**对比文件名称**：US6830971B "High K artificial lattices for capacitor applications to use in CU or AL BEOL"
**目标专利名称**：CN105074915B "互补后端制程(BEOL)电容器"
**本次调用模型名称**：DeepSeek-R1
### **特征比对表格**
| 技术特征描述及公开性判断 | 对比文件原文引用 | 公开性论述 |
| **技术特征A**：包括耦合到集成电路(IC)器件的互连堆叠的第一上互连层的金属氧化物金属(MOM)电容器结构。<br>**隐含公开** | “U.S. Pat. No. 6,117,747 entitled ‘Integration Of MOM Capacitor Into Dual Damascene Process’ granted Sep. 12, 2000 to Shao et al. describes a dual damascene and MOM process for fabricating a metal-oxide-metal capacitor.” (Description of Related Art 部分) | 对比文件在背景技术部分明确引用了涉及“将MOM电容器集成到双镶嵌工艺中”的现有技术专利，承认了MOM电容器结构的存在及其在互连（BEOL）工艺中的集成。虽然对比文件自身主要关注MIM电容器的制造，但其技术背景和所要集成的电路环境必然包含互连堆叠结构。本领域技术人员知晓，在BEOL工艺中，任何电容器结构（无论是MIM还是MOM）都需要电连接至互连层以实现其功能。因此，对比文件隐含了存在一种耦合到互连堆叠（必然包括上互连层）的MOM电容器结构，这是其技术方案的已知组成部分或可集成的对象。 |
| **技术特征B**：所述MOM电容器结构包括所述互连堆叠的至少一个下互连层。<br>**隐含公开** | 参见附图2C及相应描述，其展示了形成在包含低k介电层21、22、23和蚀刻停止层24的绝缘层“200”之上的MIM电容器。说明书描述“Semiconductor device structures are formed in and on the semiconductor substrate. These device structures include gate electrodes, interconnection lines, FET source/drain areas, and low levels of metallization. The semiconductor device structures, not shown, are formed in layer 200 and are covered with an insulator.” (DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS 部分，结合FIG. 2C) | 对比文件明确其MIM电容器形成在BEOL（后端制程）中。BEOL工艺必然构建在包含多个互连层（包括下互连层）的互连堆叠之上。说明书提及的“low levels of metallization”以及层“200”中的器件结构，隐含了在MIM电容器（形成于更上层）之下存在下层的互连结构（即下互连层）。对于本领域技术人员而言，当对比文件提及集成MOM电容器（特征A的论述）时，该MOM电容器为了与MIM电容器在BEOL中共存或互补，必然需要利用互连堆叠中的某些互连层（如下互连层）来构成其叉指电极。因此，MOM电容器结构包含至少一个下互连层是隐含公开的。 |
| **技术特征C**：所述互连堆叠中的耦合到所述MOM电容器结构的第二上互连层。<br>**隐含公开** | “The second metal electrode layer is selected from group consisting of metals and metal alloys with high conductivity... forming a top metal electrode.” (DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS 部分，(g)项)<br>参见附图2C，顶部金属电极290通过通孔结构与上方金属层（未详细示出但必然存在以完成互连）连接。 | 对比文件详细描述了MIM电容器的顶部金属电极（290）的形成。在BEOL结构中，该顶部金属电极本身可以视为一个上互连层（例如，Mx层），或者需要通过通孔连接到更上方的另一个互连层以接入电路。无论哪种情况，都存在一个位于MIM电容器之上或与之同层的上互连层用于引出电极。由于对比文件隐含了MOM电容器结构的存在（特征A），并且MIM和MOM电容器都需要接入电路，本领域技术人员可以合理推断，存在一个（或多个）上互连层被用来耦合到这些电容器结构，包括MOM电容器，以实现电连接和信号传输。因此，耦合到MOM电容器结构的第二上互连层被隐含公开。 |
| **技术特征D**：位于所述第一上互连层与所述第二上互连层之间的至少一个金属绝缘体金属(MIM)电容器层。<br>**直接公开** | “deposition of high k super lattice dielectrics forming the capacitor insulator (I) 37” (结合附图3的流程描述)<br>“the high dielectric super lattice material 291 (arrow) in the area or region in between the two electrodes: top (290) and bottom (25) electrodes, specifically in area 291 (arrow), that serves as the major contributor to the capacitance value of the MIM capacitor.” (DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS 部分，结合FIG. 2C) | 对比文件的核心发明点就是制造高k介电常数的MIM电容器。说明书和附图（如图2C）明确示出并描述了在底部金属电极（25）和顶部金属电极（290）之间沉积高k介电层（27, 291）。这两个金属电极分别对应于目标专利中形成MIM电容器所需的第一和第二导体极板，它们通常由互连层（上互连层）的材料和工艺形成。因此，位于两个金属电极（即隐含的第一和第二上互连层）之间的高k介电层（即MIM电容器层）被对比文件直接且明确地公开。 |
| **技术特征E**：耦合到所述MOM电容器结构的MIM电容器结构。<br>**隐含公开** | 对比文件的背景技术（U.S. Pat. No. 6,117,747）描述了MOM电容器的集成，而其详细实施例描述了MIM电容器的制造。全文旨在提供适用于BEOL的高性能电容器解决方案。 | 虽然对比文件没有明确描绘一个同时包含MOM和MIM且两者电连接的单一结构图，但其背景技术承认MOM电容器的存在，并致力于改进MIM电容器以用于BEOL应用。对于本领域技术人员而言，在追求高电容密度的BEOL设计中，将不同类型的电容器（如MOM和MIM）并联或串联使用以结合各自优势（如MOM的匹配性、MIM的高k）是常见的电路设计思路。对比文件公开了MIM电容器的具体结构，并暗示了MOM电容器的存在环境，因此可以合理推断，为了优化整体电容性能，可以将公开的MIM电容器结构耦合到同样存在于BEOL中的MOM电容器结构上，形成组合式电容器。因此，该特征被隐含公开。 |
| **技术特征F**：所述MIM电容器结构包括第一电容器极板和第二电容器极板，所述第一电容器极板仅包括所述第一上互连层的一部分。<br>**未公开** | “bottom capacitor metal electrode 25 (M) for MIM, metal-insulator-metal capacitor, is formed over 24. This bottom capacitor metal electrode 25 (M) is comprised of copper inlaid metal, for a bottom capacitor plate and is formed by a dual damascene, trench/via process...” (DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS 部分，结合FIG. 2A, 2C) | 目标专利此特征的核心创新点在于：MIM电容器的一个极板（第一电容器极板）不是独立形成的专用电极，而是“仅包括所述第一上互连层的一部分”，即直接利用已有的互连层（如M9）的一部分区域作为电容器的极板，从而节省工艺步骤和掩模。对比文件中的MIM电容器具有独立形成的、专用的底部金属电极（25）和顶部金属电极（290）。这些电极是通过双镶嵌等工艺专门为电容器制作的，并非由已有的、用于普通互连的“上互连层”的一部分直接充当。因此，对比文件没有公开“第一电容器极板仅包括第一上互连层的一部分”这一特定结构。 |
| **技术特征G**：所述第二电容器极板包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分。<br>**未公开** | 同特征F的引用。对比文件中的第二电容器极板（顶部金属电极290）是一个完整的、独立的金属层，沉积在介电层（27, 291）之上。 | 目标专利此特征限定了第二电容器极板“包括所述至少一个MIM电容器层的至少一部分”。结合说明书（例如图2，顶部极板252是MIM电容器层的一部分），这意味着第二极板可能是与介电层同一次工艺中沉积的导电层的一部分，而非在完整介电层上再单独沉积的完整顶部电极。对比文件中，第二电容器极板（顶部电极290）是沉积在完整的介电层（27, 291）之上的一个独立金属层，它并不“包括”介电层的一部分。两者结构截然不同。因此，该特征未被对比文件公开。 |
| **技术特征H**：其特征在于，进一步包括处于所述互连堆叠的所述第一上互连层和所述第二上互连层之间的附加MIM电容器结构，所述附加MIM电容器结构包括第一电容器极板、介电层、以及所述MIM电容器结构的第一电容器极板，所述MIM电容器结构的第一电容器极板作为所述附加MIM电容器结构的第二电容器极板。<br>**未公开** | 对比文件全文仅描述了一个单一的MIM电容器结构，由底部电极（25）、介电层（27, 291）和顶部电极（290）构成。 | 此特征描述了一种堆叠或共享极板的复杂MIM电容器组合结构，其中一个MIM电容器的极板同时作为另一个附加MIM电容器的极板。对比文件完全没有提及或暗示这种多个MIM电容器共享极板的层级结构。其发明重点在于单个MIM电容器的介电层材料（超晶格），而非电容器的堆叠架构。因此，该特征未被公开。 |
| **技术特征I**：其特征在于，所述第二上互连层的第一部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的第一电容器极板，并且所述第二上互连层的第二部分被耦合到所述附加MIM电容器结构的所述第二电容器极板。<br>**未公开** | 无相关描述。 | 此特征依赖于特征H所描述的附加MIM电容器结构的存在。由于特征H未被公开，因此关于该附加结构如何与第二上互连层进行特定耦合的具体连接方式自然也未被公开。 |
| **技术特征J**：其特征在于，所述电容器被集成到蜂窝电话、手持式个人通信系统(PCS)单元、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、便携式数据单元、和/或固定位置数据单元中。<br>**未公开** | 无相关描述。 | 对比文件仅涉及半导体器件中电容器结构的制造方法，并未提及将该电容器集成到任何具体的终端产品或设备中。此特征属于应用领域的限定，未在对比文件中公开。 |
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