返回项目页面
对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
2026-03-24 23:32
2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
2026-03-24 23:32
2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
2026-03-24 23:32
2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
2026-03-24 23:32
2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
2026-03-24 23:32
2005-09-02_JP2005230076A_发明专利_JP2005230076A Hair dryer_+++g_i_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
2026-03-24 23:32
2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
2026-03-24 23:32
2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
2026-03-24 23:32
2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
2026-03-24 23:32
2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
2026-03-24 23:32
2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
2026-03-24 23:32
2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
2026-03-24 23:32
2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR_+++A_e_f_g_i_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
2026-03-24 23:32
2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
2026-03-24 23:32
2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
2026-03-24 23:32
2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2011-06-07_US7956603B_发明授权_US07956603B2 Sensor inductors, sensors for monitoring movements and positioning, apparatus, systems and methods therefore_+++A_B_G_I_c_m_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
2026-03-24 23:32
2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
2026-03-24 23:32
2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
2026-03-24 23:32
2012-05-10_JP2012089700A_发明专利_JP2012089700A Planar coil, method of manufacturing the same, and composite planar coil for actuator_+++A_B_C_E_G_Q_d_i+++.docx
2026-03-24 23:32
2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
2026-03-24 23:32
2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
2026-03-24 23:32
JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
2026-03-24 23:32
TW201222782A_Description_20260318_1905_+++A_B_I_K_f_g_j_q+++.docx
2026-03-24 23:32
US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
2026-03-24 23:32
WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
2026-03-24 23:32
2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx

对比文件名称:2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

模型名称:DeepSeek

作为资深专利代理师,我将严格依据目标专利说明书对权利要求的解释,对对比文件进行技术特征公开性评估。

**特征比对表格**

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用 (翻译为中文)公开性论述
**A: 包括:第一电感器绕组,其包括导电材料** <br>**《直接公开》**【0027】“…例如,ポリイミドフィルムからなる基板1上に、突起した状態でらせん状のインダクタ2が形成されている。” <br>【0028】“インダクタ2は、基板1上に、下層から順に、銅メッキ皮膜21が例えば10μm〜50μm程度の膜厚で形成されており、銅メッキ皮膜21の上に、ニッケルメッキ皮膜22が例えば1μm〜10μm程度の膜厚で形成されており、ニッケルメッキ皮膜22の上に、金メッキ皮膜23が例えば0.1μm〜3μm程度の膜厚で形成されて構成されている。”对比文件【0027】-【0028】段明确公开了在基板1上形成的螺旋状(らせん状)电感器2,该电感器由铜、镍、金等导电材料构成的电镀膜层(铜电镀膜21等)组成。本领域技术人员能够毫无疑义地确定,该螺旋状的电感器2即是一个由导电材料构成的第一电感器绕组。因此,技术特征A被对比文件直接公开。
**B: 第二电感器绕组,其包括导电材料** <br>**《未公开》**对比文件全文仅描述了一个螺旋状电感器(インダクタ2)的形成。未提及或暗示存在第二个独立的电感器绕组。目标专利权利要求明确限定为包括“第一电感器绕组”和“第二电感器绕组”两个独立的绕组。对比文件JP2003059744A通篇仅公开了制造单个螺旋电感器的方法和结构(例如图1所示的单个インダクタ2)。虽然理论上可以在同一基板上制造多个独立电感器,但说明书文字和附图均未描述或暗示存在第二个电感器绕组及其与第一个绕组之间的特定位置关系(如横向、共面)。因此,对比文件既未直接公开也未隐含公开“第二电感器绕组”这一技术特征。
**C: 填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,** <br>**《未公开》**【0035】“インダクタ2およびレジストパターンRを被覆するように、ポリイミドフィルムを塗布して基板1を形成する。” <br>【0036】“基板1の材料としては、低誘電率で絶縁性を確保できる材料であれば特に制限はなく、他にも例えば、エポキシ樹脂やBTレジン等の有機樹脂組成物を用いることができる。”由于对比文件未公开“第二电感器绕组”(特征B),因此不存在“位于第一与第二电感器绕组之间”的填充物。对比文件中的基板材料(聚酰亚胺或环氧树脂)是用于覆盖并固定单个电感器2和掩模图案R的整体支撑层,其作用是形成最终承载电感器的基板1(参见【0035】),并非如目标专利说明书【0051】段所述,是专门“横向位于第一电感器绕组与第二电感器绕组之间”以“提供结构耦合”的填充物。二者作用与位置均不相同。因此,该特征未被公开。
**D: 所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,** <br>**《未公开》**(同特征C引用)基于特征B和C未公开的相同理由,对比文件未涉及为两个独立绕组提供“结构耦合”的填充物及其配置目的。对比文件中基板1的作用是承载和固定单个电感器,而非耦合两个绕组。因此,该特征未被公开。
**E: 其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。** <br>**《未公开》**【0037】“…ベース板5を塩化第二鉄等でエッチングして除去する。…レジストパターンRを除去することで、基板1の面から突出したインダクタ2が形成されることとなる。” <br>(参见图3(f)及图1(b))目标专利的“无基板”指移除作为制造载体的初始基板后,电感器结构本身没有作为其基底部分的基板(见说明书【0051】)。对比文件虽然移除了初始的ベース板5,但最终形成的电感器结构(インダクタ2)其底面与基板1牢固接合,基板1构成了该电感器结构的基底和支撑体(参见【0028】“インダクタ2の底面だけが、基板10に接着されている”)。这与目标专利图2-3中移除基板220后,仅由绕组和填充物构成独立结构完全不同。因此,对比文件的结构具有作为基底部分的基板(基板1),未公开“没有作为基底部分的基板”这一特征。
**F: 其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。** <br>**《未公开》**(同特征B引用)该特征以存在两个绕组(特征B)为前提。由于对比文件未公开第二电感器绕组,因此“横向共面”的关系无从谈起。该特征未被公开。
**G: 其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。** <br>**《直接公开》(针对第一螺旋形状)** <br>**《未公开》(针对第二螺旋形状)**【0027】“…らせん状のインダクタ2が形成されている。” <br>【0034】“…らせん状のパターンの前記導体層を形成する。”对比文件直接且明确地公开了其电感器2具有“螺旋形状(らせん状)”。这对应于目标专利的“第一螺旋形状”。然而,对比文件未公开第二个电感器绕组,因此“第二电感器绕组具有第二螺旋形状”这一技术特征未被公开。
**H: 其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。** <br>**《隐含公开》(针对形状可能性)**【0027】“…らせん状のインダクタ2が形成されている。” (附图1(a)显示为大致圆形螺旋)目标专利说明书【0060】段指出,电感器绕组的形状可以是“拉长的圆形形状(例如,赛马场形状)”,这是螺旋形状的一种具体实施例。对比文件公开了“螺旋形状”,但未明确其是圆形还是拉长圆形。然而,对于本领域技术人员而言,螺旋形状可以根据设计需要被制造成拉长的圆形(如椭圆形或跑道形),这是该领域公知的常规设计选择。在隐含公开的宽松判断标准下,可以认为对比文件隐含公开了绕组具有拉长圆形形状的可能性。但需注意,此公开并非针对“两个绕组”,而仅是针对单个绕组的形状可能性。
**I: 其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。** <br>**《直接公开》(针对第一绕组的端子)** <br>**《未公开》(针对第二绕组的端子)**【0027】“上記のインダクタ2の外周端は、配線路4に接続されており、インダクタ2の内周端は、配線路4に金線等からなるボンディングワイヤ3により接続されている。”对比文件明确公开了电感器2具有“外周端”和“内周端”,并且它们分别连接到配线路径4。在电子元件领域,电感器绕组的端部(尤其是用于外部电气连接的端部)即构成其端子。因此,对比文件直接公开了第一电感器绕组(インダクタ2)包括两个端子(外周端和内周端)。然而,由于未公开第二电感器绕组,故“第二电感器绕组包括第三端子和第四端子”未被公开。
**J: 其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。** <br>**《直接公开》(针对第一绕组端子的耦合)** <br>**《未公开》(针对第二绕组端子的耦合)**(同特征I引用)如特征I所述,对比文件公开了电感器2的外周端和内周端分别连接到配线路径4。这等同于公开了“第一端子(如外周端)耦合至绕组的第一端(螺旋起点),第二端子(如内周端)耦合至绕组的第二端(螺旋终点)”。因此,针对第一电感器绕组的端子耦合关系被直接公开。针对第二绕组的该特征未被公开。
**K: 其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。** <br>**《隐含公开》**【0028】“銅メッキ皮膜21が例えば10μm〜50μm程度の膜厚で形成されており、…ニッケルメッキ皮膜22が例えば1μm〜10μm程度の膜厚で形成されており、…金メッキ皮膜23が例えば0.1μm〜3μm程度の膜厚で形成されて構成されている。”对比文件列出了构成电感器2的各导电层的厚度范围:铜层10-50μm,镍层1-10μm,金层0.1-3μm。即使取各层厚度的最大值(50+10+3=63μm),总和也远小于0.2毫米(200μm)。本领域技术人员根据这些公开的厚度数据,能够毫无困难地合理推断出该电感器绕组的整体厚度小于0.2毫米。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**L: 其特征在于,所述填充物为环氧树脂。** <br>**《隐含公开》**【0036】“基板1の材料としては、低誘電率で絶縁性を確保できる材料であれば特に制限はなく、他にも例えば、エポキシ樹脂やBTレジン等の有機樹脂組成物を用いることができる。”对比文件在描述形成基板1(其覆盖并固定电感器)的材料时,明确将“环氧树脂(エポキシ樹脂)”列为可用的有机树脂组合物示例之一。虽然其实施例中使用的是聚酰亚胺,但明确教导了环氧树脂作为一种替代选择。在隐含公开的宽松标准下,可以认为对比文件隐含公开了使用环氧树脂作为填充/固定材料(即对应于目标专利中的“填充物”,尽管作用与位置不同,但材料相同)。
**M: 其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。** <br>**《未公开》**对比文件全文未提及任何铁磁材料或铁磁层。目标专利说明书【0063】-【0065】段描述了可设置铁磁层以提供屏蔽、增加有效电感和Q值。对比文件JP2003059744A中完全没有涉及铁磁层的内容。因此,该附加技术特征既未被直接公开也未被隐含公开。
**N: 其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。** <br>**《未公开》**对比文件全文未提及层叠封装(PoP)结构。目标专利说明书【0078】-【0082】段及图7-8描述了电感器结构在PoP结构上的具体集成方式。对比文件仅涉及单个电感器在基板上的制造,未提及任何封装堆叠(PoP)的概念或结构。因此,该特征未被公开。
**O: 其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。** <br>**《隐含公开》**【0030】“上記のインダクタ2が形成された基板1は、プリント配線板等に貼付して…使用することもできるし…” <br>【0027】“基板1上に、突起した状態でらせん状のインダクタ2が形成されている。”对比文件【0030】段指出,形成有电感器2的基板1可以贴附到“印刷布线板(プリント配線板)”等上使用。印刷布线板是封装中常见的基板类型。同时,【0027】段说明电感器2以突出的状态形成在基板1的“表面上”。结合两者,本领域技术人员可以合理推断,该电感器结构能够被集成在类似于封装基板(如印刷布线板)的表面上。因此,该特征被隐含公开。
**P: 其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。** <br>**《未公开》**(参见特征E论述及【0028】)目标专利说明书【0090】-【0095】段及图10-11描述了电感器结构“集成在封装基板内部”,即被包埋在基板材料之中。对比文件中的电感器2虽然被基板1材料覆盖,但其主要结构是“突出”于基板1表面(【0027】),或仅底面被嵌入(【0042】,图4),并非完全封装在基板内部。其结构与目标专利图10-11所示的嵌入式结构不同。因此,该特征未被公开。
**Q: 其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。** <br>**《隐含公开》**【0030】“上記のインダクタ2が形成された基板1は、プリント配線板等に貼付して…使用することもできるし…”对比文件指出形成有电感器的基板可以贴附到印刷布线板上使用。印刷布线板是电子设备的基本组成部分。因此,本领域技术人员能够合理推断,该电感器结构最终会被纳入到某种电子设备(例如包含印刷布线板的设备)中使用。该特征被隐含公开。

<<<A>>><<<G>>><<<I>>><<<J>>>

<<<h>>><<<k>>><<<l>>><<<o>>><<<q>>>

权利要求与技术特征
Powered by Django

网站备案号:渝ICP备2023012882号


重庆市非显而易见网络科技有限责任公司 A Anti NPE NPE