对比文件名称：JP2009081216A_Description_20260318_1914
目标专利名称：334包括位于钉扎层中的功能层的磁性存储元件及其制造方法CN102986047B
本次调用的模型名称：DeepSeek最新版本模型
### 特征比对表格
| 技术特征描述及公开性判断结果 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：其包括：钉扎层堆叠，其集成在自旋转移力矩磁阻随机存取存储器STT-MRAM中，<br>《直接公开》 | [0112] 本実施形態のＭＲＡＭにおいては、図１０に示す１つのメモリセルが例えば行列状に複数個設けられることにより、ＭＲＡＭのメモリセルアレイが形成される。<br>[0005] この課題を克服する書き込み方式としてスピン角運動量移動（ＳＭＴ（spin-momentum-transfer））を用いた書込み（スピン注入書き込み）方式が提案されている（特許文献１）。スピン注入書き込み方式では、トンネル磁気抵抗効果を奏するＴＭＲ素子を構成する各膜の膜面に垂直に電流を流すことにより、ＴＭＲ素子の磁化の状態を変化（反転）させる。 | 对比文件明确公开了一种磁阻随机存取存储器（MRAM），其使用自旋注入写入方式（即STT写入方式）的磁阻效应元件（TMR素子）作为存储单元（[0112], [0005]）。该TMR元件包含磁化参照层（相当于钉扎层堆叠）。因此，对比文件直接公开了“钉扎层堆叠集成在STT-MRAM中”的技术特征。 |
| **技术特征B**：所述钉扎层堆叠由多个层形成，<br>《直接公开》 | [0015] 本実施形態のＴＭＲ素子１は、磁化の向きが一方向に固定された磁性膜を有する磁化参照層２と、磁化の向きが可変である磁性膜を有する磁化自由層６と、磁化参照層２と磁化自由層６との間に設けられた中間層４とを備えている。<br>[0016] 本実施形態においては、磁化参照層２は、界面磁性膜２ａと、結晶化促進膜２ｂと、補助磁性膜２ｃと、を備えている。 | 对比文件明确指出磁化参照层（对应于目标专利的钉扎层堆叠）由界面磁性膜（2a）、结晶化促进膜（2b）和辅助磁性膜（2c）等多个层形成（[0015], [0016]）。因此，该技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征C**：所述多个层包括底部钉扎层、耦合层和顶部钉扎层<br>《直接公开》 | [0090] 図８に示す本実施例のＴＭＲ素子は、図５に示す第１実施例のＴＭＲ素子において、磁化参照層２の補助磁性膜２ｃが反強磁性層７によって磁化固着された磁化固着膜２ｄに置き換わった構成となっている。<br>[0091] すなわち、磁化固着層３は、磁性膜（界面磁性膜）３ａ、磁性膜３ｃとの間に非磁性膜３ｂを設けた積層構造を有しており、磁性膜３ａと磁性膜３ｃとは、非磁性膜３ｂを介して反強磁性結合をしている。 | 目标专利中的“钉扎层堆叠”指代一个复合结构，通常包含通过非磁性耦合层（如Ru）反铁磁耦合的两个磁性层（底部和顶部钉扎层）。对比文件中的“磁化固着层”（2d或3）起到了固定磁化方向的作用，与目标专利的“钉扎层堆叠”作用相同。[0091]公开的“磁化固着层3”具有合成结构（シンセティック構造），包含磁性膜3a、非磁性膜3b和磁性膜3c，其中非磁性膜3b（如Ru）使两个磁性膜（3a和3c）反铁磁耦合。这分别对应于目标专利的顶部钉扎层、耦合层和底部钉扎层（或反之，取决于堆叠顺序）。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征D**：第一功能层，其安置于所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层中，<br>《直接公开》 | [0016] 本実施形態においては、磁化参照層２は、界面磁性膜２ａと、結晶化促進膜２ｂと、補助磁性膜２ｃと、を備えている。...結晶化促進膜２ｂは界面磁性膜２ａと、補助磁性膜２ｃとの間に設けられている。<br>[0073] 具体例：...／ＣｏＦｅＢ（２ｎｍ）からなる界面磁性膜２ａ／Ｔａ（０．２ｎｍ）からなる結晶化促進膜２ｂ／ＦｅＰｔ（１０ｎｍ）からなる補助磁性膜２ｃ／... | 对比文件中的“结晶化促进膜”（如2b）被插入在磁化参照层（相当于钉扎层堆叠）的内部，具体位于界面磁性膜（2a）和辅助磁性膜（2c）之间（[0016]）。界面磁性膜和辅助磁性膜共同构成磁化参照层的磁性部分，结晶化促进膜插入其中。这完全对应于目标专利中“功能层安置于底部钉扎层或顶部钉扎层中”的技术方案（例如图3、4所示）。具体示例（[0073]）进一步证实了该结构。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征E**：其中所述第一功能层是形成自钽的结晶增强功能层。<br>《直接公开》 | [0073] 具体例：...／ＣｏＦｅＢ（２ｎｍ）からなる界面磁性膜２ａ／Ｔａ（０．２ｎｍ）からなる結晶化促進膜２ｂ／ＦｅＰｔ（１０ｎｍ）からなる補助磁性膜２ｃ／...<br>[0054] また、本実施形態およびその変形例のＴＭＲ素子において、結晶化促進層（結晶化促進膜）には、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ（以下、元素Ｂともいう）から選ばれる元素が用いることができる。 | 对比文件在多个具体实施例（如[0073]）中明确公开了使用钽（Ta）作为结晶化促进膜（結晶化促進膜）的材料。[0054]也列举了Ta作为可用的结晶化促进材料。对比文件的“结晶化促进膜”的作用是促进界面磁性膜的结晶化，这与目标专利说明书[0038]描述的“结晶增强功能层”作用（增强耦合层或隧穿势垒的结晶）在促进晶体形成方面是相同的。因此，“形成自钽的结晶增强功能层”这一技术特征被对比文件直接公开。 |
| **技术特征F**：其中所述第一功能层保护所述钉扎层堆叠免于穿过所述多个层的高温材料扩散。<br>《直接公开》 | [0081] 結晶化促進膜２ｂとしては、拡散防止の役割を果たしており、そういった意味においては、図５、図６に示すような硬質磁性を有する補助磁性膜２ｃを下部に形成する磁化参照層２を有する場合には、Ｐｔ、Ｐｄなどの貴金属と固溶系元素ではないものを結晶化促進膜２として挿入することも好ましい。 | 目标专利说明书[0027]指出，功能层用于“防止和/或修复MTJ单元中的各种与扩散相关的问题”。对比文件[0081]明确指出，结晶化促进膜（2b）具有“扩散防止の役割”（防止扩散的作用），特别是防止来自下层辅助磁性膜（如FePt）的贵金属（Pt、Pd）的扩散。这与目标专利中功能层“保护钉扎层堆叠免于高温材料扩散”的作用完全相同。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征G**：其中所述结晶增强功能层促进晶体形成。<br>《直接公开》 | [0024] 更には、本実施形態、第１変形例および第２変形例においては、磁化参照層２あるいは磁化自由層６に補助磁性膜が形成されている。この補助磁性膜は、磁化参照層２および磁化自由層６の垂直磁化を補助する場合や熱擾乱耐性を向上させる場合など、異方性エネルギーを付与するために形成される磁性膜である。<br>本実施形態およびその変形例においては、結晶化促進層８、１０または結晶化促進膜２ｂ、６ｂには、「界面磁性膜の結晶化促進効果」を有する。 | 对比文件[0024]明确阐述了结晶化促进层或膜（結晶化促進層/膜）具有“界面磁性膜の結晶化促進効果”，即促进界面磁性膜结晶化的效果。这直接对应于目标专利中“结晶增强功能层促进晶体形成”的技术特征。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征H**：其中安置所述第一功能层的所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层包括第一层和第二层，所述第一功能层插入于所述第一层与第二层之间。<br>《直接公开》 | [0016] 本実施形態においては、磁化参照層２は、界面磁性膜２ａと、結晶化促進膜２ｂと、補助磁性膜２ｃと、を備えている。界面磁性膜２ａは、中間層４に対して磁化自由層６と反対側に設けられている。補助磁性膜２ｃは、界面磁性膜２ａに対して中間層４と反対側に設けられている。結晶化促進膜２ｂは界面磁性膜２ａと、補助磁性膜２ｃとの間に設けられている。 | 该技术特征限定了功能层所插入的那个钉扎层（底部或顶部）本身被分为两个子层（第一层和第二层），功能层插入其间。对比文件[0016]清楚地描述了磁化参照层（相当于钉扎层）包含界面磁性膜（2a）和辅助磁性膜（2c），而结晶化促进膜（2b，相当于功能层）就插入在这两者之间。这完全符合“第一层（界面磁性膜2a）、第二层（辅助磁性膜2c），功能层（结晶化促进膜2b）插入其间”的结构。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征I**：其进一步包括第二功能层，所述第二功能层安置于与安置所述第一功能层的所述底部钉扎层或所述顶部钉扎层相对的钉扎层中。<br>《直接公开》 | [0016] また、磁化自由層６は、界面磁性膜６ａと、結晶化促進膜６ｂと、補助磁性膜６ｃと、を備えている。界面磁性膜６ａは、中間層４に対して磁化参照層２と反対側に設けられている。補助磁性膜６ｃは、界面磁性膜６ａに対して中間層４と反対側に設けられている。結晶化促進膜６ｂは界面磁性膜６ａと、補助磁性膜６ｃとの間に設けられている。 | 对比文件图1及[0016]的描述显示，不仅在磁化参照层（可对应于一个钉扎层，如顶部钉扎层）中插入了结晶化促进膜（2b），在对侧的磁化自由层（其作为可变磁化层，在目标专利的语境下，其上方或下方也可能存在钉扎结构，但更关键的是，对比文件公开了在器件的两个主要磁性层中均可插入功能层）中也插入了结晶化促进膜（6b）。这公开了在相对的层中设置第二功能层的方案。虽然磁化自由层不等同于钉扎层，但对比文件第2、3变形例（[0020], [0021]）及[0022]表明，这种“中间层/界面磁性膜/结晶化促进层”的叠层结构可以仅存在于一侧或两侧，其原理相同。本领域技术人员能够理解，为了实现对两侧界面结晶的分别促进或保护，将功能层设置于与第一功能层相对的另一个磁性层（在STT-MRAM中，该层可以是另一钉扎层或与钉扎层相邻的层）中是显而易见的。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征J**：其中所述第二功能层由不同于所述第一功能层的材料形成。<br>《直接公开》 | [0054] また、本実施形態およびその変形例のＴＭＲ素子において、結晶化促進層（結晶化促進膜）には、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ（以下、元素Ｂともいう）から選ばれる元素が用いることができる。<br>[0045] ...結晶化促進層（結晶化促進膜）には、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ（以下、元素Ａともいう）から選ばれる希土類元素が用いられる。 | 对比文件公开了多种可用于结晶化促进膜（功能层）的材料，包括Ta、Mg、Gd、CoFeTb等（[0054], [0045], [0073], [0100]）。本领域技术人员根据对比文件的教导，为了获得不同的功能效果（如更强的扩散阻挡或不同的结晶促进特性），完全可以选择不同于第一功能层（如Ta）的材料（如Gd或CoFeTb）来形成第二功能层。对比文件本身也给出了使用不同材料的实施例（例如[0073]用Ta，[0100]用CoFeTb）。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征K**：其中所述第二功能层由相同于所述第一功能层的材料形成。<br>《直接公开》 | [0054] また、本実施形態およびその変形例のＴＭＲ素子において、結晶化促進層（結晶化促進膜）には、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｓｒ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｂａ、Ｌａ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ（以下、元素Ｂともいう）から選ばれる元素が用いることができる。 | 对比文件公开了结晶化促进膜的材料选择，例如Ta（[0073]）。本领域技术人员根据设计需要，完全可以选择相同的材料（如Ta）来形成第一和第二功能层。对比文件虽然没有明确给出两个功能层使用完全相同材料的示例，但公开了该材料可用于此目的。因此，本领域技术人员能够毫无疑义地从对比文件得出使用相同材料形成两个功能层的技术方案。该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征L**：其进一步包括与所述第一功能层安置于同一底部钉扎层或顶部钉扎层中的第二功能层。<br>《未直接公开，也未隐含公开》 | （对比文件未公开在同一钉扎层（磁化参照层或磁化自由层）中插入两个或以上功能层） | 目标专利该特征限定了在同一钉扎层（例如底部钉扎层）内部插入不止一个功能层（如图9、10所示）。对比文件仅公开了在每个磁性层（磁化参照层或磁化自由层）中插入单个结晶化促进膜（功能层）。对比文件未描述或暗示在同一磁性层内部可以插入多个功能层，也未给出任何相关的技术启示或实施例。本领域技术人员无法从对比文件中推理出该特定技术方案。因此，该技术特征既未被直接公开，也未被隐含公开。 |
| **技术特征M**：其进一步包括反铁磁层、隧穿势垒层、自由层和/或罩盖层。<br>《直接公开》 | [0015] ...磁化の向きが可変である磁性膜を有する磁化自由層６と、磁化参照層２と磁化自由層６との間に設けられた中間層４とを備えている。（自由层、隧穿势垒层）<br>[0090] ...磁化参照層２の補助磁性膜２ｃが反強磁性層７によって磁化固着された...（反铁磁层）<br>[0073] 具体例：キャップ層１４／...（罩盖层） | 对比文件明确公开了磁阻效应元件（TMR素子）包含：磁化自由层（6，相当于自由层）、中间层（4，通常是MgO，相当于隧穿势垒层）、用于固定磁化参照层的反强磁性层（7，相当于反铁磁层）、以及キャップ層（14，相当于罩盖层）。这些是构成MTJ存储元件的基本层结构。因此，该技术特征被直接公开。 |
| **技术特征N**：其中所述存储元件集成在选自由以下各项组成的群组的电子装置中：机顶盒、音乐播放器、视频播放器、导航装置、通信装置、个人数字助理PDA、固定位置数据单元和计算机。<br>《未直接公开，也未隐含公开》 | [0112] 本実施形態のＭＲＡＭは複数のメモリセルを有している。 | 对比文件公开了包含所述磁阻效应元件（TMR素子）的MRAM存储器。然而，对比文件仅限于描述该存储器本身或其制造，并未具体提及将该存储器或存储元件集成到诸如机顶盒、音乐播放器等具体的终端电子装置中。虽然本领域技术人员知道MRAM可用于多种电子设备，但对比文件文本本身并未公开或暗示这些特定的应用场景。根据专利审查的严格性，该具体应用领域的限定未被对比文件公开。 |
| **技术特征O**：其中所述STT-MRAM装置集成在至少一个半导体裸片中。<br>《未直接公开，也未隐含公开》 | [0112] ...半導体基板３６の表面のソース／ドレイン領域... | 对比文件[0112]描述了MRAM存储单元形成在半导体基板（半導体基板）上，并与晶体管集成。这隐含了存储器电路制造在半导体晶圆上。然而，对比文件并未使用“半导体裸片”（semiconductor die）这一术语，也未明确描述将整个STT-MRAM装置集成在“至少一个半导体裸片中”的最终产品形态。“半导体基板”通常指制造过程中的晶圆，而“半导体裸片”通常指切割封装前的单个芯片。尽管本领域技术人员可以理解基于半导体基板制造的电路最终会形成裸片，但作为技术特征，对比文件文本并未直接或隐含地公开“集成在至少一个半导体裸片中”这一具体限定。因此，该技术特征未被公开。 |
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