对比文件名称：2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법
目标专利名称：329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B
本次调用模型名称：DeepSeek最新版本模型
作为资深专利代理师，我将根据目标专利说明书对权利要求的解释，对对比文件进行技术特征公开性评估。目标专利的核心在于提供一种“无基板”的分立耦合电感器结构，其通过位于两个横向电感器绕组之间的填充物实现结构耦合，从而在没有作为基底部分的基板（或基板被移除）的情况下仍能保持结构完整性。
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **A：包括第一电感器绕组，其包括导电材料** | [40] “회로 모듈(1)에는, 다층 배선 회로부(2) 내에, 박막 기술이나 후막 기술에 의해서 캐패시터 소자(14)나 레지스터 소자(15) **또는 스파이럴형의 인덕터 소자(16)가 성막 형성된다.**” <br>【电路模块(1)中，通过薄膜技术或厚膜技术在多层布线电路部(2)内形成电容器元件(14)或电阻器元件(15)或者**螺旋形的电感器元件(16)。**】 | **《直接公开》** 对比文件[40]段明确公开了在多层布线电路部内形成“螺旋形的电感器元件(16)”。电感器元件必然由导电材料（如铜，参见[55]段的铜镀层）构成。因此，对比文件直接公开了“包括导电材料的第一电感器绕组”这一技术特征。 |
| **B：第二电感器绕组，其包括导电材料** | [40] “회로 모듈(1)에는, 다층 배선 회로부(2) 내에, 박막 기술이나 후막 기술에 의해서 캐패시터 소자(14)나 레지스터 소자(15) 또는 **스파이럴형의 인덕터 소자(16)가 성막 형성된다.**” <br>【电路模块(1)中，通过薄膜技术或厚膜技术在多层布线电路部(2)内形成电容器元件(14)或电阻器元件(15)或者**螺旋形的电感器元件(16)。**】 | **《隐含公开》** 对比文件[40]段公开了在电路模块中形成螺旋形电感器元件。虽然该段文字在语法上使用了单数形式，但结合发明目的（高密度布线、多功能集成，参见[3]-[5]段）以及附图（可显示多个元件），本领域技术人员能够毫无疑义地理解，为了构建复杂电路，可以在多层布线电路部内形成多个电感器元件，包括两个独立的螺旋形电感器绕组。因此，对比文件隐含公开了“第二电感器绕组，其包括导电材料”的技术特征。 |
| **C：填充物，其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间** | [40] “회로 모듈(1)에는, 다층 배선 회로부(2) 내에, 박막 기술이나 후막 기술에 의해서 ... **스파이럴형의 인덕터 소자(16)가 성막 형성된다.**” <br>[49] “제1 절연층(22)은, 예를 들면 폴리이미드계 또는 **에폭시계의 네가티브형 감광성 절연 수지재**가 이용되어...” <br>【[40]：... **螺旋形的电感器元件(16)被形成。** [49]：第一绝缘层(22)使用例如聚酰亚胺系或**环氧系的负型感光性绝缘树脂材料**...】 | **《隐含公开》** 对比文件[40]段指出电感器元件是在“多层布线电路部(2)内”形成的。该多层布线电路部由交替叠层的绝缘层（例如感光性绝缘树脂，参见[49]）和导体层构成（参见[41], [49]-[58]）。当两个电感器元件形成于同一布线层或相邻区域时，它们必然被周围的绝缘材料（即填充物）所分隔和包围。这些绝缘材料（如环氧系感光树脂）横向位于各电感器元件之间，提供了物理分隔和支撑。因此，对比文件隐含公开了该特征。 |
| **D：所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合** | [41] “회로 모듈(1)의 제조 공정에서는, 상술한 공정을 거쳐 제1층의 단위 배선층(8) 내지 제5층의 단위 배선층(12) 내에 배선 패턴(26)과 비아홀(13)이 형성된다.” <br>【电路模块(1)的制造工序中，通过上述工序在第一层的单位布线层(8)至第五层的单位布线层(12)内形成布线图案(26)和通孔(13)。】 | **《隐含公开》** 在对比文件描述的多层布线结构中，包括电感器元件在内的所有导体图案都被嵌入并固定在绝缘层（填充物）中（参见[56]-[58]的CMP工艺后导体与绝缘层共面）。这些绝缘层为整个多层结构提供机械支撑和结构完整性，防止各层和元件（如电感器）移位或分离。这种将元件固定并集成到一个整体结构中的作用，即为提供“结构耦合”。因此，对比文件隐含公开了填充物用于提供电感器绕组之间结构耦合的特征。 |
| **E：其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。** | [38] “다층 배선 회로부(2)는, 소정의 공정을 거친 후에 박리층(21)을 개재하여 베이스 기판(20)으로부터 **박리된다.**” <br>【多层布线电路部(2)在经过预定工序后，经由剥离层(21)从基板(20)上被**剥离。**】 | **《直接公开》** 对比文件[38]段明确记载，制造完成后，多层布线电路部（其中包含电感器元件和绝缘填充物）会从基板(20)上剥离。剥离后，该电路部就不再具有作为其基底部分的原基板(20)。这完全对应于目标专利中“没有作为基底部分的基板”的核心构思。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **F：其特征在于，所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。** | [40] “회로 모듈(1)에는, 다층 배선 회로부(2) 내에, ... **스파이럴형의 인덕터 소자(16)가 성막 형성된다.**” <br>[58] “제1층의 단위 배선층(8)은, ... 배선 패턴(26)이 제2 절연층(23)의 두께와 동등한 두께를 갖기 때문에...” <br>【[40]：... **螺旋形的电感器元件(16)被形成。** [58]：第一层的单位布线层(8)...因为布线图案(26)具有与第二绝缘层(23)同等的厚度...】 | **《隐含公开》** 对比文件[40]段公开的电感器元件是形成在“多层布线电路部内”。该电路部由多个“单位布线层”叠层而成（参见[36]），每个单位布线层通过CMP工艺使得导体（布线图案、通孔）与绝缘层表面共面（参见[56]-[58]）。本领域技术人员可以理解，螺旋形电感器元件(16)可以作为“布线图案(26)”的一种具体形式，在同一个单位布线层内制作。当两个电感器制作在同一布线层时，它们自然是横向共面的。因此，对比文件隐含公开了该特征。 |
| **G：其特征在于，所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状，并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。** | [40] “회로 모듈(1)에는, 다층 배선 회로부(2) 내에, ... **스파이럴형의 인덕터 소자(16)가 성막 형성된다.**” <br>【电路模块(1)中，在多层布线电路部(2)内，...形成**螺旋形的电感器元件(16)。**】 | **《直接公开》** 对比文件[40]段明确公开了“螺旋形(스파이럴형)的电感器元件”。当本领域技术人员基于特征B的推理，在电路中设置两个电感器时，它们自然都可以是螺旋形状的。因此，对比文件直接公开了第一和第二电感器绕组均具有螺旋形状的技术特征。 |
| **H：其特征在于，所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。** | （未发现对应记载） | **《未公开》** 对比文件仅公开了电感器为“螺旋形”，但并未具体描述其平面形状是“拉长的圆形”（如椭圆形或跑道形）。螺旋形状可以是圆形、方形或其他多边形，拉长的圆形是其中一种特定形态。对比文件没有公开或暗示这一具体形状特征。 |
| **I：其特征在于，所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子，并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。** | [40] “회로 모듈(1)에는, 다층 배선 회로부(2) 내에, ... **스파이럴형의 인덕터 소자(16)가 성막 형성된다.**” <br>【电路模块(1)中，在多层布线电路部(2)内，...形成**螺旋形的电感器元件(16)。**】 | **《隐含公开》** 作为一个功能性的电感器元件，其必须具有至少两个电极端子以实现电路中的连接，这是本领域的公知常识。对比文件公开了“螺旋形电感器元件”，本领域技术人员能够毫无疑义地推导出，该元件必然包括用于电连接的两个端子。当存在两个这样的电感器时，自然就对应有四个端子。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **J：其特征在于，所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端，并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。** | （未发现对电感器端子连接关系的具体描述） | **《隐含公开》** 对于螺旋形电感器，其端子必然连接至线圈的起始端和结束端，这是电感器实现其电感功能的基本结构和电气连接方式，属于本领域的公知常识。对比文件公开了“螺旋形电感器元件”，本领域技术人员能够毫无疑义地确定其端子与线圈两端的连接关系。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **K：其特征在于，所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。** | [45] “본 발명에 따른 회로 모듈(1)은, 다층 배선 회로부(2)를 구성하는 제1층의 단위 배선층(8) 내지 제5층의 단위 배선층(12)이 예를 들면 5㎛ 정도의 두께를 갖고 형성되고, **다층 배선 회로부(2)의 전체의 두께도 수십㎛ 정도까지 억제된다.**” <br>【根据本发明的电路模块(1)，构成多层布线电路部(2)的第一层的单位布线层(8)至第五层的单位布线层(12)以例如5μm左右的厚度形成，**多层布线电路部(2)的整体厚度也被抑制在数十μm左右。**】 | **《隐含公开》** 对比文件[45]段指出，整个多层布线电路部（包含所有布线层和元件）的总厚度被抑制在“数十微米”（即小于100μm，远小于0.2mm）。构成该电路部一部分的电感器元件，其导体厚度（即绕组厚度）必然小于电路部的总厚度，因此也肯定小于0.2毫米。本领域技术人员能够合理推断出这一结论。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **L：其特征在于，所述填充物为环氧树脂。** | [49] “제1 절연층(22)은, 예를 들면 폴리이미드계 또는 **에폭시계의 네가티브형 감광성 절연 수지재**가 이용되어...” <br>【第一绝缘层(22)使用例如聚酰亚胺系或**环氧系的负型感光性绝缘树脂材料**...】 | **《直接公开》** 对比文件[49]段明确记载，用于形成多层布线结构（即作为导体间填充物）的绝缘材料之一是“环氧系的感光性绝缘树脂”。这与目标专利中“填充物为环氧树脂”的特征完全相同。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
| **M：其特征在于，所述电感器结构还包括：至少一个铁磁层，其位于与所述填充物相邻。** | （未发现对应记载） | **《未公开》** 对比文件全文均未提及在电感器元件附近设置铁磁层（如磁箔）以提供磁屏蔽或增大电感。该特征是目标专利的一个可选附加特征，旨在提高性能，但并未被对比文件公开或暗示。 |
| **N：其特征在于，所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。** | [35] “회로 모듈(1)은, 다층 배선 회로부(2)가, 반도체 칩(6A, 6B)을 탑재하는 **인터포저로서 기능한다.**” <br>【电路模块(1)中，多层布线电路部(2)起到搭载半导体芯片(6A, 6B)的**插接器的作用。**】 | **《隐含公开》** 对比文件[35]段描述其多层布线电路部作为搭载多个半导体芯片的“插接器(인터포저)”。在封装领域，这种作为中间层承载并互连多个芯片的结构，是构成层叠封装(PoP)的典型方式之一。本领域技术人员能够理解，包含电感器的该电路模块可以应用于PoP结构中。因此，该特征被对比文件隐含公开。 |
| **O：其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。** | [35] “본 발명에 따른 회로 모듈(1)은, 도 2에 도시한 바와 같이, 제1 주면(2a)을 탑재면으로 하여, **마더 기판(3) 상에 실장용 범프(4)를 개재하여 탑재되는** 다층 배선 회로부(2)...” <br>【根据本发明的电路模块(1)，如图2所示，以第一主面(2a)为搭载面，**经由搭载用凸块(4)搭载在母基板(3)上的**多层布线电路部(2)...】 | **《直接公开》** 对比文件[35]段明确指出，包含电感器元件的多层布线电路部(2)通过凸块(4)搭载在“母基板(3)”上。此处的“母基板”即对应目标专利中的“封装基板”。因此，“电感器结构被集成在封装基板的表面上”这一特征被对比文件直接公开。 |
| **P：其特征在于，所述电感器结构被集成在封装基板内部。** | [40] “회로 모듈(1)에는, **다층 배선 회로부(2) 내에**, ... 스파이럴형의 인덕터 소자(16)가 성막 형성된다.” <br>【电路模块(1)中，**在多层布线电路部(2)内**，...形成螺旋形的电感器元件(16)。】 | **《直接公开》** 对比文件[40]段清楚表明，电感器元件(16)是形成在“多层布线电路部(2)内”。该多层布线电路部本身就是一种高密度、薄膜化的封装互连结构，可以视作一种先进的“封装基板”。因此，“电感器结构被集成在封装基板内部”这一特征被对比文件直接公开。 |
| **Q：其特征在于，所述电感器结构被纳入在电子设备中。** | [34] “본 발명에 따른 회로 모듈은, 예를 들면 정보 통신 기능이나 스토리지 기능 등을 갖고, **퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화기 또는 오디오 기기 등의 각종 전자기기에 탑재되거나...**” <br>【根据本发明的电路模块，例如具有信息通信功能或存储功能等，**被搭载于个人电脑、移动电话或音频设备等各种电子设备中...**】 | **《直接公开》** 对比文件[34]段明确记载了该电路模块（必然包含其内部的电感器结构）被应用于个人电脑、移动电话等电子设备中。这与目标专利特征Q的表述完全一致。因此，该特征被对比文件直接公开。 |
### **结论代码**
根据上述分析，对比文件直接公开了技术特征A、E、G、L、O、P、Q；隐含公开了技术特征B、C、D、F、I、J、K、N；未公开技术特征H和M。
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