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对比文件列表
2002-09-27_JP2002280878A_发明专利_JP2002280878A Electronic circuit unit_+++A_B_F_G_I_Q_h_o+++.docx
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2003-02-28_JP2003059744A_发明专利_JP2003059744A Manufacturing method of inductor_+++A_G_I_J_h_k_l_o_q+++.docx
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2004-02-05_JP2004039867A_发明专利_JP2004039867A Multilayer wiring circuit module and its manufacturing method_+++A_Q_b_g_i_j_n_o_p+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2009-07-01_KR1020090071370A_发明公开_KR1020090071370A 집적 패시브 장치들을 갖는 시스템-인-패키지와 그 제조 방법_+++A_E_Q_b_g_i_l_o_p+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-04-14_US2011084386A_发明申请_US20110084386A1 Semiconductor Device and Method of Self-Confinement of Conductive Bump Material During Reflow Without Solder Mask_+++l_n_o_q+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
2026-03-24 23:32
US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
2026-03-24 23:32
WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
2026-03-24 23:32
2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_F_G_n_o_p_q+++.docx

对比文件的名称:2010-09-30_US2010244193A_发明申请_US20100244193A1 System-in-Package Having Integrated Integrated Passive Devices and Method Therefor

目标专利的名称:无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

本次调用的模型名称:DeepSeek最新版本模型

作为资深专利代理师,我将严格依据目标专利说明书对权利要求技术特征的解释,结合对比文件内容,进行逐一比对和公开性判断。

### 特征比对表格

技术特征描述及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
**技术特征A**:包括:第一电感器绕组,其包括导电材料<br>**《直接公开》**[0022] 第3段:A conductive layer 34a-34g is deposited and patterned over insulation layer 32. Conductive layer 34 forms terminals of various integrated passive devices including ... inductor (34g).<br>[0031] 第2段:The inductor can be formed on wafer as single-layer or stacked spiral inductor components. ... A spiral inductor can be formed in as few as two metal layers ... First, a spiral design is patterned in the first metal layer ...对比文件明确公开了在绝缘层上形成导电层(34a-34g),其中导电层34g用于形成电感器。并且详细描述了可以形成单层或堆叠的螺旋电感器组件,其由金属层(第一金属层、第二金属层)构成。这直接公开了由导电材料(金属层)构成的第一电感器绕组。
**技术特征B**:第二电感器绕组,其包括导电材料<br>**《直接公开》**[0031] 第2段:The inductor can be formed on wafer as single-layer or stacked spiral inductor components. ... A spiral inductor can be formed in as few as two metal layers ...对比文件公开了螺旋电感器的形成,其描述为“单层或堆叠螺旋电感器组件”。虽然图示可能只展示了一个螺旋电感器,但“堆叠(stacked)”一词隐含了可以存在多个电感器结构(例如,上下堆叠)。然而,更关键的是,根据目标专利说明书,权利要求中的第一和第二电感器绕组是横向共面、并列设置的两个独立绕组,共同构成一个耦合电感器结构。对比文件并未明确公开这种横向并列、通过填充物耦合的两个独立螺旋绕组。因此,从技术方案的整体性来看,对比文件没有公开一个由两个独立绕组构成的耦合电感器结构中的“第二电感器绕组”。**(注:此判断基于整体方案考量。若严格按特征比对,对比文件公开了构成电感器的导电层,但未明确公开构成耦合结构中‘第二绕组’的导电层。)** 但根据问题设定的宽松隐含公开标准,考虑到对比文件公开了形成电感器(包括螺旋形状)的通用能力,本领域技术人员有能力基于一个电感器推理出可以形成另一个相同的电感器,因此判断为隐含公开。
**技术特征C**:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,<br>**《未公开》**[0035] 第1段:Additional stability can be provided to components 48, 52, 58, and 64 by providing an optional underfill material 56 and 62. Underfill material 56 and 62 may include epoxy, polymeric material, film, or other non-conductive material.<br>[0037] 第1段:FIG. 2c shows the addition of a molding compound or encapsulant 68 to wafer 28 ... Encapsulant 68 may include a plastic material such as epoxy resin-based molding material...对比文件公开了底部填充材料(underfill 56,62)和模塑料/封装料(encapsulant 68)。然而,这些材料的作用是:1)为安装到晶圆上的外部组件(48,52,58,64)提供机械支撑和热桥;2)整体封装晶圆和器件。它们并非专门位于两个电感器绕组之间。目标专利的填充物(如环氧树脂)特定地位于两个横向共面的电感器绕组之间,其核心作用是在移除基板后,为这两个绕组提供结构耦合和支撑,使无基板结构得以成立。对比文件中的材料并未被描述或暗示用于实现这一特定目的和位置关系。
**技术特征D**:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,<br>**《未公开》**同上如特征C所述,对比文件中的填充/封装材料目的并非提供两个电感器绕组之间的结构耦合。其作用是支撑外部芯片、整体封装或匹配CTE。目标专利中填充物的核心“结构耦合”功能,是实现无基板分立器件结构完整性的关键,这在对比文件中没有公开。
**技术特征E**:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。<br>**《未公开》**[0022] 第1段:Substrate 30 generally includes a dummy wafer or substrate material such as a sacrificial silicon (Si) wafer or any other suitable glass wafer. Accordingly, substrate 30 uses cheaper materials than conventional substrates and can therefore be sacrificed during manufacture.<br>[0037] 第2段:Substrate 30 is removed using a suitable process. ... After removal of substrate 30, passivation layer 32 is exposed.对比文件确实公开了使用可牺牲的衬底(substrate 30)并在后续工艺中将其移除。然而,这不等同于公开了目标专利的“没有作为基底部分的基板”。目标专利强调,整个电感器结构(绕组+填充物)自身没有基板作为基底,是一个独立的分立器件(见说明书[0054])。对比文件移除衬底的目的,是为了暴露出背面的导电层34以便连接其他器件(如存储器IC 76,见图2d),其移除后留下的结构(包含绝缘层32、各种金属/介质/钝化层)仍然是多层薄膜结构的一部分,并非一个独立的、仅由绕组和填充物构成的无基板分立器件。两者的技术目的和最终结构形态不同。
**技术特征F**:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。<br>**《直接公开》**[0031] 第2段:The inductor can be formed on wafer as single-layer or stacked spiral inductor components. Generally, stacked spiral inductors provide a higher inductance/unit area, however a single-layer spiral inductor provides a better Q value.对比文件明确区分了“单层(single-layer)”螺旋电感器和“堆叠(stacked)”螺旋电感器。其中,“单层螺旋电感器”必然是在同一平面(同一金属层)上形成的螺旋图案,这直接公开了电感器绕组是横向共面的。虽然对比文件描述的是一个电感器,但其公开的“单层螺旋”技术特征,与目标专利中“两个绕组横向共面”的特征,在“共面性”这一子特征上是相同的。因此,该特征被直接公开。
**技术特征G**:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。<br>**《直接公开》**[0031] 第2段:A spiral inductor can be formed ... First, a spiral design is patterned in the first metal layer ...<br>[0022] 第3段:Conductive layer 34 forms terminals of various integrated passive devices including ... inductor (34g).对比文件多次明确公开了螺旋(spiral)电感器的设计。导电层34g用于形成电感器,并且描述了通过在第一金属层中图案化螺旋设计来形成螺旋电感器。这直接公开了电感器绕组具有螺旋形状。
**技术特征H**:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。<br>**《未公开》**无相关描述对比文件虽然公开了螺旋电感器,但没有具体描述其螺旋形状为“拉长的圆形形状”(如赛马场形)。本领域技术人员无法从对比文件中毫无疑义地得出或合理推断出这一具体形状特征。
**技术特征I**:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。<br>**《隐含公开》**[0022] 第3段:Conductive layer 34 forms terminals of various integrated passive devices...<br>[0039] 第3段:Bumps 72 are coupled to conductive layer 34 to facilitate connection... The passive devices electrically connect to contact pads 34a and 34h.<br>图2a显示导电层34a和34h作为接触焊盘。对比文件公开了无源器件(包括电感器)具有端子(terminals)和接触焊盘(contact pads 34a, 34h),并通过这些端子/焊盘与凸块(bumps)连接以实现电连接。对于一个电感器绕组,必然有两个端子用于电流的流入和流出。虽然对比文件没有明确画出或描述一个螺旋电感器的两个具体端子,但这是本领域技术人员公知的必然结构。基于此,可以合理推断第一电感器绕组具有第一端子和第二端子。同理,若存在第二电感器绕组,它也必然具有两个端子。因此,该技术特征被对比文件隐含公开。
**技术特征J**:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。<br>**《隐含公开》**同上基于特征I的论述,电感器绕组的端子必然耦合至绕组的端部以实现电连接。这是电感器基本工作原理和结构的必然要求。本领域技术人员可以从对比文件公开的“电感器具有端子”这一信息,毫无疑义地推导出“端子耦合至绕组端部”这一技术特征。因此,该特征被隐含公开。
**技术特征K**:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。<br>**《未公开》**无相关描述对比文件没有提及任何关于电感器绕组或导电层厚度的具体尺寸,更没有公开“厚度小于0.2毫米”这一具体数值特征。本领域技术人员无法从对比文件中得出该信息。
**技术特征L**:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。<br>**《未公开》**[0035] 第1段:Underfill material 56 and 62 may include epoxy...<br>[0037] 第1段:Encapsulant 68 may include a plastic material such as epoxy resin-based molding material...对比文件确实公开了底部填充材料或封装料可以是环氧树脂。但是,如特征C和D所述,这些材料并非目标专利中定义的、位于两个电感器绕组之间并提供结构耦合的“填充物”。由于承载该特征的上位技术方案(特定位置和功能的填充物)未被公开,因此该下位材料特征(环氧树脂)单独被公开没有意义。该特征未被公开。
**技术特征M**:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。<br>**《未公开》**无相关描述对比文件全文没有提及任何铁磁(ferromagnetic)层或类似磁屏蔽结构。该特征未被公开。
**技术特征N**:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。<br>**《隐含公开》**[0002] The present invention relates ... to an apparatus and method of fabricating a system in a package (SiP)...<br>全文多处描述在晶圆上集成IPD和多个IC芯片(如52,58,64,76),并用封装料68封装,形成一个系统级封装(SiP)器件。例如图2d、3展示了这种集成封装结构。对比文件的核心就是制造一种系统级封装(SiP)。虽然其具体术语是SiP,但SiP与PoP(层叠封装)都是先进的封装形式,且在三维集成多个芯片和器件方面有共通之处。本领域技术人员知晓,SiP可以包含PoP的形式或思想。对比文件明确公开了将电感器(作为IPD)与其它芯片一起集成在一个封装结构内。因此,可以合理推断,这种电感器结构能够被集成在类似于PoP的封装结构上。该特征被隐含公开。
**技术特征O**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。<br>**《隐含公开》**[0022] 第3段:Conductive layer 34a-34g is deposited and patterned over insulation layer 32. Conductive layer 34 forms ... inductor (34g).<br>[0032] 第1段:The etched portions of passivation layer 46 allow for additional system components to connect to wafer 28.对比文件中的电感器是作为集成无源器件(IPD)直接在晶圆(或后续形成的封装结构)的绝缘层32上通过沉积、图案化金属层形成的。这种形成于封装结构表面(或内部近表面)的方式,可以被认为是集成在封装基板(或等效的封装结构)的“表面上”。该特征被隐含公开。
**技术特征P**:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。<br>**《隐含公开》**图4:描绘了在钝化层32和82之间形成互连线83、地平面84和带状线85。<br>结合特征O的论述,IPD(包括电感器)形成于多层结构之中。虽然图示电感器可能位于靠近表面的位置,但整个器件是一个多层堆叠结构,电感器可以被视为集成在该封装结构的“内部”。本领域技术人员可以理解,IPD可以集成在封装基板内部的不同层间。对比文件展示的是一种多层薄膜集成结构,其中无源器件(包括电感器)形成于不同的介质层和金属层之间。虽然说明书没有明确使用“封装基板内部”的措辞,但根据其描述和附图,本领域技术人员能够合理推断,所制造的电感器是嵌入或集成在封装结构的内部层中的。该特征被隐含公开。
**技术特征Q**:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。<br>**《隐含公开》**[0003] 第1段:Chips are used not only in very sophisticated industrial and commercial electronic equipment, but also in many household and consumer items such as televisions, clothes washers and dryers, radios, and telephones.<br>[0004] 第1段:...portable wireless products...对比文件在背景技术中明确指出,其半导体器件(包含集成的无源器件如电感器)用于各种工业、商业和消费类电子设备中,例如电视、收音机、电话、便携式无线产品等。这直接公开了包含该电感器结构的器件将被纳入电子设备中使用的目的和应用场景。该特征被隐含公开。

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