好的，作为一名资深专利代理师，我将根据您提供的目标专利和对比文件，进行深度思考和严谨的创造性评估。
**对比文件名称**：2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process
**目标专利名称**：无基板分立耦合电感器结构CN104969312B
**模型名称**：专利创造性评估模型
以下是我创建的特征比对表格及分析：
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 (翻译为中文) | 公开性论述 |
| **A. 第一电感器绕组，其包括导电材料** <br>《直接公开》 | [2] “...一次线圈由第一线圈导体4构成...第一线圈导体4、第二线圈导体5由例如铜形成...” <br> 图1(b)示出了形成在沟3侧壁上的第一线圈导体4。 | 对比文件明确公开了构成一次线圈的“第一线圈导体4”，并且其材料为导电材料“铜”。该第一线圈导体在对比文件中起到构成变压器一次侧绕组以产生磁场的作用，与目标专利中第一电感器绕组作为电感元件的作用相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **B. 第二电感器绕组，其包括导电材料** <br>《直接公开》 | [2] “...二次线圈由第二线圈导体5构成...第一线圈导体4、第二线圈导体5由例如铜形成...” <br> 图1(b)示出了形成在沟3另一侧壁上的第二线圈导体5。 | 对比文件明确公开了构成二次线圈的“第二线圈导体5”，材料同样为导电材料“铜”。该第二线圈导体在对比文件中起到构成变压器二次侧绕组以感应磁场变化产生电压的作用，与目标专利中第二电感器绕组作为耦合电感元件的作用相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **C. 填充物，其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间** <br>《直接公开》 | [2] “...绝缘膜2中形成的涡旋状的一条沟3...在该沟3内，第一线圈导体4与第二线圈导体5之间以及表面形成有作为保护膜的硅氧化膜6...” <br> 图1(b)清楚示出，硅氧化膜6填充在第一线圈导体4与第二线圈导体5之间的空间。 | 对比文件明确公开了“硅氧化膜6”位于第一线圈导体4与第二线圈导体5之间，并且从图1(b)可见，两个线圈导体是横向（沿水平方向）对置的，填充物（硅氧化膜6）横向位于二者之间。该填充物在对比文件中起到绝缘和机械支撑的作用。虽然目标专利说明书强调填充物提供“结构耦合”，但其本质也是一种将两个独立绕组固定在一起的机械支撑和绝缘作用，与对比文件中的作用实质相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **D. 所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合** <br>《直接公开》 | [2] “...绝缘膜2中形成的涡旋状的一条沟3...在该沟3内，第一线圈导体4与第二线圈导体5之间以及表面形成有作为保护膜的硅氧化膜6...” <br> [2] “...由硅氧化膜6覆盖表面...” | 对比文件公开了绝缘膜（硅氧化膜6）填充在两个线圈导体之间并覆盖其表面。该绝缘膜将两个线圈导体固定在预先形成的沟槽结构中，为整个薄膜变压器提供了结构完整性和机械支撑，即实现了两个绕组之间的“结构耦合”。这与目标专利中填充物的作用（提供结构耦合、稳定性和/或刚性，参见说明书[0051]段）是相同的。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **E. 其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板** <br>《未公开》 | [2] “半导体基板即硅基板1上形成的硅氧化膜...”、“绝缘性磁性基板1a...” | 对比文件的各个实施例均明确包括作为基底部分的“硅基板1”或“绝缘性磁性基板1a”。其制造方法也是在基板上形成绝缘膜和沟槽，最后并未移除基板。这与目标专利的核心发明点“无基板”（参见说明书[0051]段及图4C阶段7移除基板）完全相反。因此，对比文件既未直接公开也未隐含公开“没有作为基底部分的基板”这一技术特征。 |
| **F. 其特征在于，所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面** <br>《隐含公开》 | [2] “...第一线圈导体4、第二线圈导体5在沟3内以相互横向对置的方式形成...” <br> 图1(b)显示第一线圈导体4和第二线圈导体5形成在同一沟槽3的两个相对的侧壁上。 | 对比文件明确两个线圈导体“横向对置”地形成在“一条沟3”内。根据说明书附图1(b)以及本领域技术人员的常识，形成在同一沟槽两个相对侧壁上的导体，其主体部分必然位于大致相同的高度平面（即“共面”）。虽然对比文件未明确使用“共面”一词，但本领域技术人员根据“横向对置”和结构图示，能够合理推断出这两个线圈导体是横向共面设置的。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **G. 其特征在于，所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状，并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状** <br>《直接公开》 | [2] “...涡旋状（平面螺旋状）的一次线圈...二次线圈...”、“绝缘膜2中形成的涡旋状的一条沟3...” | 对比文件多次明确其线圈是“涡旋状”（即螺旋形状），并且第一和第二线圈导体均形成在此涡旋状的沟槽内或各自独立的涡旋状沟槽内（参见图5、7实施例）。因此，第一和第二线圈导体必然各自具有螺旋形状。这被直接公开。 |
| **H. 其特征在于，所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状** <br>《未公开》 | [2] 仅提及“涡旋状（平面螺旋状）”，未具体限定螺旋的形状是圆形、拉长的圆形、矩形或其他。 | 对比文件公开了“螺旋形状”，这是一个上位概念。而“拉长的圆形形状”是下位概念，是一种具体的螺旋形状（如跑道形）。本领域技术人员不能从对比文件公开的“螺旋形状”毫无疑义地或必然地推导出一定是“拉长的圆形形状”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **I. 其特征在于，所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子，并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子** <br>《直接公开》 | [2] “...第一线圈导体4的端部以及第二线圈导体5的端部...形成与接触孔连接的垫电极...” | 对比文件明确记载了第一线圈导体和第二线圈导体都有“端部”，并且这些端部连接有“垫电极”。垫电极即用于外部电连接的端子。因此，第一线圈导体具有两个端子（连接其两端），第二线圈导体也具有两个端子，该技术特征被直接公开。 |
| **J. 其特征在于，所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端，并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端** <br>《隐含公开》 | [2] “...第一线圈导体4的端部以及第二线圈导体5的端部...形成与接触孔连接的垫电极...” | 对比文件公开了线圈导体的“端部”连接有“垫电极”。对于一个螺旋状线圈导体，其必然有起点和终点两个端部。本领域技术人员可以毫无困难地理解，为了使用该线圈导体，需要在其起点和终点分别连接端子（垫电极）以接入电路。这是线圈结构的必然要求和常规设置。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **K. 其特征在于，所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米** <br>《直接公开》 | [2] “第一线圈导体4以及第二线圈导体5的宽度为2.5μm，厚度为1.0μm。” | 对比文件明确记载线圈导体的厚度为“1.0μm”，即0.001毫米，该数值远小于0.2毫米。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **L. 其特征在于，所述填充物为环氧树脂** <br>《未公开》 | [2] “...硅氧化膜6...”、“绝缘膜2是硅氧化膜，但也可以是聚酰亚胺膜或光刻胶膜等。” | 对比文件明确列举的填充绝缘膜材料是“硅氧化膜”、“聚酰亚胺膜”或“光刻胶膜”，并未提及“环氧树脂”。虽然环氧树脂是本领域常见的封装或填充材料，但对比文件具体公开了不同的材料，不能认为其公开或暗示了“环氧树脂”。因此，该技术特征未被公开。 |
| **M. 其特征在于，所述电感器结构还包括：至少一个铁磁层，其位于与所述填充物相邻** <br>《隐含公开》 | [2] “...使用绝缘性磁性基板1a...”、“若使用绝缘性磁性基板，则磁通密度增高，与硅基板等相比能够提高能量转换效率。” | 对比文件在第二、四实施例中公开了使用“绝缘性磁性基板1a”代替硅基板。该绝缘性磁性基板（如铁氧体基板）本身即具有铁磁性质，并且从其结构图（图3(b)，图7(b)）可知，该磁性基板与填充线圈导体的沟槽（即填充物区域）直接相邻。其作用也是“提高能量转换效率”（即增强磁耦合，类似目标专利中铁磁层增大有效电感和Q因子的作用）。虽然目标专利的铁磁层是附加的层，而对比文件是将基板本身替换为磁性材料，但就“位于与填充物相邻的铁磁材料”这一结构特征及其功能而言，本领域技术人员可以从对比文件的内容中合理推断出该技术方案。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **N. 其特征在于，所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上** <br>《未公开》 | 对比文件全文未提及“层叠封装(PoP)结构”。 | 对比文件仅描述了一种薄膜变压器的结构及其制造方法，未涉及将其集成到任何特定封装结构（如PoP）中。该技术特征未被公开。 |
| **O. 其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板的表面上** <br>《未公开》 | 对比文件全文未提及“封装基板”或其表面集成。 | 同特征N，对比文件未涉及任何封装基板或表面集成的应用场景。该技术特征未被公开。 |
| **P. 其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板内部** <br>《未公开》 | 对比文件全文未提及“封装基板”或其内部集成。 | 同特征N、O，对比文件未涉及任何封装基板内部集成的应用场景。该技术特征未被公开。 |
| **Q. 其特征在于，所述电感器结构被纳入在电子设备中** <br>《未公开》 | [2] “...作为构成半导体集成器件等的元件之一。” | 对比文件提到其薄膜变压器可作为“半导体集成器件等的元件之一”。这仅是一种非常宽泛和上位的应用领域描述，并未具体公开“纳入在电子设备中”这一下位应用特征，也未列举任何具体的电子设备类型（如目标专利说明书列举的音乐播放器、手机等）。因此，不能认为该具体技术特征被公开。 |
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