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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2005-09-02_JP2005230076A_发明专利_JP2005230076A Hair dryer_+++g_i_q+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
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2009-07-01_TW200929491A_发明专利_TW200929491A 具有整合式被動元件的系統級封裝及其方法 SYSTEM-IN-PACKAGE HAVING INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND METHOD THEREFOR_+++A_e_f_g_i_q+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-07_US7956603B_发明授权_US07956603B2 Sensor inductors, sensors for monitoring movements and positioning, apparatus, systems and methods therefore_+++A_B_G_I_c_m_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-05-10_JP2012089700A_发明专利_JP2012089700A Planar coil, method of manufacturing the same, and composite planar coil for actuator_+++A_B_C_E_G_Q_d_i+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
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对比文件的名称:2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION

目标专利的名称:无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用的模型名称:DeepSeek

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料<br>**《直接公开》**图3、4、5、6及对应描述,例如第[0018]段:“A galvanic isolation structure, for example a transformer (Isolation Transformer) 318, is formed on the layer of thermally conductive material 308...”(一种电隔离结构,例如变压器(隔离变压器)318,形成在热传导材料层308上...)对比文件公开了一种电隔离系统,其中包含变压器(例如318、418、518、614)。变压器必然包含绕组(线圈),而绕组通常由导电材料(如金属)构成。对比文件虽然没有明确列出“导电材料”字样,但变压器绕组是本领域的公知导电结构,本领域技术人员能够毫无疑义地确定该变压器绕组由导电材料制成。因此,该特征被对比文件直接公开。
**技术特征B**:第二电感器绕组,其包括导电材料<br>**《直接公开》**图3、4、5、6及对应描述,例如第[0018]段:“...a galvanic isolation structure, for example a transformer...”(...一种电隔离结构,例如变压器...)变压器作为电感元件,为实现电磁感应和信号/功率传递,必须至少包括两个绕组(例如初级绕组和次级绕组)。因此,对比文件公开的变压器必然包含第二电感器绕组。同理,该绕组也必然由导电材料构成。本领域技术人员能够毫无疑义地确定这一点。因此,该特征被对比文件直接公开。
**技术特征C**:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,<br>**《直接公开》**第[0018]段:“Epoxy 332 is formed in the gaps between components formed on the upper surface 314 of the layer of thermally conductive material 308.”(环氧树脂332形成在热传导材料层308的上表面314上形成的组件之间的间隙中。)图3显示了环氧树脂332填充在变压器318、集成电路结构312、316之间的区域。对比文件明确公开了环氧树脂(332、420、520、628)作为填充物形成在组件(包括变压器)之间的间隙中。从图3、4、5、6的图示可以看出,变压器绕组(即第一和第二电感器绕组)作为独立的组件,其周围及之间的间隙被环氧树脂填充。虽然图示未精确展示填充物完全“横向位于”两个绕组“之间”的细节,但根据组件布局和填充物覆盖间隙的描述,本领域技术人员可以毫无疑义地理解,填充物必然也位于两个绕组之间的横向空间,以实现组件间的固定和绝缘。因此,该特征被直接公开。
**技术特征D**:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,<br>**《未公开》**第[0018]段:“Epoxy 332 is formed in the gaps between components formed on the upper surface 314 of the layer of thermally conductive material 308.”(环氧树脂332形成在热传导材料层308的上表面314上形成的组件之间的间隙中。)目标专利中,填充物的核心作用是“提供结构耦合”,即作为主要的结构支撑件,使两个绕组在没有基底基板的情况下能够结合成一个稳固的整体结构(见说明书[0051]、[0073]段)。对比文件中,环氧树脂作为封装材料,其作用是填充组件间的“间隙(gaps)”,提供机械固定、密封和绝缘(见第[0018]段),其核心目的并非专门为了实现两个绕组之间的“结构耦合”以形成无基板的独立结构。因此,虽然对比文件公开了填充物位于组件之间,但其配置目的和作用与目标专利不同,不能认为公开了“配置成提供结构耦合”这一特定技术特征。
**技术特征E**:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。<br>**《未公开》**第[0018]段:“...formed on the layer of thermally conductive material 308.”(...形成在热传导材料层308上。)图3-6均显示所有组件(包括变压器)形成在半导体基板(302、402、502、602)和/或热传导材料层(308、408、508、604)之上。目标专利强调“无基板”,即移除或不存在作为结构基底支撑的基板(见说明书[0053]-[0054]段)。对比文件明确且反复记载了变压器等组件是“形成在(formed on)”一个“热传导材料层”(如金刚石薄膜)上,而该热传导材料层本身又形成在半导体基板(如硅)上(参见图3-6及对应描述)。因此,对比文件中的电感器结构具有明确的基底部分(热传导材料层和/或半导体基板)。这与目标专利“没有作为基底部分的基板”的技术特征正好相反。因此,该特征未被公开。
**技术特征F**:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。<br>**《直接公开》**图3、4、5、6的图示。例如,图3显示变压器318的所有绕组均位于热传导材料层308的同一上表面314上。从对比文件各附图中可以看出,变压器(318等)的绕组(包括初级和次级)均被描绘为在同一平面层上形成或布置。虽然对比文件文字描述未明确使用“横向共面”一词,但附图清晰展示了绕组处于同一平面。本领域技术人员观察附图3-6,能够毫无疑义地确定其变压器绕组是横向共面布置的。因此,该特征被直接公开。
**技术特征G**:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。<br>**《隐含公开》**对比文件未明确描述绕组的具体形状。对比文件公开了变压器(例如318),而变压器为了实现电磁耦合,其绕组通常需要采用螺旋形、螺线管形等形状以集中磁通。虽然对比文件未明确记载绕组形状,但本领域技术人员在制造或构思平面变压器时,基于常识和常规设计,有很大可能(甚至通常)会采用螺旋形状的平面绕组。因此,可以合理推断对比文件中的变压器绕组具有螺旋形状。该特征被对比文件隐含公开。
**技术特征H**:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。<br>**《未公开》**对比文件未描述或暗示绕组的具体几何形状为“拉长的圆形形状”。“拉长的圆形形状”(如赛马场形)是目标专利说明书[0059]段提及的一种特定绕组形状示例。对比文件仅公开了存在变压器绕组,但对其具体形状(无论是螺旋形、方形还是其他形状)未作任何文字或图示的限定或暗示。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出,也无法必然推断出其绕组具有“拉长的圆形”这一特定形状。因此,该特征未被公开。
**技术特征I**:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。<br>**《直接公开》**第[0018]段:“FIG. 3 shows a wire bond 320 connecting a first winding of the transformer 318 to the first integrated circuit structure 312 and a wire bond 322 connecting a second winding of the transformer 318 to the second integrated circuit structure 316.”(图3显示了将变压器318的第一绕组连接到第一集成电路结构312的键合线320,以及将变压器318的第二绕组连接到第二集成电路结构316的键合线322。)对比文件明确记载了变压器具有第一绕组和第二绕组,并且每个绕组都通过键合线(wire bond)连接到外部电路(集成电路结构)。为了进行这样的电连接,每个绕组必然具有用于连接的端子(尽管图中可能未明确标出“端子”字样)。键合线所连接的点即为绕组的电极端子。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地确定第一绕组具有两个端子(连接点),第二绕组也具有两个端子(连接点)。该特征被直接公开。
**技术特征J**:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。<br>**《隐含公开》**第[0018]段:“FIG. 3 shows a wire bond 320 connecting a first winding of the transformer 318 to the first integrated circuit structure 312...”(图3显示了将变压器318的第一绕组连接到第一集成电路结构312的键合线320...)对比文件公开了绕组通过键合线连接到外部电路。对于一个电感器绕组,要实现其功能(如构成变压器的一部分),其电流必须从一个端部流入,从另一个端部流出。因此,连接外部电路的键合线必然需要耦合到绕组的两个端部(即第一端和第二端)。这是电感器绕组电气连接的必然要求和技术常识。虽然对比文件没有明确文字描述“端子耦合至绕组的端部”,但本领域技术人员根据公开的连接关系可以合理推断出这一技术特征。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征K**:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。<br>**《未公开》**对比文件未提及变压器绕组的任何厚度尺寸。目标专利中“厚度小于0.2毫米”是其实现超薄、无基板分立结构的关键尺寸特征之一(见说明书[0054]段)。对比文件完全没有涉及绕组或整个变压器结构的厚度尺寸。本领域技术人员无法从对比文件中得出或推断出绕组的厚度小于0.2毫米。因此,该特征未被公开。
**技术特征L**:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。<br>**《直接公开》**第[0018]段:“Epoxy 332 is formed in the gaps...”(环氧树脂332形成在间隙中...)第[0021]段:“Epoxy 520 is formed in the gaps...”(环氧树脂520形成在间隙中...)第[0022]段:“Epoxy 628 is formed in the gaps...”(环氧树脂628形成在间隙中...)对比文件在多处(第[0018], [0021], [0022]段)明确、具体地记载了填充物材料是“环氧树脂(Epoxy)”。因此,该特征被对比文件直接公开。
**技术特征M**:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。<br>**《未公开》**对比文件全文未提及任何铁磁层。目标专利说明书[0063]-[0065]段描述了可选地包括铁磁层以提高有效电感和Q因子,并提供磁屏蔽。对比文件所描述的变压器结构中,并未提及或暗示存在这样的铁磁层。因此,该特征未被对比文件公开。
**技术特征N**:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。<br>**《未公开》**对比文件描述的是将变压器与集成电路一起集成在“热传导基板”上以实现电隔离(见摘要和第[0007]段),并未提及“层叠封装(PoP)结构”。“集成在层叠封装(PoP)结构上”是目标专利中一种特定的封装集成方式(见说明书[0074]-[0080]段,图7-8)。对比文件中的集成环境是带有热传导层的半导体基板系统,与PoP这种特定的三维堆叠封装结构不同。因此,该特征未被公开。
**技术特征O**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。<br>**《未公开》**对比文件描述变压器形成在“热传导材料层”上(如第[0018]段),该层位于半导体基板之上。未提及“封装基板”或其表面。目标专利中“集成在封装基板的表面上”是另一种具体的应用场景(见说明书[0081]-[0087]段,图9)。对比文件中的基板是用于承载和散热的“热传导基板”/半导体基板,并非目标专利所指的“封装基板”。因此,该特征未被公开。
**技术特征P**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。<br>**《未公开》**同特征O,对比文件未提及“封装基板”,更未提及集成在其内部。目标专利中“集成在封装基板内部”是又一种具体应用(见说明书[0088]-[0107]段,图10-11)。对比文件的结构完全在基板表面,并未集成在任何“基板”的内部。因此,该特征未被公开。
**技术特征Q**:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。<br>**《隐含公开》**对比文件第[0003]段:“Galvanic isolation (GI) integrated circuit (IC) systems...”(电隔离集成电路系统...),以及全文描述的系统应用于集成电路中。对比文件公开的电隔离集成电路系统(包含变压器)本身即是一种电子部件或子系统。本领域技术人员公知,此类集成电路系统通常被纳入更广泛的电子设备(如电源、通信设备等)中使用。虽然对比文件未明确列举具体的终端电子设备(如手机、电脑),但根据其作为集成电路系统的属性,可以合理推断其最终会被纳入某种电子设备中。因此,该特征被隐含公开。

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