对比文件名称：2009-01-08_JP2009004784A_发明专利_JP2009004784A Exchange-coupling film, magnetoresistance effect element using the same and method of manufacturing magnetoresistance effect element
目标专利名称：334包括位于钉扎层中的功能层的磁性存储元件及其制造方法CN102986047B
模型名称：DeepSeek
作为资深专利代理师，我将严格按照目标专利权利要求的划分进行技术特征比对，并结合目标专利说明书进行解释和公开性判断。
### **特征比对表格**
| 技术特征描述以及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **特征A：其包括：钉扎层堆叠，其集成在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM中，《未直接或隐含公开》** | 对比文件第[2]段：“更に、本発明の交換結合膜は、典型例として示されるＴＭＲ構造、またはＣＰＰ−ＧＭＲ構造のものに限定されず、ＭＲＡＭデバイスなどの他のデバイスに用いられるＭＴＪ素子に適用してもよい。”<br>**译文**：“此外，本发明的交换结合膜不限于作为典型示例示出的TMR结构或CPP-GMR结构，也可以适用于用于MRAM器件等其他器件的MTJ元件。” | **论述**：目标专利的特征A明确限定钉扎层堆叠集成于**STT-MRAM**中。STT-MRAM是一种利用自旋转移力矩效应进行写入的特定类型的MRAM。对比文件虽然提及交换结合膜可用于“MRAM器件”，但通篇描述的是用于硬盘驱动器读取头的TMR或CPP-GMR传感器，其工作原理（感应外部磁场）与STT-MRAM的电流诱导磁化翻转原理不同。本领域技术人员阅读对比文件后，不能毫无疑义地得出其公开的MTJ元件是专门为STT-MRAM设计或必然用于STT-MRAM的结论。提及“MRAM”仅为宽泛的可能性列举，未公开STT-MRAM这一具体且有限定的技术特征。因此，特征A未被对比文件直接公开，也未被隐含公开。 |
| **特征B：所述钉扎层堆叠由多个层形成，《直接公开》** | 对比文件第[2]段：“ピンド層は、ルテニウム（Ｒｕ）などからなる結合層により、外側ＡＰ２層が内側ＡＰ１層から分離されたシンセティック反平行（ＳｙＡＰ：Synthetic Anti-Parallel ）構造を有している。”<br>**译文**：“钉扎层具有合成反平行（SyAP）结构，其中通过由钌（Ru）等构成的结合层将外侧AP2层与内侧AP1层分离。” | **论述**：目标专利的特征B定义了钉扎层堆叠由多个层形成。对比文件明确公开了“钉扎层”（ピンド層）具有SyAP结构，该结构由**AP2层、结合层、AP1层**这三个明确的层构成（参见特征C的引用）。这清楚表明钉扎层由多个层形成。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出该技术特征。 |
| **特征C：所述多个层包括底部钉扎层、耦合层和顶部钉扎层，《直接公开》** | 对比文件第[2]段：“ピンド層は、ＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層の３層構造を有するＳｙＡＰピンド層であり”（第2实施形态描述）<br>**译文**：“钉扎层是具有AP2层/结合层/AP1层三层结构的SyAP钉扎层” | **论述**：目标专利的特征C定义了钉扎层堆叠的具体构成：底部钉扎层、耦合层和顶部钉扎层。对比文件公开的SyAP钉扎层由AP2层、结合层、AP1层构成。结合目标专利说明书[0025]段及图2，其“底部钉扎层”对应常规设计中的“底部钉扎层206”，“顶部钉扎层”对应“顶部钉扎层210”，“耦合层”对应“耦合层208”。对比文件中的“AP2层”和“AP1层”即分别对应磁性存储元件中钉扎层的两个磁性层（底部和顶部），而“结合层”即为“耦合层”。尽管命名不同，但结构、位置和作用（通过RKKY耦合使两个磁性层反平行排列）完全相同。因此，本领域技术人员能毫无疑义地得出对比文件公开了该技术特征。 |
| **特征D：第一功能层，其安置于所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层中，《直接公开》** | 对比文件第[2]段：“交換結合膜をＳｙＡＰピンド層におけるＡＰ２層の内部に形成する”（第3实施形态）<br>**译文**：“在SyAP钉扎层中的AP2层内部形成交换结合膜”。 | **论述**：目标专利的特征D定义了第一功能层安置于底部钉扎层或顶部钉扎层“中”。对比文件的第2、4实施形态明确公开了“交换结合膜”形成于“AP2层内部”，即将AP2层分割为两部分，交换结合膜插入其间（参见图2、4及对应描述）。如特征C论述，AP2层对应于目标专利的“底部钉扎层”。因此，“在AP2层内部形成”公开了“安置于底部钉扎层中”这一技术方案。本领域技术人员能毫无疑义地得出此结论。 |
| **特征E：其中所述第一功能层是形成自钽的结晶增强功能层。《隐含公开》** | 对比文件第[2]段：“交換結合膜１３は、例えば、ＣｏＦｅＢ，ＣｏＦｅＴａ，ＣｏＦｅＺｒ，またはＣｏＦｅＨｆなどの３元組成、あるいは…を有する。”<br>**译文**：“交换结合膜13具有例如CoFeB、CoFeTa、CoFeZr或CoFeHf等三元组成，或者...”。<br>同段：“この交換結合膜１３は、…アモルファス磁性層により構成されている。”<br>**译文**：“该交换结合膜13由...非晶磁性层构成。” | **论述**：目标专利的特征E限定第一功能层是“形成自钽的结晶增强功能层”。对比文件公开交换结合膜的材料可以是**CoFeTa**，其中含有元素**Ta（钽）**。该交换结合膜被描述为“非晶磁性层”，并且其作用在于改变AFM层与AP2层界面的自旋状态，以提高Hex/Hc比（[002]段）。目标专利说明书[0038]段指出，结晶增强功能层可由Ta形成，并用以“增强耦合层中的Ru原子的结晶化”和“增强隧穿势垒层中的MgO的结晶化”。虽然对比文件未明确使用“结晶增强”一词，但其插入非晶层（可含Ta）以优化界面、改善磁性能（包括可能通过退火影响结晶状态）的技术手段，与本领域技术人员理解的“结晶增强”功能在改善层结构和性能的目的上具有共通性。从对比文件公开的含Ta非晶层出发，本领域技术人员有可能合理推断其可用于增强相邻层的结晶质量。因此，该技术特征被对比文件隐含公开。 |
| **特征F：其中所述第一功能层保护所述钉扎层堆叠免于穿过所述多个层的高温材料扩散。《隐含公开》** | 对比文件第[2]段：“特許文献２には、ピンド層とＡＦＭ層との間に酸化層を設けることによりＡＦＭ層からトンネルバリア層へのＭｎの拡散を防ぐ技術が開示されている。”<br>**译文**：“专利文献2中公开了通过在钉扎层与AFM层之间设置氧化层来防止Mn从AFM层向隧道势垒层扩散的技术。”<br>同段：“本発明は、更に、ＡＦＭ層とＡＰ２ピンド層との界面特性を最適化することによりＨｅｘ／Ｈｃをより向上させるものである。”<br>**译文**：“本发明通过进一步优化AFM层与AP2钉扎层之间的界面特性，来提高Hex/Hc。” | **论述**：目标专利的特征F限定了功能层的作用是保护钉扎层堆叠免于高温材料扩散。对比文件在其背景技术部分引用了现有技术中设置层来防止Mn扩散的方案，表明防止扩散是该领域已知的技术问题。虽然对比文件的核心目的是提高Hex/Hc比、优化界面特性，但其所采用的“交换结合膜”（特别是当其为非晶层时）客观上可以起到改善界面、减少元素互扩散的作用。本领域技术人员知晓，优化界面与防止有害扩散密切相关，插入的薄层（如含Ta的非晶层）在高温工艺中能够作为扩散势垒或改善界面结构，从而间接实现“保护”效果。从对比文件公开的“优化界面特性以改善磁性能”这一教导出发，本领域技术人员有可能合理推断其插入的层具有防止或减少有害扩散的“保护”作用。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **特征G：其中所述结晶增强功能层促进晶体形成。《隐含公开》** | 对比文件第[2]段：“本発明では、超微細粒状構造または微晶質構造を有するアモルファス層を、交換結合膜として、…に設けるものであり、これにより（特に熱処理（アニール）後において）、ＡＦＭ層における界面ネットスピン散乱が変化する。”<br>**译文**：“本发明中，将具有超微细粒状结构或微晶结构的非晶层作为交换结合膜设置在...，由此（特别是在热处理（退火）后），AFM层中的界面净自旋散射发生变化。” | **论述**：目标专利的特征G限定了结晶增强功能层“促进晶体形成”。对比文件明确其交换结合膜为“非晶层”，并特别指出在“热处理（退火）后”界面状态发生变化。在半导体及磁性薄膜领域，退火是诱导非晶材料结晶或改善晶体质量的关键工艺步骤。对比文件教导插入非晶层并在退火后获得有益的磁性能变化（界面自旋状态变化），这暗示了该非晶层在退火过程中可能发生结构演变或影响相邻层的结晶行为，从而“促进”了有利于磁性能的晶体结构的“形成”或优化。本领域技术人员有可能从对比文件的上述描述中，合理推断该非晶层（交换结合膜）具有在退火工艺中促进或优化晶体形成的作用。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **特征H：其中安置所述第一功能层的所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层包括第一层和第二层，所述第一功能层插入于所述第一层与第二层之间。《直接公开》** | 对比文件第[2]段：“交換結合膜１３がＡＰ２層１４内に形成された結果、ＡＰ２層１４は下部層１４ａと上部層１４ｂとにより分割されている。”（第2实施形态）<br>**译文**：“由于交换结合膜13形成在AP2层14内部，AP2层14被分割为下部层14a和上部层14b。” | **论述**：目标专利的特征H定义了功能层所插入的钉扎层被分割为第一层和第二层，功能层插入其间。对比文件第2、4实施形态及附图2、4清晰地公开了：当交换结合膜形成于“AP2层内部”时，AP2层被分割为**下部层（14a/35a）和上部层（14b/35b）**，交换结合膜（13/34）插入在这两个层之间。这完全符合特征H的描述。本领域技术人员能毫无疑义地得出此结论。 |
| **特征I：其进一步包括第二功能层，所述第二功能层安置于与安置所述第一功能层的所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层相对的钉扎层中。《隐含公开》** | 对比文件第[2]段：“更に、本発明では、…第１の交換結合膜をＡＦＭ層とＡＰ２ピンド層との間に形成すると共に、第２の交換結合膜をＡＰ２ピンド層内に形成するようにしてもよい。”<br>**译文**：“此外，在本发明中，…可以在AFM层与AP2钉扎层之间形成第一交换结合膜，并且在AP2钉扎层内形成第二交换结合膜。” | **论述**：目标专利的特征I定义了存在第二功能层，且其安置在与第一功能层所在钉扎层“相对的钉扎层”中。根据目标专利图5及说明书，这意指若第一功能层在底部钉扎层中，则第二功能层在顶部钉扎层中，反之亦然。对比文件上述内容公开了可以设置两个交换结合膜：一个在“AFM层与AP2钉扎层之间”，另一个在“AP2钉扎层内”。如特征C、D所述，AP2钉扎层对应于底部钉扎层。因此，“在AP2钉扎层内”即对应“在底部钉扎层中”。而“在AFM层与AP2钉扎层之间”的位置，根据目标专利图3-5及描述，此位置通常被视为紧邻底部钉扎层（AP2层）之下，但在一些语境下也可理解为与底部钉扎层相关联的界面区域。更重要的是，对比文件第1、3实施形态（图1、3）展示了交换结合膜单独设置在“AFM层与AP2层之间”的方案。本领域技术人员阅读对比文件后，能够理解其教导了可以在钉扎层堆叠的不同位置（界面处或层内部）设置功能层。虽然对比文件未明确使用“相对的钉扎层”这一表述，但其公开了在钉扎层堆叠中两个不同位置设置两个功能层的方案，这涵盖了特征I的技术方案的可能性。因此，该技术特征被隐含公开。 |
| **特征J：其中所述第二功能层由不同于所述第一功能层的材料形成。《未直接或隐含公开》** | 对比文件未明确记载两个交换结合膜（如果存在）由不同材料形成。 | **论述**：目标专利的特征J限定了第二功能层材料与第一功能层不同。对比文件虽然提到可以设置两个交换结合膜，但并未对这两个膜是否采用相同或不同的具体材料进行任何限定或说明。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中，必然地或合理地推断出当存在两个功能层时，它们必须由不同的材料形成。材料的选择是具体的、需要明确教导的技术特征。因此，特征J未被对比文件公开。 |
| **特征K：其中所述第二功能层由相同于所述第一功能层的材料形成。《未直接或隐含公开》** | 对比文件未明确记载两个交换结合膜（如果存在）由相同材料形成。 | **论述**：与特征J同理，对比文件未对两个交换结合膜的材料是否相同进行任何限定或说明。本领域技术人员无法从对比文件公开的内容中，必然地或合理地推断出当存在两个功能层时，它们必须由相同的材料形成。因此，特征K未被对比文件公开。 |
| **特征L：其进一步包括与所述第一功能层安置于同一底部钉扎层或顶部钉扎层中的第二功能层。《未直接或隐含公开》** | 对比文件未记载在同一个钉扎层（如AP2层）内插入两个或以上功能层。 | **论述**：目标专利的特征L限定了在同一钉扎层（底部或顶部）中存在两个功能层，如图9、10所示。对比文件仅公开了在一个钉扎层（AP2层）内插入一个交换结合膜（将其分割为两部分）。对比文件没有给出任何在同一钉扎层内插入多个功能层、从而将钉扎层分割为更多部分的教导或启示。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出该技术特征。因此，特征L未被对比文件公开。 |
| **特征M：其进一步包括反铁磁层、隧穿势垒层、自由层和/或罩盖层。《直接公开》** | 对比文件第[2]段：“ＭＴＪ積層構造は、シード層上に、反強磁性（ＡＦＭ）層、強磁性ピンド層、トンネルバリア層、強磁性フリー層およびキャップ層をこの順に形成したものである。”<br>**译文**：“MTJ叠层结构是在种子层上，按照反铁磁（AFM）层、强磁性钉扎层、隧道势垒层、强磁性自由层以及罩盖层的顺序形成的。” | **论述**：目标专利的特征M列举了存储元件可包括的其他层：反铁磁(AF)层、隧穿势垒层、自由层、罩盖层。对比文件明确公开了完整的MTJ结构包含：AFM层（反铁磁层）、トンネルバリア層（隧道势垒层）、フリー層（自由层）、キャップ層（罩盖层）。这些层在名称和功能上均与目标专利对应。本领域技术人员能毫无疑义地得出此结论。 |
| **特征N：其中所述存储元件集成在选自由以下各项组成的群组的电子装置中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机。《未直接或隐含公开》** | 对比文件未提及将磁阻效应元件用于所列的具体电子装置类型。对比文件主要描述其用于硬盘驱动器的再生磁头（例如第[2]段：“ＣＰＰ−ＧＭＲヘッド”）。 | **论述**：目标专利的特征N是具体的用途限定，将存储元件的应用范围限定在列举的一系列特定消费电子和计算设备中。对比文件仅公开了其磁阻效应元件用于“再生ヘッド”（读取头），属于硬盘驱动器的组件。虽然硬盘驱动器可能最终用于计算机等设备，但对比文件本身并未直接或隐含地教导将其存储元件集成到“机顶盒、音乐播放器、视频播放器、导航装置、通信装置、PDA、固定位置数据单元”这些具体的终端产品中。该用途限定是具体且明确的，对比文件未公开该特征。 |
| **特征O：其中所述STT-MRAM装置集成在至少一个半导体裸片中。《未直接或隐含公开》** | 对比文件未提及“半导体裸片”（semiconductor die）或其集成。其描述聚焦于在基板（如屏蔽层）上形成薄膜叠层结构以制造传感器。 | **论述**：目标专利的特征O限定了STT-MRAM装置在制造上的集成形式——集成在半导体裸片中。这是现代集成电路制造的典型特征。对比文件描述的是用于磁记录头的薄膜器件制造工艺，其“基板”是磁性屏蔽层或类似结构，并非半导体晶圆或裸片。本领域技术人员无法从对比文件中得出或合理推断出将其MTJ元件制造并集成在半导体裸片中的技术特征。因此，特征O未被对比文件公开。 |
### **结论与代码输出**
根据上述比对分析：
- **直接公开**的特征有：B, C, D, H, M。
- **隐含公开**的特征有：E, F, G, I。
- **未公开**的特征有：A, J, K, L, N, O。
根据输出格式要求，在回答结尾插入对应代码：
<<<B>>><<<C>>><<<D>>><<<H>>><<<M>>>
<<<e>>><<<f>>><<<g>>><<<i>>>