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对比文件列表
2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-01-04_US2007001794A_发明申请_US20070001794A1 Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_Q_h_i_j_p+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2008-10-07_US7432794B_发明授权_US07432794B2 Variable integrated inductor_+++A_B_G_I_J_Q_f_h+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2010-02-04_US2010026368A_发明申请_US20100026368A1 HIGH Q TRANSFORMER DISPOSED AT LEAST PARTLY IN A NON-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE_+++A_B_F_G_H_I_J_K_P_Q_n+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-03-22_US2012068301A_发明申请_US20120068301A1 MONOLITHIC MAGNETIC INDUCTION DEVICE_+++A_B_G_H_I_K_P_Q_f_j_m+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
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TW201222782A_Description_20260318_1905_+++A_B_I_K_f_g_j_q+++.docx
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US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
2026-03-24 23:32
WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx

对比文件名称:2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用的模型名称:专利创造性评估模型

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
A: 包括:第一电感器绕组,其包括导电材料 《直接公开》[0015] Inductive devices 104a and 104b are formed in metallization layers on substrate 102 using suitable metallization materials.对比文件明确公开了电感器件(inductive devices)104a和104b由金属化材料形成,这些材料是导电的,因此第一电感器绕组包括导电材料被直接公开。
B: 第二电感器绕组,其包括导电材料 《直接公开》[0015] Inductive devices 104a and 104b are formed in metallization layers on substrate 102 using suitable metallization materials.对比文件公开了多个电感器件,例如104a和104b,两者均由导电金属材料形成,因此第二电感器绕组包括导电材料被直接公开。
C: 填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间 《直接公开》[0015] Dielectric material 106 surrounds the metal material forming inductive devices 104a and 104b. 结合图1,介电材料106填充在电感器件104a和104b之间。对比文件公开了介电材料106围绕电感器件104a和104b,从图1可见介电材料106横向位于两个电感器件之间,因此填充物横向位于第一与第二电感器绕组之间被直接公开。
D: 所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合 《未公开》无对比文件中介电材料106主要起绝缘和支撑作用,但未明确配置成在无基板情况下专门提供结构耦合以维持绕组的结构完整性。目标专利的填充物用于在移除基板后提供结构耦合,而对比文件始终存在基板102,因此该特征未被直接或隐含公开。
E: 其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板 《未公开》[0015] Inductive devices 104a and 104b are formed in metallization layers on substrate 102. 以及[0015]提到基板102可被减薄,但未移除。对比文件中的电感器件形成在基板102上,基板102作为基底部分存在,即使减薄也未移除。目标专利明确要求没有作为基底部分的基板,因此该特征未被对比文件公开。
F: 其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面 《直接公开》图1显示电感器件104a和104b位于同一金属化层,即横向共面。从对比文件图1可以看出,两个电感器件104a和104b形成在同一层中,横向共面,因此该特征被直接公开。
G: 其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状 《直接公开》[0015] In one embodiment, inductive devices 104a and 104b are concentric coils providing inductors, transformers, or other suitable devices.对比文件公开了电感器件104a和104b可以是同心线圈(concentric coils),同心线圈是螺旋形状的一种,因此第一和第二电感器绕组具有螺旋形状被直接公开。
H: 其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状 《未公开》无对比文件未描述电感器绕组的形状为拉长的圆形形状(如赛马场形状),因此该特征未被对比文件公开。
I: 其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子 《直接公开》电感器件作为电感器或变压器,必然具有两个端子以连接电路,这是电感器的基本属性。本领域技术人员公知,电感器绕组必须包括两个端子用于电连接,因此该特征被直接公开。
J: 其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端 《直接公开》同上,电感器绕组的端子必然耦合至绕组的两端,这是电感器的基本连接方式。端子与绕组两端的连接是电感器的必然构造,因此该特征被直接公开。
K: 其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米 《未公开》无对比文件未提及电感器绕组的厚度,仅提到基板厚度可减薄至60-100微米,但这不是绕组厚度,因此该特征未被对比文件公开。
L: 其特征在于,所述填充物为环氧树脂 《未公开》无对比文件中的填充物是介电材料106,未明确具体材料为环氧树脂,因此该特征未被直接或隐含公开。
M: 其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻 《直接公开》[0013] First ferromagnetic material 108 and second ferromagnetic material 110 partially or fully encase or enclose inductive devices 104a and 104b. 以及图1。对比文件公开了铁磁材料108和110包围电感器件104a和104b,铁磁层与介电材料106(填充物)相邻设置,因此该特征被直接公开。
N: 其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上 《未公开》无对比文件未提及层叠封装(PoP)结构,因此该特征未被对比文件公开。
O: 其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上 《未公开》无对比文件中的电感器件形成在集成电路基板(芯片)上,而非封装基板表面,因此该特征未被对比文件公开。
P: 其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部 《未公开》无对比文件中的电感器件集成在芯片基板102上,而非封装基板内部,因此该特征未被对比文件公开。
Q: 其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中 《隐含公开》对比文件涉及集成电路,集成电路通常用于电子设备中,这属于本领域公知常识。本领域技术人员能够理解,对比文件的集成电路可以纳入电子设备(如通信设备、计算设备等)中使用,因此该特征被隐含公开。

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