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对比文件列表
2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-04-14_US2011084386A_发明申请_US20110084386A1 Semiconductor Device and Method of Self-Confinement of Conductive Bump Material During Reflow Without Solder Mask_+++l_n_o_q+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
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WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx

**对比文件名称**:2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器

**目标专利名称**:无基板分立耦合电感器结构 CN104969312B

**模型名称**:GPT-4

作为资深专利代理师,我将严格依据目标专利的权利要求划分技术特征,并结合说明书解释技术特征在目标专利中的作用,与对比文件进行比对。以下为特征比对表格:

### **特征比对表格**

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料** <br>**《直接公开》**说明书第[0053]段:“变压器40包括两个螺旋电路:初级电路42和次级电路44...两个电路互相平行并且基本上在同一个平面内互相缠绕以形成阿基米得螺旋。每个电路都被蚀刻在分层电路板41上并且在电路板41之上包括有大约0.075mm宽、0.05mm厚的**铜迹线**45。”目标专利中,第一电感器绕组是形成耦合电感的基本部件,由导电材料构成,用于传导电流和产生磁场。对比文件公开了“初级电路42”,其由“铜迹线”(即导电材料)形成。该初级电路在对比文件中作为变压器的核心元件之一,起到接收和传递信号的作用,与目标专利中第一电感器绕组的作用(构成电感、参与能量耦合)相同。因此,本领域技术人员能毫无疑义地从对比文件得出该技术特征。
**技术特征B:第二电感器绕组,其包括导电材料** <br>**《直接公开》**同上,说明书第[0053]段:“变压器40包括两个螺旋电路:初级电路42和**次级电路44**...每个电路都被蚀刻在分层电路板41上并且在电路板41之上包括有大约0.075mm宽、0.05mm厚的**铜迹线**45。”目标专利中,第二电感器绕组与第一绕组共同构成耦合电感。对比文件明确公开了“次级电路44”,同样由导电材料(铜迹线)构成。该次级电路在对比文件中用于感应初级电路的信号并输出,其作用与目标专利中第二电感器绕组(作为被耦合或耦合对象)相同。因此被直接公开。
**技术特征C:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,** <br>**《隐含公开》**1. 说明书第[0053]段:“初级电路42和次级电路45的迹线之间的距离(在最近的边缘测量的)是0.075mm。” <br>2. 说明书第[0073]段:“使用**SELLOTAPE(大约0.05mm厚)** 来将变压器支持在一起。” <br>3. 说明书第[0064]段:“每个PCB层都保留有一个...变压器40;它尺寸为20mm乘20mm并且其厚度是0.2mm(在按压之前)...在制造过程中6个PCB层被堆叠、**加热并挤压**成模块77。”目标专利中,“填充物”横向位于两个绕组之间,其核心作用是提供物理支撑和结构耦合,使得无基板的绕组结构能保持整体性。对比文件虽未明确命名“填充物”,但公开了以下内容:(1)初级与次级电路(即两个绕组)之间存在横向间距(0.075mm);(2)在其实施例中,层间使用了粘合剂(SELLOTAPE)来支持结构;(3)PCB制造过程中涉及堆叠、加热并挤压多层,这必然需要介电材料(如半固化片)填充并固化于导电迹线之间以实现层压和绝缘。本领域技术人员基于这些描述,能够合理推断出:为实现所公开的紧密堆叠的平面/准平面螺旋结构,在并排的初级和次级螺旋导线(绕组)之间必然存在某种绝缘/支撑材料,该材料横向位于两个绕组之间。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征D:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,** <br>**《隐含公开》**1. 说明书第[0073]段:“使用**SELLOTAPE(大约0.05mm厚)来将变压器支持在一起**。” <br>2. 说明书第[0064]段:“在制造过程中6个PCB层被堆叠、加热并挤压成模块77。”目标专利中,填充物的关键作用之一是“提供结构耦合”,即物理上将两个独立的绕组结合成一个稳固的整体结构。对比文件没有直接描述“结构耦合”这一功能。然而,对比文件公开了使用粘合剂(SELLOTAPE)来“将变压器支持在一起”,以及在PCB制造中通过加热挤压使多层结合成模块。这些过程和作用必然使得绕组之间的材料(无论是粘合剂还是层压介电材料)起到了固定绕组、维持结构完整性的作用,即提供了“结构耦合”。本领域技术人员可以合理地从对比文件公开的制造方法和结构支持手段中推断出该功能。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征E:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。** <br>**《未公开》**说明书第[0053]段:“每个电路都被**蚀刻在分层电路板41上**...” <br> 说明书第[0064]段:“每个PCB层都保留有一个...变压器40;它尺寸为20mm乘20mm并且其厚度是0.2mm(在按压之前)...”目标专利强调“无基板”,即整个电感器结构没有作为支撑基底的部分(如硅基板),这是其实现超薄厚度的关键。对比文件中的变压器(无论是单层还是多层)明确是制作在“分层电路板41”或“PCB层”上的。这些电路板(PCB)在对比文件的变压器中充当了制造载体和结构基底。尽管对比文件的变压器是“无芯”(无铁氧体磁芯)的,但它有明确的“PCB基板”作为其结构的基底部分。这与目标专利“没有作为基底部分的基板”的技术特征有本质区别。因此,对比文件既未直接公开也未隐含公开该特征。
**技术特征F:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。** <br>**《直接公开》**说明书第[0053]段:“变压器40包括两个螺旋电路:初级电路42和次级电路44。两个电路**互相平行并且基本上在同一个平面内**互相缠绕以形成阿基米得螺旋。”目标专利中,“横向共面”是指两个绕组在同一平面上并排布置,这是实现横向能量耦合的几何基础。对比文件明确且清晰地指出初级电路42和次级电路44“基本上在同一个平面内”。这与目标专利的“横向共面”特征完全相同。因此被直接公开。
**技术特征G:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。** <br>**《直接公开》**说明书第[0053]段:“...互相缠绕以形成**阿基米得螺旋**。” <br> 说明书第[0023]段:“所述螺旋可以是**圆形的、椭圆形的、正方形的、矩形的、卵形的或不规则的**。”目标专利中,绕组为螺旋形状,是电感器的常见形式。对比文件不仅明确其电路是“螺旋”形状(阿基米德螺旋),还列举了包括圆形在内的多种螺旋形状。因此,对比文件直接公开了两个绕组均为螺旋形状的技术特征。
**技术特征H:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。** <br>**《隐含公开》**说明书第[0023]段:“所述螺旋可以是圆形的、**椭圆形的**、正方形的、矩形的、卵形的或不规则的。”目标专利中,“拉长的圆形形状”可理解为如椭圆形或赛马场形等非正圆的长圆形。对比文件在列举螺旋形状时明确包含了“椭圆形的”。椭圆形是“拉长的圆形形状”的一种典型且常见的实施方式。本领域技术人员阅读对比文件后,完全能够选择椭圆形作为其螺旋的具体形状,从而得到具有拉长圆形形状的绕组。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征I:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。** <br>**《隐含公开》**说明书第[0064]段及图6a:“...连接到相应的下层的电路以便在它们各个**端子75、76**之间...” (注:图6a显示了初级和次级电路各自的引出端)目标专利中,电感器绕组具有输入端子和输出端子,用于电连接。任何实用的电感器或变压器绕组都必须有端子以实现电气连接。对比文件的附图6a和文字描述(端子75、76)清楚地显示了其初级和次级电路均具有用于连接的端子。尽管未用“第一、第二、第三、第四”来计数,但本领域技术人员能够毫无困难地理解每个绕组必然至少有两个端子。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征J:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。** <br>**《隐含公开》**说明书第[0064]段及图6a、10:“每个层的每个电路都连接到相应的下层的电路以便在它们各个端子75、76之间...”、“...在中心位置和边缘位置之间交替。” (揭示了端子位于绕组螺旋的起始端和结束端)目标专利中,该特征限定了端子与绕组两端的连接关系,这是一种最常规、最自然的连接方式。对比文件虽然没有用文字明确描述“端子耦合至绕组的第一端和第二端”,但其附图6a和10所示的电路结构以及层间连接方式(在螺旋中心和外缘交替连接)清楚地表明,端子是连接在螺旋绕组的起始端和结束端的。这是实现螺旋绕组电气功能的必然且唯一的合理方式。因此,本领域技术人员能够毫无疑义地推断出该连接关系,该特征被隐含公开。
**技术特征K:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。** <br>**《直接公开》**说明书第[0053]段:“...包括有大约0.075mm宽、**0.05mm厚**的铜迹线45。”目标专利中,绕组厚度小于0.2mm是实现器件薄型化的一个具体尺寸限定。对比文件公开了构成绕组(电路)的铜迹线厚度为“0.05mm”,该数值明确小于0.2mm。因此,该技术特征被直接公开。
**技术特征L:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。** <br>**《隐含公开》**说明书第[0064]段:“在制造过程中6个PCB层被堆叠、加热并挤压成模块77。” (标准PCB层压工艺通常使用环氧树脂基的预浸材料)目标专利中,填充物为环氧树脂,是一种具体的材料选择。对比文件未明确指明填充物的材料。然而,对比文件描述了其变压器采用PCB(印刷电路板)制造工艺,具体为多层PCB的堆叠和热压。在本领域,制造标准多层PCB最常用、最公知的层压介电材料就是环氧树脂(如FR-4)。本领域技术人员基于对比文件公开的“PCB层”和“加热并挤压”的制造方法,能够合理且直接地推断出层间填充/绝缘材料是环氧树脂或类似的树脂材料。因此,该技术特征被隐含公开。
**技术特征M:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。** <br>**《未公开》**说明书第[0004]段:“本发明的优选实施例基于这样一种理解,即可以用基本上没有性能劣化的几何线圈结构来替换设计成在DSL频率上操作的线路接口变压器中的**铁氧体磁芯**。” <br> 说明书第[0024]段:“本发明还提供一种包括多个层的**准平面变压器,每个层都包括上述的变压器,并且其中每层的初级电路连接在一起**...” (强调无铁磁芯结构)目标专利中,设置铁磁层用于提高电感、Q值或提供磁屏蔽,是一个附加的优选特征。对比文件的核心发明点恰恰在于**去除**传统的铁磁体(铁氧体)磁芯,完全依靠几何结构实现变压器功能。全文多处强调“无芯”、“没有铁磁体元件”。因此,对比文件教导的方向与添加铁磁层相反,既未直接公开也未隐含公开该技术特征。
**技术特征N:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。** <br>**《未公开》**无相关内容。目标专利中,该特征涉及电感器结构的一种具体封装应用形式(PoP)。对比文件全文仅描述该变压器用于DSL调制解调器线路接口,未提及任何关于层叠封装(PoP)结构的内容。因此,该特征未被公开。
**技术特征O:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。** <br>**《隐含公开》**说明书第[0053]段:“每个电路都被**蚀刻在分层电路板(PCB)41上**...”目标专利中,“集成在封装基板的表面上”是一种应用场景。对比文件中的变压器是制作在“分层电路板”(即PCB)上的。在电子器件领域,PCB常作为封装基板或封装基板的一部分。将无源器件(如变压器)制作在PCB表面是本领域的常规做法。因此,本领域技术人员可以从对比文件公开的“变压器制作在PCB上”推断出其可以被集成在一种封装基板(即PCB)的表面上。该特征被隐含公开。
**技术特征P:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。** <br>**《隐含公开》**说明书第[0064]段:“每个PCB层都保留有一个...变压器40...在制造过程中6个PCB层被堆叠、加热并挤压成模块77。”目标专利中,“集成在封装基板内部”是另一种应用场景,通常指嵌入式技术。对比文件公开了其变压器采用多层PCB堆叠压合而成,这意味着变压器(即螺旋导电图形)是位于PCB层压体的内部(层间),而不是仅仅在表面。这实质上是将变压器结构“集成在封装基板(PCB)内部”。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征Q:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。** <br>**《隐含公开》**说明书第[0002]段:“本发明涉及**数字用户线路(DSL)调制解调器**,在所述调制解调器中使用的变压器...” <br> 说明书第[0032]段:“根据本发明,提供一种包括线路接口变压器的**数据用户线路(DSL)调制解调器**...”目标专利中,电感器结构最终用于电子设备。对比文件明确其变压器用于“DSL调制解调器”,而DSL调制解调器本身就是一种典型的电子设备(如通信设备)。因此,本领域技术人员可以毫无疑义地推断出,包含该变压器的电感器结构最终会被纳入到电子设备(DSL调制解调器)中。该特征被隐含公开。

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