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对比文件列表
2001-09-07_JP2001244123A_发明专利_JP2001244123A Surface-mounted planar magnetic element and method of manufacturing_+++A_B_E_F_G_I_Q_c_d_k_m+++.docx
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2005-01-13_US2005006752A_发明申请_US20050006752A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_E_G_I_J_L_P_Q_c_f_k_o+++.docx
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2005-03-04_KR1020050020739A_发明公开_KR1020050020739A 다층 배선 회로 모듈 및 그 제조 방법_+++A_E_G_L_O_P_Q_b_c_d_f_i_j_k_n+++.docx
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2006-01-04_CN1716467A_发明公开_CN1716467A 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_J_c_h_q+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx
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2006-01-19_JP2006019506A_发明专利_JP2006019506A Thin film coil, its manufacturing method, coil structure, and its manufacturing method_+++A_B_F_G_J_M_c_i_q+++.docx
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2006-06-07_EP1665297A_发明公开_EP1665297A2 DSL MODEM AND TRANSFORMER_+++A_B_F_G_c_h_i_q+++.docx
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2006-06-15_US2006125083A_发明申请_US20060125083A1 Multi-layer interconnection circuit module and manufacturing method thereof_+++A_B_P_Q_c_d+++.docx
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2006-10-01_TW200635456A_发明专利_TW200635456A 內埋元件的基板之製造方法 METHOD OF FABRICATING A DEVICE-CONTAINING SUBSTRATE_+++I_J_P_a_b_c_d_f_q+++.docx
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2006-11-22_CN1868009A_发明公开_CN1868009A 数字用户线路调制解调器和变压器_+++A_B_F_G_K_c_d_h_i_j_l_o_p_q+++.docx
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2007-03-15_JP2007506263A_发明专利_JP2007506263A Dsl modem and transformer_+++A_B_F_G_I_Q_c_d_e_h_j_k_o+++.docx
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2007-11-21_JP4012526B_发明专利_JP4012526B2 Thin film coil and a method of manufacturing the same, as well as the coil structure and a method for manufacturing_+++A_B_C_D_F_G_I_M_j_q+++.docx
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2008-01-03_US2008001698A_发明申请_US20080001698A1 Integrated inductors_+++A_B_C_I_J_M_P_Q_d_n_o+++.docx
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2009-03-04_EP1519414A_发明公开_EP1519414A1 MULTILAYER WIRING CIRCUIT MODULE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME_+++A_B_F_G_Q_c_d_e_i_k_l_p+++.docx
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2009-03-26_US2009079529A_发明申请_US20090079529A1 INTEGRATED CIRCUIT INCLUDING INDUCTIVE DEVICE AND FERROMAGNETIC MATERIAL_+++A_B_C_F_G_I_J_M_q+++.docx
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2009-05-21_JP2009111036A_发明专利_JP2009111036A Thin film transformer and its production process_+++A_B_C_D_G_I_K_f_j_m+++.docx
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2009-07-02_US2009170242A_发明申请_US20090170242A1 System-in-Package Having Integrated Passive Devices and Method Therefor_+++A_B_C_D_E_G_I_J_L_N_O_Q_f+++.docx
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2009-09-09_CN100538927C_发明授权_CN100538927C 薄膜线圈及其制造方法、线圈构造体及其制造方法_+++A_B_F_G_I_c_j_q+++.docx
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2011-03-03_US2011049687A_发明申请_US20110049687A1 ENCAPSULANT INTERPOSER SYSTEM WITH INTEGRATED PASSIVE DEVICES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR_+++A_B_C_F_G_N_P_Q_d_i_j_o+++.docx
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2011-05-19_US2011115597A_发明申请_US20110115597A1 TRANSFORMER DEVICES_+++A_B_K_c_d_g_i_j_n_o_p_q+++.docx
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2011-06-07_US7956603B_发明授权_US07956603B2 Sensor inductors, sensors for monitoring movements and positioning, apparatus, systems and methods therefore_+++A_B_G_I_c_m_q+++.docx
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2011-06-29_CN102113116A_发明公开_CN102113116A 至少部分安置于非半导体衬底中的高品质因数变压器_+++A_B_G_I_J_L_P_Q_c_d_f_k_n+++.docx
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2011-10-26_JP4801046B_发明专利_JP4801046B2 Full deterrence type dual-chamber pacing mode_+++a_b_c_g_i_j_l_q+++.docx
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2011-12-15_JP2011530177A_发明专利_JP2011530177A High q transformer which is at least partially disposed within the non-semiconductor substrate_+++A_B_G_P_Q_c_h_i_j_k_l_n_o+++.docx
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2012-01-05_US2012002377A_发明申请_US20120002377A1 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_J_K_q+++.docx
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2012-01-26_WO2012012108A_发明申请_WO2012012108A2 GALVANIC ISOLATION TRANSFORMER_+++A_B_C_F_G_I_K_O_Q_d_j+++.docx
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2012-05-10_JP2012089700A_发明专利_JP2012089700A Planar coil, method of manufacturing the same, and composite planar coil for actuator_+++A_B_C_E_G_Q_d_i+++.docx
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2012-09-20_US2012235779A_发明申请_US20120235779A1 MICRO COIL APPARATUS AND MANUFACTURING METHODS THEREFOR_+++A_B_G_H_I_J_c_f_k_m_q+++.docx
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2013-01-03_US2013001735A_发明申请_US20130001735A1 THERMALLY CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR GALVANIC ISOLATION_+++A_B_C_F_I_L_g_j_q+++.docx
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2013-01-30_CN102906833A_发明公开_CN102906833A 电隔离变压器_+++A_B_C_F_G_K_d_i_j_q+++.docx
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JP2002110423A_Description_20260318_1906_+++A_B_C_F_K_M_d_g_h_i_j+++.docx
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US2001024739A1_Description_20260318_1906_+++A_B_E_F_G_I_K_M_Q_c_d_j+++.docx
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US2007145568A1_Description_20260318_1905_+++A_B_G_L_P_Q_c_f_i_j_n_o+++.docx
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WO2005027156A2_Description_20260318_1905_+++A_B_C_E_F_G_H_I_K_O_Q_d_j_l+++.docx
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2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of manufacturing the same_+++A_B_C_F_G_I_j+++.docx

对比文件名称:2006-01-05_US2006001520A_发明申请_US20060001520A1 Thin film coil, method of manufacturing the same, coil structure, and method of the same

目标专利名称:329无基板分立耦合电感器结构CN104969312B

模型名称:本次调用未提供模型名称,采用默认分析模型。

### 特征比对表格

技术特征描述以及公开性判断结果对比文件原文引用公开性论述
技术特征A:包括第一电感器绕组,其包括导电材料《直接公开》[0071]段: “The thin film coil 30 includes two coil patterns 31 and 32 (first and second coil patterns). Each of the coil patterns 31 and 32 is made of, for example, a high conductive material such as copper (Cu).”对比文件明确公开了构成薄膜线圈30的两个线圈图案31和32,它们由高导电材料(例如铜)制成。线圈图案31即相当于目标专利的第一电感器绕组。因此,技术特征A被对比文件直接公开。
技术特征B:第二电感器绕组,其包括导电材料《直接公开》[0071]段: “The thin film coil 30 includes two coil patterns 31 and 32 (first and second coil patterns). Each of the coil patterns 31 and 32 is made of, for example, a high conductive material such as copper (Cu).”对比文件明确公开了构成薄膜线圈30的两个线圈图案31和32,它们由高导电材料(例如铜)制成。线圈图案32即相当于目标专利的第二电感器绕组。因此,技术特征B被对比文件直接公开。
技术特征C:填充物,其横向位于所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组之间,《直接公开》[0072]段: “The insulating layer 40 is provided to electrically insulate the thin film coil 30 from the periphery and is disposed, for example, so as to cover the thin film coil 30 and its peripheral area in a ring shape on the bottom magnetic substrate 10.” <br> [0090]段(结合附图1,3): “the insulating layer 40 is formed so as to cover the thin film coil 30, concretely, to cover between the turns of the coil patterns 31 and 32 and the peripheral area.”对比文件公开了绝缘层40,其设置用于电绝缘薄膜线圈30,并具体覆盖线圈图案31和32之间的匝间区域(between the turns)。从附图1和3可以明确看出,绝缘层40位于两个线圈图案31和32的侧面(横向)之间并填充该空间。因此,对比文件公开了横向位于两个线圈图案(即电感器绕组)之间的填充物(绝缘层40)。技术特征C被直接公开。
技术特征D:所述填充物配置成提供所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组的结构耦合,《未公开》[0072]段: “The insulating layer 40 is provided to electrically insulate the thin film coil 30 from the periphery...”在对比文件中,绝缘层40的作用是“电绝缘”(electrically insulate)薄膜线圈与周围环境,其目的是电气隔离,防止短路。而在目标专利中,填充物(如环氧树脂)的核心作用是“提供结构耦合”,即在移除基底后,使第一和第二电感器绕组能够物理结合并保持结构完整性,从而实现机械支撑和能量耦合。两者作用完全不同。对比文件未公开填充物具有提供结构耦合这一配置目的。
技术特征E:其中所述第一电感器绕组、所述第二电感器绕组和所述填充物没有作为基底部分的基板。《未公开》[0069]段: “the thin film coil 30 is buried between two magnetic substrates... via an insulating layer 40, a magnetic layer 50, and a seed layer 60.” <br> [0070]段: “Each of the bottom and top magnetic substrates 10 and 20 is made of a magnetic material...” <br> [0105]段: “the thin film coil 30... is completed on the bottom magnetic substrate 10.”对比文件的整个制造过程和最终结构都基于底部磁性基板10(bottom magnetic substrate 10)。线圈图案(电感器绕组)形成在种子层60上,而种子层又位于底部磁性基板10上。最终,薄膜线圈30被埋入在两个磁性基板(10,20)之间。整个结构始终存在作为基底部分的基板(底部磁性基板10),并未被移除。这与目标专利明确要求“没有作为基底部分的基板”的技术特征E完全相反。因此,该特征未被公开。
技术特征F:其特征在于,所述第一电感器绕组与所述第二电感器绕组横向共面。《直接公开》[0076]段: “the coil patterns 31 and 32 are not disposed so as to be stacked in the height direction... but are disposed in parallel with each other (the in-plane direction...), that is, are disposed in the same level.”对比文件明确说明,两个线圈图案31和32不是沿高度方向堆叠的,而是相互平行地布置,即处于同一平面(same level)。这与目标专利中“横向共面”的特征完全一致。因此,技术特征F被对比文件直接公开。
技术特征G:其特征在于,所述第一电感器绕组具有第一螺旋形状,并且所述第二电感器绕组具有第二螺旋形状。《直接公开》[0076]段: “The coil patterns 31 and 32 constructing the thin film coil 30 are turned in a spiral shape in parallel with each other around a predetermined center position T as shown in FIG. 2.”对比文件说明书结合图2明确指出,线圈图案31和32围绕中心位置T呈螺旋形(spiral shape)缠绕。因此,第一和第二线圈图案均具有螺旋形状,技术特征G被直接公开。
技术特征H:其特征在于,所述第一电感器绕组和所述第二电感器绕组具有拉长的圆形形状。《未公开》附图2展示了线圈图案的平面形状,可视为螺旋圆形。但说明书未明确描述其形状为“拉长的圆形形状”(elongated circular shape or race-track shape)。目标专利的该特征限定了特定的非圆形螺旋形状(如赛马场形),以优化占用面积和耦合。对比文件未公开此具体形状限定。对比文件公开的线圈图案是螺旋形,但并未具体限定为“拉长的圆形形状”。本领域技术人员从对比文件公开的螺旋形中,无法毫无疑义地或通过合理推断得出其一定是目标专利所限定的“拉长的圆形形状”。该特征未被公开。
技术特征I:其特征在于,所述第一电感器绕组包括第一端子和第二端子,并且所述第二电感器绕组包括第三端子和第四端子。《直接公开》[0077]段: “Terminals 31A and 31B are provided for the outer and inner ends of the coil pattern 31, and terminals 32A and 32B are provided for the outer and inner ends of the coil pattern 32.”对比文件明确记载,线圈图案31具有端子31A和31B,线圈图案32具有端子32A和32B。这分别对应于目标专利中第一电感器绕组的第一、第二端子和第二电感器绕组的第三、第四端子。因此,技术特征I被直接公开。
技术特征J:其特征在于,所述第一端子耦合至所述第一电感器绕组的第一端,并且所述第二端子耦合至所述第一电感器绕组的第二端。《隐含公开》[0077]段: “Terminals 31A and 31B are provided for the outer and inner ends of the coil pattern 31...”对比文件说明了端子31A和31B分别设置在线圈图案31的外端和内端。对于一个功能完整的电感器绕组,其端子必然需要耦合(电连接)至绕组的相应端部以实现电流的输入和输出。这是本领域技术人员的公知常识和必然设置。因此,虽然对比文件未使用“耦合至”的措辞,但本领域技术人员能够从“为端部提供端子”这一描述中,合理推断出端子必然耦合至所述端部。技术特征J被隐含公开。
技术特征K:其特征在于,所述第一电感器绕组的厚度小于0.2毫米。《未公开》对比文件全文未提及线圈图案31或32的具体厚度数值,也未给出使其厚度小于0.2mm的技术启示或描述。目标专利该特征是实现超薄无基板结构的关键尺寸之一。对比文件没有公开任何关于线圈图案厚度的具体数值信息,特别是“小于0.2毫米”这一限定。本领域技术人员无法从对比文件的内容中推导出或必然得到该厚度特征。因此,技术特征K未被公开。
技术特征L:其特征在于,所述填充物为环氧树脂。《未公开》[0072]段: “The insulating layer 40 is made of, for example, an insulating material of a photoresist or the like.”对比文件公开的绝缘层(填充物)材料示例是光阻材料(photoresist),而非环氧树脂。两者是不同的材料。目标专利明确将填充物限定为环氧树脂。因此,技术特征L未被公开。
技术特征M:其特征在于,所述电感器结构还包括:至少一个铁磁层,其位于与所述填充物相邻。《未公开》[0069]段: “the thin film coil 30 is buried between two magnetic substrates... via an insulating layer 40, a magnetic layer 50, and a seed layer 60.”对比文件确实具有磁性基板(10,20)和磁性层(50),但它们与绝缘层(填充物40)的关系是:线圈和绝缘层被夹在底部磁性基板10和顶部磁性基板20之间,磁性层50覆盖在绝缘层40之上。这种“位于...之间”和“覆盖”的结构,与目标专利中“位于与填充物相邻”的表述(可能意指填充物侧面或紧贴填充物设置)并不相同。更重要的是,目标专利中铁磁层的作用是提供磁屏蔽和增大Q因子,而对比文件中磁性基板/层是构成共模扼流圈磁路的核心部分,作用本质不同。因此,该特征未被公开。
技术特征N:其特征在于,所述电感器结构被集成在层叠封装(PoP)结构上。《未公开》对比文件全文描述的是独立的“共模扼流圈”(common mode choke coil)器件及其制造方法,未提及将其集成在层叠封装(PoP)结构上或类似的三维封装结构中。对比文件未公开任何关于将所述线圈结构集成在PoP结构上的内容。本领域技术人员无法从对比文件的信息中推理出该集成应用。因此,技术特征N未被公开。
技术特征O:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板的表面上。《未公开》同技术特征N,对比文件未提及任何与封装基板表面集成相关的内容。对比文件未公开该特征。
技术特征P:其特征在于,所述电感器结构被集成在封装基板内部。《未公开》同技术特征N,对比文件未提及任何与封装基板内部集成相关的内容。对比文件未公开该特征。
技术特征Q:其特征在于,所述电感器结构被纳入在电子设备中。《未公开》[0004]段提到共模扼流圈用于减少高频噪声,例如防止广播噪声进入电话线。但这仅说明了器件的用途领域,并未具体公开将所述具体的电感器结构“纳入”某个如权利要求所述的实体电子设备(如音乐播放器、手机等)中。说明一种器件的应用领域,不等于公开了将该特定结构的产品纳入一个具体的电子设备终端中。目标专利的权利要求Q是产品权利要求的一个具体应用限定,对比文件未公开此特征。

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