。” 图2。对比文件明确说明了第1线圈图案31和第2线圈图案32在同一层中水平方向并列设置,即横向共面。这与目标专利的特征F完全相同。本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术方案。
**技术特征G**:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。《直接公开》【说明书】第[0035]段:“构成薄膜线圈30的线圈图案31、32如图2所示,以规定的中心位置T为中心相互并列地卷绕成螺旋状。” 图2。对比文件图2明确示出了两个线圈图案31、32都是以中心位置T为中心卷绕的螺旋形状。文字部分也明确记载了“卷绕成螺旋状”。这与目标专利的特征G完全相同。本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术方案。
**技术特征H**:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。《未公开》无相应记载。对比文件虽然公开了螺旋形状,但并未具体描述其螺旋形状为“拉长的圆形形状”(例如赛马场形)。目标专利说明书[0059]段将此作为可选形状之一。对比文件未公开该特定形状。
**技术特征I**:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。《直接公开》【说明书】第[0035]段:“在线圈图案31、32的各个周端上设有通电用的端子。即、在线圈图案31的外周端及内周端上分别设有端子31A、31B,并且在线圈图案32的外周端及内周端上分别设有端子32A、32B。” 图2。对比文件明确记载了线圈图案31具有端子31A和31B,线圈图案32具有端子32A和32B。这与目标专利的特征I“第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,第二电感器绕组包括第三端子和第四端子”完全对应。本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术方案。
**技术特征J**:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。《隐含公开》【说明书】第[0035]段:“在线圈图案31的外周端及内周端上分别设有端子31A、31B”。结合图2可见,端子31A、31B分别位于线圈图案31的端部。对比文件明确端子31A、31B设于线圈图案31的“外周端及内周端”。对于螺旋形线圈,其“外周端”和“内周端”自然就是线圈绕组的两个电气端。本领域技术人员可以毫无疑义地推断,端子31A必然耦合至线圈图案31的一端(外周端),端子31B必然耦合至线圈图案31的另一端(内周端)。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征K**:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。《未公开》无相应记载。对比文件未提及线圈图案31、32的具体厚度尺寸,更未公开“厚度小于0.2毫米”这一具体数值特征。目标专利该特征是其实现超薄结构的关键之一(参见说明书[0054]段)。因此,该特征未被公开。
**技术特征L**:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。《未公开》【说明书】第[0034]段:“绝缘层40…由例如光致抗蚀剂等绝缘材料构成。”对比文件公开的绝缘层40的材料是“光致抗蚀剂”,而非目标专利中明确限定的“环氧树脂”。两者是不同类型的绝缘材料。该具体材料特征未被公开。
**技术特征M**:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。《未公开》【说明书】第[0034]段:“下部磁性基板10及上部磁性基板20…都是由镍铁合金…等磁性材料构成”。图1。对比文件公开了磁性基板10、20,它们位于整个线圈结构的上下两侧,作为线圈的磁路部分和封装结构。目标专利的特征M要求铁磁层“位于与所述填充物相邻”,其作用更侧重于对电感器本身的屏蔽和增强(参见说明书[0063]段),且位置关系描述更为具体。对比文件的磁性基板是作为整个器件的基底和盖板,其位置、作用及与填充物(绝缘层)的相邻关系并不明确等同于目标专利的特征M。因此,该特征未被直接或隐含公开。
**技术特征N**:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。《未公开》无相应记载。对比文件描述的是一个独立的共模扼流线圈器件,并未涉及将其集成到层叠封装(PoP)这类先进封装结构中的内容。该应用特征未被公开。
**技术特征O**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。《未公开》无相应记载。对比文件未提及将薄膜线圈集成在封装基板表面的技术内容。该应用特征未被公开。
**技术特征P**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。《未公开》无相应记载。对比文件未提及将薄膜线圈集成在封装基板内部的技术内容。该应用特征未被公开。
**技术特征Q**:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。《隐含公开》【说明书】第[0003]段:“近年来,在信息通信领域等中,共态扼流线圈作为降低高频波段的噪音用的线圈部件正在普及应用。该共态扼流线圈例如用来防止无线电广播等噪音混入到电话线路中。”对比文件明确指出其发明的薄膜线圈(共态扼流线圈)用于信息通信领域,例如电话线路中,以降低噪音。这属于电子设备(通信设备)的具体应用。本领域技术人员可以合理推断,该线圈部件最终会被纳入到相应的电子设备(如电话)中使用。因此,该特征被隐含公开。

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